東方晶源多年來深耕電子束檢測(cè)領(lǐng)域，其電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備EBI與關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備CD-SEM先后實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代零的突破，并獲市場(chǎng)認(rèn)可。

2023年初，東方晶源推出DR-SEM r600，搭配3通道電子成像技術(shù)與新型設(shè)備平臺(tái)，在客戶端完成量產(chǎn)驗(yàn)證，為后續(xù)開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。經(jīng)過兩年時(shí)間迭代研發(fā)，東方晶源最新一代DR-SEM r655產(chǎn)品將搭載全新的高性能電子槍和光學(xué)檢測(cè)模組，以及升級(jí)版?zhèn)髌到y(tǒng)和算法系統(tǒng)，突破一系列技術(shù)難點(diǎn)，滿足國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程產(chǎn)線應(yīng)用需求。

電子束檢測(cè)成像：5通道探測(cè)器覆蓋更廣泛的檢測(cè)需求

• 全方位缺陷表征：4個(gè)側(cè)向探測(cè)器支持全角度形貌掃描，顯著提升缺陷立體成像效果，助力工程師精準(zhǔn)判定缺陷類型與成因，尤其對(duì)淺刮傷等微小缺陷的復(fù)檢成功率提升明顯。

• 材料襯度解析優(yōu)化：頂端探測(cè)器增強(qiáng)背散射電子信號(hào)接收能力，精準(zhǔn)捕捉材料襯度差異，滿足先進(jìn)制程對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

• 高深寬比工藝兼容：配合高加速電場(chǎng)設(shè)計(jì)，適配高深寬比結(jié)構(gòu)檢測(cè)，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際成熟機(jī)型。

光學(xué)檢測(cè)升級(jí)：突破靈敏度極限

針對(duì)無圖形晶圓缺陷復(fù)檢需求，最新一代的r655通過兩項(xiàng)核心改進(jìn)實(shí)現(xiàn)突破：

• 光路優(yōu)化：調(diào)整缺陷接收光路，縮小與目標(biāo)缺陷尺寸的檢測(cè)差距。

• 深紫外光源系統(tǒng)：基于自研光路和定制開發(fā)的國(guó)產(chǎn)深紫外激光源，光學(xué)檢測(cè)靈敏度提升至20nm，未來可進(jìn)一步優(yōu)化性能。

效能躍升：產(chǎn)能對(duì)標(biāo)國(guó)際水平

r655通過平臺(tái)級(jí)升級(jí)，全面優(yōu)化晶圓吞吐效率：

• 傳輸與運(yùn)動(dòng)控制：縮短晶圓傳輸時(shí)間，配合新一代電子光學(xué)系統(tǒng)加速缺陷抓取，處理速度接近國(guó)際一線設(shè)備。

• 模塊化擴(kuò)展設(shè)計(jì)：新平臺(tái)具備靈活的可拓展性，支持多個(gè)選配模組和升級(jí)需求，兼容先進(jìn)制程的多樣化檢測(cè)需求，確保設(shè)備長(zhǎng)期技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。

未來布局：智能化與國(guó)產(chǎn)化深度融合

東方晶源以“高性能優(yōu)化（HPO）”為核心理念，前瞻性整合DR-SEM與GDS-Design系統(tǒng)，通過智能算法提升缺陷抓取率，推動(dòng)檢測(cè)流程自動(dòng)化。此舉旨在通過自主創(chuàng)新，突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，走出自研設(shè)備的道路，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供堅(jiān)實(shí)支撐。

結(jié)語

從技術(shù)攻堅(jiān)到產(chǎn)能突破，東方晶源DR-SEM系列產(chǎn)品持續(xù)以務(wù)實(shí)創(chuàng)新回應(yīng)市場(chǎng)需求。r655的推出，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)電子束檢測(cè)設(shè)備在精度、效率與智能化領(lǐng)域邁入新階段，為我國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)制程發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。