天眼查顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司“硅片拋光方法和硅片拋光設(shè)備”專利公布，申請公布日為2025年2月28日，申請公布號為CN119526238A。

本申請?zhí)峁┝斯杵瑨伖夥椒ê凸杵瑨伖庠O(shè)備，硅片拋光設(shè)備的模板組件包括薄膜基部和環(huán)部，所述環(huán)部自所述薄膜基部的邊緣延伸以形成用于保持硅片的凹槽，所述環(huán)部設(shè)置有伸縮單元，所述方法包括：在所述硅片的拋光過程中，檢測所述環(huán)部的磨損應(yīng)力，以得到應(yīng)力數(shù)據(jù)；在所述應(yīng)力數(shù)據(jù)未處于目標(biāo)數(shù)值范圍內(nèi)的情況下，調(diào)整所述伸縮單元的長度，以改變所述凹槽的深度。本申請通過監(jiān)測環(huán)部的磨損應(yīng)力并自動調(diào)整伸縮單元的長度，實(shí)現(xiàn)了TA尺寸的自動調(diào)節(jié)，提高了設(shè)備的自動化水平和稼動率，能夠有效減少TA因磨損應(yīng)力過大而導(dǎo)致的過度磨損，延長了TA的使用壽命。此外，自動調(diào)控TA尺寸，能夠保障硅片邊緣的去除量在合理水平，提升硅片的邊緣平整度和產(chǎn)品質(zhì)量。