天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2025年2月14日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119421473A。
本發(fā)明提供了一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法，在碳化硅襯底的下側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側(cè)面外延生長(zhǎng)，形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成均流層、體區(qū)、P型阱區(qū)及N型源區(qū)；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成絕緣介質(zhì)層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成柵介質(zhì)層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成柵極金屬層和源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，可以有效提高器件的柵極可靠性和體二極管續(xù)流損耗和反向恢復(fù)速度。
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