天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“改善臺面結(jié)構(gòu)削角的方法”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119542136A。

本發(fā)明提供一種改善臺面結(jié)構(gòu)削角的方法，提供襯底，在襯底上形成ONO層，在ONO層及其下方的襯底上形成深溝槽；利用熱氧化的方法在深溝槽表面形成第三氧化層，利用回刻蝕的方法控制氮化層相對于臺面結(jié)構(gòu)的突出量為第一長度；依次在深溝槽中形成第四氧化層和第一多晶硅層，回刻蝕第一多晶硅層至所需高度；在第一多晶硅層上形成第五氧化層，在第五氧化層上形成光刻膠層，光刻膠層相對于第一多晶硅層的突出量為第二長度；以光刻膠層和氮化層作為刻蝕阻擋層，利用刻蝕的方法在臺面結(jié)構(gòu)和深溝槽之間形成淺溝槽，去除光刻膠層和剩余的ONO層；依次在淺溝槽中形成第六氧化層和第二多晶硅層，回刻蝕第二多晶硅層至所需高度。本發(fā)明能夠改善臺面結(jié)構(gòu)的削角問題。