獨(dú)家獲悉：東方晶源電子束量檢測(cè)設(shè)備出機(jī)突破60臺(tái)里程碑，這意味著，東方晶源設(shè)備在該領(lǐng)域的技術(shù)性能已經(jīng)穩(wěn)定，并獲得用戶認(rèn)可，能夠滿足半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)需求，相關(guān)市場(chǎng)有望迎來(lái)突破性增長(zhǎng)。據(jù)行業(yè)首發(fā)信息披露，東方晶源作為深耕集成電路良率管理領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其電子束設(shè)備累計(jì)交付達(dá)60臺(tái)。這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)高端量檢測(cè)設(shè)備在技術(shù)成熟度、產(chǎn)線適配性方面取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。這一數(shù)據(jù)背后，折射出國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向。近年來(lái)國(guó)際地緣政治波動(dòng)持續(xù)催化設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，晶圓廠為規(guī)避斷供風(fēng)險(xiǎn)加速導(dǎo)入本土解決方案，東方晶源肩負(fù)國(guó)產(chǎn)替代重任，深度參與關(guān)鍵領(lǐng)域的自主創(chuàng)新。企業(yè)十余載積累的電子光學(xué)系統(tǒng)研發(fā)功底與量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，使其成為破解半導(dǎo)體設(shè)備“卡脖子”難題的核心力量。

盡管美國(guó)政府不斷升級(jí)對(duì)華出口管制，企圖延緩我國(guó)先進(jìn)制程的發(fā)展，但這并不能阻止中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步。東方晶源的技術(shù)突破不僅重塑了國(guó)產(chǎn)設(shè)備在良率管理環(huán)節(jié)的市場(chǎng)格局，更為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)構(gòu)筑技術(shù)護(hù)城河提供了關(guān)鍵拼圖。在提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控能力方面，東方晶源還將繼續(xù)做出重要貢獻(xiàn)。

設(shè)備穩(wěn)定出機(jī)60臺(tái)，有效優(yōu)化產(chǎn)業(yè)格局

“60臺(tái)設(shè)備落地不是終點(diǎn)，而是自主化量檢測(cè)體系升級(jí)的起點(diǎn)?！睎|方晶源資深產(chǎn)品總監(jiān)賈錫文在接受集微網(wǎng)專訪時(shí)強(qiáng)調(diào)。他透露，通過(guò)優(yōu)化EOS（電子光學(xué)系統(tǒng)）結(jié)構(gòu)提高信號(hào)采集和收集的效率，并且在智能算法的加持下，設(shè)備在保持納米級(jí)檢測(cè)精度的同時(shí)，將單位晶圓檢測(cè)效率提升40%，這一突破直接回應(yīng)了28nm及以下先進(jìn)制程的量產(chǎn)需求。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局下，核心設(shè)備與關(guān)鍵材料的自主可控成為國(guó)家戰(zhàn)略。其中，量檢測(cè)設(shè)備的重要性不斷提升。測(cè)試是貫穿芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過(guò)程的核心環(huán)節(jié)，對(duì)提高芯片良率、降低成本至關(guān)重要。量檢測(cè)設(shè)備有“工廠的眼睛”之稱，用于在半導(dǎo)體制造過(guò)程中檢測(cè)芯片性能與缺陷，確保產(chǎn)品質(zhì)量的可控性，對(duì)保證產(chǎn)品質(zhì)量起著關(guān)鍵性的作用。特別是隨著半導(dǎo)體制程不斷縮減，光學(xué)檢測(cè)在先進(jìn)制程技術(shù)的圖像識(shí)別的靈敏度逐漸減弱，電子束檢測(cè)技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景變得越來(lái)越多。

近年來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體晶圓廠建設(shè)正在加速。據(jù)集微咨詢統(tǒng)計(jì)，目前中國(guó)大陸已有47座晶圓廠，其中，12英寸晶圓廠22座，8英寸廠25座。此外，還有正在建設(shè)的晶圓廠25座。中國(guó)大陸連續(xù)兩年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備需求市場(chǎng)，中國(guó)大陸的晶圓制造設(shè)備支出從2018年的110億美元增長(zhǎng)到2023年的近300億美元。相對(duì)應(yīng)地，我國(guó)對(duì)電子束量檢測(cè)設(shè)備的需求量也在翻番。

盡管在電子束量檢測(cè)設(shè)備方面，AMAT、Hitachi、ASML等國(guó)際大廠依然占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，但是國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商也在迅速成長(zhǎng)。東方晶源作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子束量檢測(cè)設(shè)備供應(yīng)商之一，得益于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速崛起，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備需求量逐步提升，已開發(fā)出多個(gè)系列的電子束設(shè)備，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。

