天眼查顯示，泰科天潤半導體科技(北京)有限公司“一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布，申請公布日為2025年3月7日，申請公布號為CN119584570A。

本發(fā)明提供了一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法，在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底上側面外延生長形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成擴散區(qū)、續(xù)流區(qū)及N型源區(qū)；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積形成柵介質層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成柵極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，在器件內部構建了P型擴散區(qū)和N型均流區(qū)構建的超結結構，可以在固定厚度和面積條件下有效提高器件的耐壓能力，構建了肖特基二極管，可以有效降低器件的反向恢復時間，實現(xiàn)快恢復。