天眼查顯示，深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司“一種新型屏蔽柵MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119584593A。

本申請(qǐng)屬于功率器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種新型屏蔽柵MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片，在N型漂移區(qū)的凹槽內(nèi)設(shè)置復(fù)合介電材料層和屏蔽柵多晶硅層，由復(fù)合介電材料層隔離屏蔽柵多晶硅層與N型漂移區(qū)凹槽的底部和兩側(cè)壁，并且，該復(fù)合介電材料層包括第一介電材料層和第二介電材料層，第一介電材料層與N型漂移區(qū)接觸，通過在靠近N型漂移區(qū)的一側(cè)設(shè)置介電常數(shù)較低的第一介電材料層，在靠近屏蔽柵多晶硅層的一側(cè)設(shè)置介電常數(shù)較高的第二介電材料層，利用第二介電材料層的高介電常數(shù)特性，能夠?qū)崿F(xiàn)更厚的屏蔽柵氧化層的情況下達(dá)到相同的輔助耗盡效果，從而增強(qiáng)屏蔽柵底部的擊穿電壓，同時(shí)，由于輔助耗盡作用接近，對(duì)器件的導(dǎo)通電阻的影響較低。