根據(jù)賈錫文的介紹，已出機(jī)的用戶群中既包含了邏輯廠商、存儲(chǔ)廠商，也包含先進(jìn)封裝以及第三代半導(dǎo)體廠商，累計(jì)wafer move量超過(guò)56萬(wàn)片。12英寸設(shè)備已在28nm產(chǎn)線上服役，6英寸和8英寸設(shè)備在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域則作為BSL機(jī)臺(tái)在運(yùn)行?！爸档靡惶岬氖牵诓糠钟脩舢?dāng)中，我們已經(jīng)開始斬獲重復(fù)訂單。這是市場(chǎng)對(duì)我們的認(rèn)可，公司也會(huì)持續(xù)地投入研發(fā)，做出更多的創(chuàng)新?！?/strong>他表示。

對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司來(lái)說(shuō)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨，且出貨量達(dá)到數(shù)十臺(tái)無(wú)疑是一項(xiàng)較為突出的成績(jī)。半導(dǎo)體制造對(duì)設(shè)備的精度、穩(wěn)定性和可靠性要求極高，相關(guān)產(chǎn)品必須經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期測(cè)試，反復(fù)打磨，才能進(jìn)入大生產(chǎn)線。實(shí)現(xiàn)批量出貨意味著相關(guān)設(shè)備的技術(shù)性能已經(jīng)穩(wěn)定，獲得了用戶的認(rèn)可，能夠滿足半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)需求。這是十分難得的。

同時(shí)，這也表明國(guó)內(nèi)企業(yè)在電子光學(xué)系統(tǒng)、圖像處理算法、精確定位和控制等關(guān)鍵技術(shù)上取得了重大突破，意味著技術(shù)性能達(dá)到或接近國(guó)際水平。

當(dāng)然，AMAT、Hitachi等國(guó)際廠商仍然在檢測(cè)精度、穩(wěn)定性和效率等方面占據(jù)著優(yōu)勢(shì)，它們的產(chǎn)品系列更豐富，覆蓋的流程場(chǎng)景更全面。但是，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商同樣具有性價(jià)比更高、服務(wù)響應(yīng)快、定制化能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。在獲得用戶認(rèn)可，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定供應(yīng)之后，將逐步提升國(guó)產(chǎn)設(shè)備的市場(chǎng)份額，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)格局，增強(qiáng)國(guó)產(chǎn)企業(yè)在行業(yè)內(nèi)的話語(yǔ)權(quán)，降低因國(guó)外技術(shù)封鎖或供應(yīng)中斷帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)也能帶動(dòng)相關(guān)零部件供應(yīng)商的發(fā)展，促進(jìn)供應(yīng)鏈的本地化，提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。

創(chuàng)新技術(shù)加持，設(shè)備實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定

據(jù)了解，電子束量檢測(cè)設(shè)備的主要產(chǎn)品包括電子束缺陷檢測(cè)（EBI）、電子束缺陷復(fù)檢（DRSEM）、關(guān)鍵尺寸量測(cè)（CDSEM）三種類型，涉及檢測(cè)、量測(cè)、復(fù)檢等用戶不同需求。東方晶源對(duì)此已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全面覆蓋。

“半導(dǎo)體量檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展與光刻技術(shù)的發(fā)展是息息相關(guān)的，因此也遵循相類似的科學(xué)邏輯，即追求分辨率極致化。而電子束量檢測(cè)技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)就在于擁有超高的分辨率和檢測(cè)精度，對(duì)電性能缺陷極為敏感，可以檢測(cè)很小的表面缺陷，如柵極刻蝕殘留物等，并且電子束量檢測(cè)設(shè)備具有更強(qiáng)的三維結(jié)構(gòu)成像能力和抗前層信號(hào)干擾能力，這使其在先進(jìn)工藝中被較多使用，已經(jīng)成為生產(chǎn)線中不可或缺的設(shè)備之一?！辟Z錫文表示。

電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備是東方晶源較為成熟的產(chǎn)品線，其不僅能夠檢測(cè)電性能缺陷，也能檢測(cè)物理缺陷。經(jīng)過(guò)數(shù)年研發(fā)迭代，主力機(jī)型在檢測(cè)能力和應(yīng)用場(chǎng)景方面都得到了進(jìn)一步的拓展。分辨率是EBI核心指標(biāo)之一。東方晶源研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)系統(tǒng)性改進(jìn)和優(yōu)化有效提升了EBI設(shè)備的分辨率水平：采用高壓低像差電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)更高成像分辨率；對(duì)EE模組性能及連接方式進(jìn)行優(yōu)化，有效抑制噪聲；開發(fā)振動(dòng)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)，抑制機(jī)械振動(dòng)對(duì)成像的影響。

