天眼查顯示，江蘇魯汶儀器股份有限公司“等離子體刻蝕設備、刻蝕機臺、聚焦環(huán)及其頂升結構”專利公布，申請公布日為2025年2月14日，申請公布號為CN119446875A。

本發(fā)明涉及一種等離子體刻蝕設備、刻蝕機臺、聚焦環(huán)及其頂升結構，該聚焦環(huán)包括多個層疊設置的環(huán)體，各個所述環(huán)體相互獨立地設置，位于最上層的所述環(huán)體的軸向尺寸大于所述聚焦環(huán)所允許的最大頂升高度，本發(fā)明提供了一種分體式的聚焦環(huán)，在使用過程中，各個環(huán)體均可以被頂升，因而通過各個環(huán)體將原有聚焦環(huán)整體被頂升后下方的大空間分割為若干個小空間，每個小空間僅僅只通過結構間的細小狹縫相連，小空間內等離子體的帶電粒子濃度和活性被限制，從而達到預防電弧放電現象，避免產生打火痕跡或者聚焦環(huán)碎裂的問題的目的。