天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“SONOS存儲器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年12月27日，申請公布號為CN119212394A。

本發(fā)明提供一種SONOS存儲器件及其制備方法，包括：提供基底，基底上形成電荷存儲層、多晶硅柵材料層和硬掩膜層；自對準(zhǔn)刻蝕工藝在硬掩膜層中形成兩個分立的氧化層；自對準(zhǔn)刻蝕去除兩個氧化層暴露出的多晶硅柵材料層，以形成兩個分立的多晶硅柵極；形成側(cè)墻，隔離側(cè)墻填充兩個多晶硅柵極之間的間隙；邊側(cè)側(cè)墻覆蓋兩個多晶硅柵極各自遠(yuǎn)離隔離側(cè)墻一側(cè)的側(cè)壁；向邊側(cè)側(cè)墻各自遠(yuǎn)離隔離側(cè)墻一側(cè)的基底中進(jìn)行源漏重?fù)诫s離子注入。本發(fā)明增大存儲密度，省去兩個存儲管之間共用的源端以及各自靠近源端一側(cè)的側(cè)墻，直接用隔離側(cè)墻來隔離兩個存儲管，可有效縮減存儲單元的面積。兩個存儲管使用自對準(zhǔn)工藝形成，一致性高，提升存儲單元的均一性。