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盛美上海亮相SEMICON CHINA 2025!平臺化戰(zhàn)略夯實設備龍頭地位

來源:愛集微 #盛美上海# #SEMICON#
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3月26日—28日,備受業(yè)內矚目的SEMICON CHINA 2025在上海新國際博覽中心盛大舉行,大會匯集全球半導體頂級行業(yè)領袖、國內外產業(yè)巨頭、快速增長的新興企業(yè)及眾多權威人士,分享全球半導體產業(yè)格局、創(chuàng)新技術,共探半導體產業(yè)的未來發(fā)展趨勢、技術革新與市場機遇。

作為半導體設備領域的佼佼者,盛美半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱:“盛美上?!保y最新的半導體制造技術和創(chuàng)新解決方案亮相展會,展示其在先進制造、工藝優(yōu)化和智能化設備方面的卓越實力,為推動行業(yè)進步和技術突破貢獻力量。

在本次展會上,盛美上海展出了Tahoe-SPM清洗設備、單片高溫硫酸清洗設備、單片清洗及超臨界二氧化碳干燥設備、邊緣濕法刻蝕設備、面板級先進封裝電鍍設備、原子層沉積爐管設備、PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)設備、Track(前道涂膠顯影)設備等多款代表性創(chuàng)新產品,充分彰顯了盛美上海在滿足全球半導體行業(yè)多樣化需求、推動技術進步和行業(yè)發(fā)展的強大實力。

持續(xù)完善七大板塊設備布局 平臺化戰(zhàn)略拓寬增長空間

盛美上海專注于對先進集成電路(IC)制造、先進晶圓級封裝制造及大硅片制造領域半導體設備研發(fā)、生產和銷售,堅持“技術差異化”和“產品平臺化”戰(zhàn)略,成功布局清洗設備、電鍍設備、先進封裝濕法設備、立式爐管設備、Track(前道涂膠顯影)設備、PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)設備和面板級封裝設備等七大板塊產品,覆蓋了半導體制造過程中的多個關鍵工藝步驟。


值得一提的是,盛美上海本次展出的Tahoe-SPM清洗設備、單片高溫硫酸清洗設備以及單片清洗及超臨界二氧化碳干燥設備,進一步鞏固了其在清洗設備領域的行業(yè)領先地位。在芯片制造流程中,光刻、刻蝕、沉積等重復性工序后均設置了清洗工序,清洗步驟數量約占所有芯片制造工序步驟的30%以上。盛美上海在清洗設備領域持續(xù)發(fā)力,目前清洗設備已經覆蓋95%工藝步驟應用,所有產品都具有自主知識產權,擁有多項原創(chuàng)技術。

以Tahoe-SPM清洗設備為例,2024年11月,盛美上海前段半導體制造清洗設備Ultra C Tahoe取得重要性能突破。Ultra C Tahoe專利混合架構率先實現將槽式清洗模塊和單片晶圓清洗腔體結合到同一SPM設備中。該架構具備更強的清洗性能、更高的產能和更好的工藝靈活性。在中低溫硫酸(SPM)清洗工藝中,Ultra C Tahoe可以達到獨立單片晶圓清洗設備的效果,并可減少高達75%的化學品消耗。目前,多家大型晶圓廠客戶已將升級后的Ultra C Tahoe投入生產。

盛美上海的單片高溫硫酸清洗設備,其特別的專利申請保護nozzle設計可以防止高溫SPM濺射到腔體外,有效改善腔體氛圍,將為未來幾代芯片制造中13-19nm的微細顆粒清洗提供有效的解決方案。

得益于盛美上海在清洗設備領域的持續(xù)研發(fā)和技術的持續(xù)精進,如今,盛美上海在清洗設備領域已布局形成SAPS兆聲波清洗設備、TEBO兆聲波清洗設備(在圖形硅片上實現無破壞清洗)、Tahoe清洗設備、單晶圓清洗設備、背面清洗設備、邊緣刻蝕清洗設備、刷洗設備、槽式濕法清洗設備等完整產品線,并通過SAPS、TEBO、Tahoe三大差異化核心技術構筑起清洗設備技術壁壘,不斷夯實清洗設備領域的龍頭企業(yè)地位。

與此同時,盛美上?;谠谇逑丛O備上的競爭優(yōu)勢,持續(xù)推進“產品平臺化”策略,擴大晶圓制造不同環(huán)節(jié)產品組合,將產品布局從清洗延伸PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)設備、立式爐管設備、Track(前道涂膠顯影)設備等領域。

盛美上海自成立以來,始終專注于銅互連技術的研究與開發(fā),是全球較早進入水平電鍍領域并自主掌握電鍍核心技術的企業(yè)之一。憑借自主研發(fā)的電鍍技術,盛美上海在前道雙大馬士革工藝、先進封裝、3D TSV(硅通孔)以及第三代半導體應用領域均取得顯著突破。

