天眼查顯示，江蘇魯汶儀器股份有限公司“一種介電質(zhì)窗口及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布，申請公布日為2025年3月7日，申請公布號為CN119581304A。

本發(fā)明提供了一種介電質(zhì)窗口及半導(dǎo)體設(shè)備，包括：介電質(zhì)層，所述介電質(zhì)層包括貫穿所述介電質(zhì)層的開孔；第一加熱組件，所述第一加熱組件嵌入所述介電質(zhì)層內(nèi)，且所述第一加熱組件環(huán)繞所述開孔設(shè)置。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，將第一加熱組件嵌入在介電質(zhì)層內(nèi)部，進而在對第一加熱組件進行上電后，控制介電質(zhì)層自內(nèi)向外加熱，不僅能夠提高對介電質(zhì)窗口的加熱效率，而且通過將第一加熱組件呈環(huán)繞開孔設(shè)置，能夠顯著改善介電質(zhì)窗口表面的溫度分布均勻性，從而在提高了等離子體刻蝕工藝的穩(wěn)定性的同時，還避免了對介電質(zhì)窗口加熱不均勻所引起的對反應(yīng)腔造成顆粒污染和微量元素污染的問題。