檢測(cè)速度是用戶考量 EBI 的另一項(xiàng)重要指標(biāo)。經(jīng)過(guò)這些年的努力，東方晶源也在三個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行改善：一是開發(fā)連續(xù)掃描模式代替步進(jìn)掃描，二是開發(fā)更高速的信號(hào)采集波形發(fā)射器和更快的信號(hào)探測(cè)器以及優(yōu)化算法來(lái)提升收集信號(hào)的效率；同時(shí)也在進(jìn)行多束同時(shí)掃描方案的研發(fā)。通過(guò)這三個(gè)方面的努力來(lái)提升EBI 的檢測(cè)速度。

靈敏度同樣關(guān)系到設(shè)備對(duì)信號(hào)的采集能力。東方晶源采用高穩(wěn)定性熱場(chǎng)發(fā)射體，通過(guò)精確控制加熱溫度和電場(chǎng)強(qiáng)度，降低了電子能量分散，提升電子束的相干性和亮度；同時(shí)研發(fā)了新型的探測(cè)器，開發(fā)大電流及新的charging方式提高VC信號(hào)，讓以前非常弱的信號(hào)強(qiáng)化來(lái)提升靈敏度。

在電子束缺陷復(fù)檢設(shè)備方面，日前東方晶源推出最新一代DR-SEM r655。它是東方晶源于2023年所推出DR-SEM r600的下一代產(chǎn)品。根據(jù)賈錫文的介紹，該款新品搭載了全新的高性能電子槍和光學(xué)檢測(cè)模組，以及升級(jí)版?zhèn)髌到y(tǒng)和算法系統(tǒng)，可以滿足國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程產(chǎn)線的應(yīng)用需求。

在電子束檢測(cè)成像方面，DR-SEM r655采用了5通道探測(cè)器，可以覆蓋更廣泛的檢測(cè)需求全方位缺陷表征：4個(gè)側(cè)向探測(cè)器支持全角度形貌掃描，顯著提升缺陷立體成像效果，助力工程師精準(zhǔn)判定缺陷類型與成因，尤其對(duì)淺刮傷等微小缺陷的復(fù)檢成功率提升明顯；材料襯度解析優(yōu)化：頂端探測(cè)器增強(qiáng)背散射電子信號(hào)接收能力，精準(zhǔn)捕捉材料襯度差異，滿足先進(jìn)制程對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求；高深寬比工藝兼容：配合高加速電場(chǎng)設(shè)計(jì)，適配高深寬比結(jié)構(gòu)檢測(cè)，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際成熟機(jī)型。

這些功能的實(shí)現(xiàn)又都得益于東方晶源開發(fā)的新型電子光學(xué)系統(tǒng)的賦能。通過(guò)對(duì)它們的開發(fā)與使用，進(jìn)一步拉近了與國(guó)際大廠之間的距離，為公司接下來(lái)的新突破奠定基礎(chǔ)。

在關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備方面，東方晶源目前主推的是c430機(jī)型。該款機(jī)型在客戶端的裝機(jī)總量超過(guò)10臺(tái)。在量測(cè)精度上，該機(jī)型已經(jīng)達(dá)到國(guó)際主流機(jī)臺(tái)水平。之所以具備這樣的性能，一方面得益于東方晶源全新開發(fā)的波形發(fā)生器，可以支持更快的點(diǎn)掃描速度和掃描方式組合。在傳統(tǒng)掃描方式中，電子束需在每個(gè)測(cè)量點(diǎn)停留較長(zhǎng)時(shí)間以確保信號(hào)強(qiáng)度，而新波形發(fā)生器采用高頻信號(hào)調(diào)制技術(shù)，使電子束在保持測(cè)量精度的同時(shí)，可以更快的速度完成信號(hào)采集。其次是采用晶圓表面電荷補(bǔ)償技術(shù)，弱化了charging對(duì)成像的影響，提升了量測(cè)的穩(wěn)定性。第三是采用高精度的Auto Focus，實(shí)現(xiàn)量測(cè)系統(tǒng)的實(shí)時(shí)自校準(zhǔn)，可確保長(zhǎng)期運(yùn)行下的數(shù)據(jù)一致性，提高量測(cè)的準(zhǔn)確性。第四是全新開發(fā)的疊幀和量測(cè)算法提高了圖像質(zhì)量和量測(cè)的穩(wěn)定性。