PECVD是薄膜沉積工藝中運用最廣泛的設備種類,2022年12月,盛美上海推出了自研的Ultra Pmax PECVD設備。Ultra Pmax PECVD設備配置了采用自主知識產權的腔體(一個腔體內三個卡盤)和氣體分配裝置,能夠提供更好的薄膜均勻性,更小的薄膜應力和更少的顆粒特性。

盛美上海的Ultra Fn A ALD立式爐設備產品包括熱原子層沉積(Thermal ALD)和等離子體增強原子層沉積(PEALD)兩種配置。據悉,其2024年推出的Ultra Fn A等離子增強型原子層沉積爐管設備已初步通過中國大陸一家半導體客戶的工藝驗證,正在進行最后優(yōu)化和為邁入量產做準備;2022年推出的Ultra Fn A熱原子層沉積爐設備也已成功通過另一家領先的中國大陸客戶的工藝驗證,性能參數對標同類國際競品。

此外,據了解,盛美上海涂膠顯影Track設備是一款應用于300mm晶圓工藝的設備,可提供均勻的下降氣流、高速穩(wěn)定的機械手處理以及強大的軟件系統(tǒng),從而滿足客戶特定需求。該設備功能多樣,能夠降低產品缺陷率,提高產能,節(jié)約總體擁有成本(COO)。盛美上海的前道涂膠顯影Track設備支持300WPH的KrF工藝,未來可拓展至i-line、ArFi等光刻工藝,可滿足半導體集成電路制造商的光刻工藝需求。

盛美上海在“技術差異化”和“產品平臺化”戰(zhàn)略下,穩(wěn)步推進客戶全球化,加大市場開拓力度,推動公司營業(yè)收入穩(wěn)步提升。2024年,盛美上海實現營業(yè)收入56.18億元,同比增長44.48%;歸母凈利潤11.53億元,同比增長26.65%;扣非凈利潤達11.09億元,同比增長27.79%。

把握產業(yè)前沿趨勢 推動面板級封裝設備創(chuàng)新與技術突破

人工智能(AI)芯片的需求呈現出的爆發(fā)式增長,帶動了先進封裝技術的快速發(fā)展。扇出型面板級封裝(FOPLP)作為先進封裝的重要分支,成為打破當下CoWoS在AI芯片先進封裝獨霸局面的“潛力股”。盛美上海敏銳捕捉到這一商機,及時把握市場趨勢,積極布局相關技術和產品,推出了面向先進封裝的面板級水平電鍍設備Ultra ECP ap-p、負壓清洗設備Ultra C vac-p以及邊緣刻蝕設備Ultra C bev-p。

盛美上海Ultra ECP ap-p面板級電鍍設備針對面板級封裝環(huán)節(jié)的技術難題,提出了創(chuàng)新性的解決方案,可用于RDL的Cu(銅)電鍍以及bump,Cu/Ni/SnAg的電鍍。該設備采用盛美上海自主研發(fā)的獨家水平式電鍍技術,具有良好的均勻性和精度,避免了電鍍液之間的交叉污染,提升芯片質量的同時提高了效率并降低了成本。該設備可加工尺寸為310x310mm、515x510mm、600x600mm的面板。面板級封裝將成為AI芯片封裝的趨勢。憑借在面板級封裝設備領域的原始創(chuàng)新及技術突破,該設備于2025年3月一舉斬獲由美國3D InCites協會頒發(fā)的“Technology Enablement Award”大獎。

盛美上海新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設備專為銅相關工藝中的邊緣刻蝕和清洗而設計,能夠同時處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕,顯著提升了工藝效率和產品可靠性。Ultra C bev-p設備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計的濕法刻蝕工藝,在扇出型面板級封裝技術中起到至關重要的作用。該工藝對于有效避免電氣短路、最大限度降低污染風險、保持后續(xù)工藝步驟的完整性至關重要,有助于確保器件經久耐用。該設備的高效性主要得益于盛美上海的專利技術,以應對方形面板襯底所帶來的獨特挑戰(zhàn)。

此外,盛美上海Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備專為面板而設計,該面板材料可以是有機材料或者玻璃材料。該設備可處理510x515mm和600x600mm的面板以及高達7mm的面板翹曲。該設備可以解決在底部填充之前清除助焊劑殘留物時,小凸起間距(小于40μm)和大尺寸芯片處理困難的問題,顯著提高清洗效率。

寫在最后

盛美上海憑借其強大的研發(fā)實力和對行業(yè)趨勢的敏銳洞察,在SEMICON CHINA 2025展會中展現了其在半導體設備領域的卓越技術和創(chuàng)新能力。從清洗設備到PECVD,再到面板級封裝設備,盛美上海始終走在行業(yè)的前沿,致力于推動半導體產業(yè)的技術進步和發(fā)展。未來,隨著AI芯片需求的不斷增長和半導體技術的不斷革新,盛美上海將繼續(xù)在全球半導體產業(yè)中占據重要地位,推動行業(yè)向著更高效、更智能的方向邁進,迎接更加廣闊的發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)。

(校對/孫樂)

責編: 愛集微
來源:愛集微 #盛美上海# #SEMICON#
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