天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司“一種分離平面柵低阻碳化硅VDMOS的制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年8月9日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118471811A。

本發(fā)明提供了一種分離平面柵低阻碳化硅VDMOS的制備方法，包括：在碳化硅襯底的一側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底的另一側(cè)面淀積生長(zhǎng)形成漂移層；在漂移層上方淀積阻擋層，刻蝕，離子注入形成低阻結(jié)構(gòu)層、阱區(qū)和源區(qū)；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕形成通孔，對(duì)通孔進(jìn)行金屬淀積，形成源極金屬層；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成柵介質(zhì)層；去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕，金屬淀積，形成柵極金屬層，所述柵極金屬層位于低阻結(jié)構(gòu)層和源區(qū)之間的阱區(qū)上方；去除阻擋層，完成制造，降低了柵極控制反型區(qū)面積，進(jìn)而降低了柵極電荷，降低了器件的驅(qū)動(dòng)損耗。