在量測(cè)穩(wěn)定性上，c430是唯一在客戶端通過(guò)self-matching的國(guó)產(chǎn)CDSEM設(shè)備，CD matching小于0.35nm（或0.5%CD）。這得益于c430新開發(fā)的Auto Calibration方案和Auto Daily PM 方案。Auto Calibration方案包括Image、System和量測(cè)三大模塊，Image模塊可進(jìn)行圖像質(zhì)量的實(shí)時(shí)優(yōu)化，System模塊實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)狀態(tài)的全局監(jiān)控，量測(cè)模塊實(shí)現(xiàn)精度校準(zhǔn)閉環(huán)。而Auto Daily PM 方案可以讓設(shè)備可以利用idle時(shí)間進(jìn)行SEM image的校準(zhǔn)和維護(hù)。這些更新不僅解決了傳統(tǒng)CD-SEM設(shè)備校準(zhǔn)依賴人工、效率低下的問題，也在量測(cè)的穩(wěn)定性上取得了突破。

向三代半、先進(jìn)封裝擴(kuò)展，滿足用戶多元化需求

除先進(jìn)制程以外，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，以及先進(jìn)封裝市場(chǎng)的需求也在不斷壯大，這些領(lǐng)域?qū)﹄娮邮繖z測(cè)設(shè)備有著與邏輯制程、存儲(chǔ)制程很大的不同。東方晶源也在積極研發(fā)，滿足這一領(lǐng)域用戶的需求。

相對(duì)而言，第三代半導(dǎo)體用戶對(duì)芯片傳統(tǒng)工藝量檢測(cè)上的要求相對(duì)簡(jiǎn)單，但對(duì)多元兼容上的要求卻比較復(fù)雜。以襯底為例，第三代半導(dǎo)體就包括藍(lán)寶石基、硅基、碳化硅基、氮化鎵基等多種類型。這些襯底的完整度各不相同，厚度也不一樣，這就非常考驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備的兼容能力。如何讓設(shè)備自動(dòng)化地兼容這么多的不同襯底就是一個(gè)挑戰(zhàn)。

東方晶源針對(duì)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)推出了SEpA-c310s，不僅實(shí)現(xiàn)了6/8 英寸兼容，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了不同材質(zhì)、不同厚度的兼容。該產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入用戶企業(yè)的生產(chǎn)線。東方晶源也在投入開發(fā)下一代的三代半產(chǎn)品。

在先進(jìn)封裝方面，其對(duì)檢測(cè)設(shè)備的線寬要求也不是很復(fù)雜，但卻對(duì)高深寬比等方面具有特殊的要求。當(dāng)前的先進(jìn)封裝工藝越來(lái)越走向2.5D/3D化，這就對(duì)TSV、高深孔等有更多的需求，也就會(huì)對(duì)一些底部信號(hào)的量測(cè)有著較為旺盛的需求。東方晶源也在高能/高電壓/高束流的檢測(cè)技術(shù)上投入更多資源，以期能夠滿足用戶這方面的需求。

持續(xù)跟蹤技術(shù)發(fā)展方向，為用戶提供全面良率解決方案

未來(lái)，半導(dǎo)體制程將進(jìn)一步走向微縮，對(duì)電子束量檢測(cè)設(shè)備的技術(shù)要求將更加嚴(yán)苛。賈錫文表示，挑戰(zhàn)主要來(lái)自兩個(gè)方面：一是low dose & high resolution 成像能力；二是電子束吞吐量瓶頸。

首先，隨著半導(dǎo)體制程的微縮，晶圓表面的材料對(duì)電子束變得更加敏感，過(guò)高的電子束劑量可能會(huì)對(duì)這些敏感介質(zhì)造成損傷，從而影響芯片的性能和良率。這就需要在檢測(cè)過(guò)程中使用較低的電子束劑量，并在低劑量下，仍然能夠保持高分辨率的成像能力，以便準(zhǔn)確檢測(cè)出晶圓表面的微小缺陷和關(guān)鍵尺寸。還需要考慮如何減少對(duì)immersion和EUV等敏感介質(zhì)的損傷等。這些技術(shù)在半導(dǎo)體制程中都起著關(guān)鍵作用，但它們的材料對(duì)電子束非常敏感。

此外，與光學(xué)檢測(cè)方法相比，電子束檢測(cè)的速度要慢得多。在半導(dǎo)體制程不斷微縮的背景下，晶圓表面的缺陷和關(guān)鍵尺寸變得越來(lái)越小，需要更高的檢測(cè)精度和更快的檢測(cè)速度來(lái)滿足生產(chǎn)需求。然而，電子束逐點(diǎn)掃描的方式限制了其吞吐量的提升，成為制約電子束檢測(cè)設(shè)備性能的一個(gè)重要瓶頸。

