天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“拓?fù)浔Ｗo(hù)光子線路設(shè)計(jì)方法及相關(guān)設(shè)備”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年8月21日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119133083A。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N集成半導(dǎo)體器件及其制備方法，其中集成半導(dǎo)體器件的制備方法中，采用DTI（第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)、第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)）和SOI（底層硅襯底、中間氧化層和頂層硅襯底）結(jié)合，形成全介質(zhì)隔離，從而完全隔離SOI上的CMOS器件（本實(shí)施例以NMOS器件為例）和LDMOS器件，提高了芯片整體的抗EMI能力，并完全杜絕寄生雙極效應(yīng)，消除了閂鎖的風(fēng)險(xiǎn)，從而提升了電路工作可靠性。