天眼查顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司近日取得一項名為“CMOS圖像傳感器的制造方法”的專利，授權公告號為CN114242742B，授權公告日為2024年12月6日，申請日為2021年12月16日。

本發(fā)明公開了一種CMOS圖像傳感器的制造方法，包括：步驟一、在柵極結構的側面形成側墻，包括：沉積第一介質(zhì)層；對第一介質(zhì)層進行側墻刻蝕工藝，由保留在各柵極結構的側面的第一介質(zhì)層自對準形成側墻；在側墻外保留有第一厚度的第一介質(zhì)層；步驟二、在感光二極管的形成區(qū)域中進行第二導電類型重摻雜的離子注入以形成針扎層，針扎層的離子注入會穿過第一介質(zhì)層，利用第一厚度防止針扎層的離子注入對半導體襯底表面產(chǎn)生損傷；步驟三、進行側墻刻蝕后清洗工藝，第一介質(zhì)層會產(chǎn)生損耗并減少為第二厚度；步驟四、進行源漏注入形成對應的源漏區(qū)。本發(fā)明能減少CMOS圖像傳感器的白點，同時不影響源漏注入工藝且不會增加工藝成本。