臺(tái)積電、英特爾與三星競(jìng)逐制程技術(shù)，持續(xù)受到各界矚目。相較于英特爾將于2026年量產(chǎn)18A時(shí)導(dǎo)入高數(shù)值孔徑極紫外光技術(shù)，臺(tái)積電2028年量產(chǎn)A14制程仍不會(huì)采用，兩大廠策略大不同，主要是臺(tái)積電基于成本效益考量。

英特爾（Intel）前執(zhí)行長(zhǎng)季辛格（Pat Gelsinger）先前認(rèn)為，反對(duì)使用艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）設(shè)備是錯(cuò)誤決策，拖累英特爾晶圓代工事業(yè)欠缺能力。使得外界高度關(guān)注英特爾與臺(tái)積電導(dǎo)入高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設(shè)備進(jìn)展，并視為雙方競(jìng)逐制程技術(shù)的指標(biāo)。

臺(tái)積電在去年技術(shù)論壇釋出A16制程不會(huì)采用High-NA EUV設(shè)備的消息，當(dāng)時(shí)全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)說(shuō)，他喜歡High-NA EUV設(shè)備的性能，但不喜歡它的價(jià)格，成本非常高。

英特爾則傳出已全數(shù)包下ASML當(dāng)年預(yù)計(jì)制造的5臺(tái)High-NA EUV設(shè)備，與臺(tái)積電策略大相徑庭，引發(fā)各界矚目。

臺(tái)積電在日前的技術(shù)論壇進(jìn)一步釋出A14制程也不會(huì)采用High-NA EUV設(shè)備；反觀英特爾預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)18A時(shí)就將導(dǎo)入High-NA EUV技術(shù)，再度引發(fā)熱議。

張曉強(qiáng)說(shuō)明，臺(tái)積電在每代制程技術(shù)都試圖將光罩增加數(shù)量控制在最低，這對(duì)成本效益至關(guān)重要。 A14制程不采用High-NA EUV設(shè)備關(guān)鍵就在于成本效益；若使用High-NA EUV技術(shù)，制程成本可能比傳統(tǒng)EUV高出多達(dá)2.5倍。

據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，臺(tái)積電與三星（Samsung）在改采環(huán)繞閘極（GAA）架構(gòu)的策略也大不同。臺(tái)積電決定今年下半年量產(chǎn)的2奈米制程才改采GAA架構(gòu)，三星則搶先在3奈米制程改采GAA架構(gòu)。

業(yè)者指出，外界原先預(yù)期三星在GAA架構(gòu)發(fā)展將挾經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)，可望在2奈米制程超前臺(tái)積電，結(jié)果臺(tái)積電3奈米制程穩(wěn)定度高，充分掌握近幾年AI龐大商機(jī)，2奈米也進(jìn)展順利，將如期于今年下半年量產(chǎn)，并持續(xù)居領(lǐng)先地位。因此單以英特爾搶先使用High-NA EUV技術(shù)，仍難以論定英特爾就能搶回領(lǐng)導(dǎo)地位。