天眼查顯示，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司近日取得一項名為“一種溝槽型和JFET集成四溝道的碳化硅器件的制造方法”的專利，授權(quán)公告號為CN117995686B，授權(quán)公告日為2024年6月14日，申請日為2024年4月2日。

本發(fā)明提供了一種溝槽型和JFET集成四溝道的碳化硅器件的制造方法，包括：在碳化硅襯底的一側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底另一側(cè)面淀積生長，形成漂移層；淀積阻擋層，對阻擋層，離子注入，分別形成阱區(qū)、JFET控制區(qū)以及源區(qū)；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層以及阱區(qū)，之后進行淀積，形成柵極介質(zhì)層、第二柵極金屬層、第一柵極金屬層；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕形成通孔，通過通孔淀積金屬，形成源極金屬層，能實現(xiàn)器件的快速開啟。