面對(duì)上述挑戰(zhàn)，賈錫文表示，東方晶源正在開發(fā)low dose電子束成像技術(shù)和高頻探測(cè)器，應(yīng)對(duì)來(lái)自這兩方面的挑戰(zhàn)。同時(shí)，東方晶源也致力于電子束設(shè)備的智能化（AI）和全流程優(yōu)化（HPO）以提高電子束量檢測(cè)設(shè)備的效率。通過(guò)引入人工智能，進(jìn)行AI加速缺陷分類：應(yīng)用深度學(xué)習(xí)算法（如卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)）快速識(shí)別缺陷類型，減少人工分析時(shí)間；通過(guò)自適應(yīng)檢測(cè)路徑規(guī)劃：根據(jù)歷史數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)優(yōu)化掃描區(qū)域，聚焦高風(fēng)險(xiǎn)位置（如芯片邊緣）。

同時(shí)，賈錫文還強(qiáng)調(diào)，東方晶源從創(chuàng)立之初便提出HPO良率最大化技術(shù)路線和產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念。針對(duì)來(lái)自制程微縮與測(cè)試速度方面的挑戰(zhàn)，東方晶源致力于全面打通EDA、量測(cè)/檢測(cè)和Yield（良率）之間的壁壘，希望建立起有效的良率與管理的模型，從點(diǎn)到線然后再到面，為用戶提供一個(gè)全面的良率管理解決方案。

基于 HPO 技術(shù)路線，東方晶源現(xiàn)已成功推出了多款重量級(jí)產(chǎn)品，包括電子束量測(cè)和檢測(cè)設(shè)備、計(jì)算光刻軟件OPC、良率管理軟件 YieldBook等，形成多元化的芯片制造良率管理產(chǎn)品矩陣，并被國(guó)內(nèi)外眾多制造頭部企業(yè)認(rèn)可。

寫在最后

受益于強(qiáng)有力的國(guó)家戰(zhàn)略支持，中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域近年來(lái)取得了快速增長(zhǎng)，但對(duì)海外設(shè)備巨頭的依賴程度仍然很高，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在中高端及核心設(shè)備上仍有較大提升空間。當(dāng)?shù)?0臺(tái)電子束設(shè)備順利交付客戶產(chǎn)線時(shí)，東方晶源用數(shù)字宣告了國(guó)產(chǎn)高端量測(cè)與檢測(cè)設(shè)備的突破時(shí)刻。但這絕非終點(diǎn)，而是中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備自主化進(jìn)程中的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)折點(diǎn)——這家深耕電子束檢測(cè)領(lǐng)域十余載的頭部企業(yè)，正以技術(shù)排頭兵的姿態(tài)，撬動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的結(jié)構(gòu)性升級(jí)。

在先進(jìn)制程量檢測(cè)領(lǐng)域，東方晶源的技術(shù)突圍戰(zhàn)已全面開啟：量測(cè)方面，通過(guò)低劑量電子束成像技術(shù)攻克摩爾定律演進(jìn)中的精度難題，以適應(yīng)先進(jìn)制程發(fā)展需求；檢測(cè)方面，致力于高電壓、大電流、高分辨，以突破3D芯片結(jié)構(gòu)的檢測(cè)壁壘，解決先進(jìn)制程3D結(jié)構(gòu)對(duì)電子束發(fā)展技術(shù)的需求。同時(shí)，利用計(jì)算光刻軟件工具鏈并創(chuàng)新性引入AI深度學(xué)習(xí)與GPU異構(gòu)計(jì)算的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，對(duì)于采集到的納米級(jí)電子束圖像進(jìn)行AI賦能的超維分析，有望實(shí)現(xiàn)更好的關(guān)鍵尺寸均勻性（Critical Dimension Uniformity）的優(yōu)化。

當(dāng)前，東方晶源正致力于下一代設(shè)備的開發(fā)，發(fā)展目標(biāo)很明確——解決電子束量檢測(cè)設(shè)備“卡脖子”問題，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控方面要做出重要貢獻(xiàn)，做好排頭兵，不僅要在技術(shù)上自主可控，在供應(yīng)鏈上也要做好自主可控。不光要在點(diǎn)上100%對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭，同時(shí)，在線和面上也要全面擁抱創(chuàng)新，擁抱AI，實(shí)現(xiàn)超越。