天眼查消息顯示，近日，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司取得一項(xiàng)名為“溝槽柵的制造方法”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)為CN114220734B，授權(quán)公告日為2024年12月10日，申請(qǐng)日為2021年12月13日。

本發(fā)明公開(kāi)了一種溝槽柵的制造方法，包括：步驟一、在半導(dǎo)體襯底表面形成溝槽。步驟二、形成第一氧化層，第一氧化層形成后需要使溝槽的頂部保持為開(kāi)口狀態(tài)。步驟三、沉積第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層形成后需要使溝槽的頂部開(kāi)口封閉并在溝槽內(nèi)部形成一個(gè)被第二介質(zhì)層所包圍的空腔。步驟四、對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行第一次回刻將空腔外暴露的第二介質(zhì)層去除且保證空腔頂部封口處的第二介質(zhì)層保留。步驟五、以空腔周側(cè)的第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)第一氧化層進(jìn)行從頂部到底部的第二次刻蝕以形成柵極底部氧化層。步驟六、去除第二介質(zhì)層。步驟七、進(jìn)行柵氧化層的生長(zhǎng)。本發(fā)明能簡(jiǎn)化BTO的形成工藝，從而能降低工藝成本。