在臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電表示無需使用High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)來制造其A14 (1.4nm) 工藝的芯片。

臺(tái)積電在研討會(huì)上介紹了A14工藝，并表示預(yù)計(jì)將于2028年投入生產(chǎn)。此前，臺(tái)積電曾表示A16工藝將于2026年底問世，而且也不需要使用High NA EUV光刻設(shè)備。

據(jù)悉，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Kevin Zhang表示：“從2nm到A14，我們無需使用High NA，但我們可以繼續(xù)保持類似的工藝步驟復(fù)雜性。”

這與英特爾形成鮮明對(duì)比，英特爾一直積極采用High NA，力求追趕半導(dǎo)體代工市場(chǎng)領(lǐng)頭羊臺(tái)積電和三星。英特爾是首家獲得ASML High NA EUV光刻機(jī)的公司，并計(jì)劃于2025年開始在Intel 18A制程中采用High NA EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片。

一切都與價(jià)格有關(guān)

臺(tái)積電遲遲未采用該技術(shù)的關(guān)鍵原因可能是ASML的High NA光刻機(jī)定價(jià)過高。據(jù)稱，High NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為3.8億美元，是上一代Low NA EUV光刻機(jī)（約1.8億美元）的兩倍多。

臺(tái)積電顯然已經(jīng)計(jì)算出，使用Low NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行多次圖案化更具成本效益，并且生產(chǎn)線的停留時(shí)間會(huì)略長(zhǎng)。此外，使用當(dāng)前一代設(shè)備，臺(tái)積電還將受益于其已證實(shí)的卓越良率。

英特爾是否會(huì)繼續(xù)積極擁抱這項(xiàng)技術(shù)還有待觀察，因?yàn)橛⑻貭柲壳案鼡Q了新任CEO陳立武（Lip-Bu Tan），而陳立武對(duì)英特爾代工廠的計(jì)劃尚未完全披露。

英特爾與臺(tái)積電或有新合作

陳立武告訴分析師，他最近會(huì)見了臺(tái)積電CEO魏哲家和臺(tái)積電創(chuàng)始人兼前董事長(zhǎng)張忠謀?！皬堉抑\和魏哲家是我的老朋友。我們最近也見了面，試圖尋找可以合作的領(lǐng)域，從而實(shí)現(xiàn)雙贏?！?/p>

臺(tái)積電A14制程的首款產(chǎn)品并未采用背面供電技術(shù)。而支持背面供電技術(shù)的A14P工藝將于2029年推出，其高性能版本A14X可能成為High NA EUV光刻技術(shù)的候選產(chǎn)品。

即使英特爾和三星繼續(xù)采用High NA EUV光刻技術(shù)，以在尖端工藝方面追趕臺(tái)積電，他們也面臨著開發(fā)成本的挑戰(zhàn)。通過在這一領(lǐng)域的開拓，他們預(yù)計(jì)將為臺(tái)積電鋪平道路，當(dāng)臺(tái)積電認(rèn)為采用High NA EUV光刻具有成本效益時(shí)，將會(huì)引入并使用這一先進(jìn)技術(shù)。（校對(duì)/李梅）