天眼查顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司“用于晶圓外延生長(zhǎng)的基座和裝置”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年2月28日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119530959A。

本發(fā)明提供了一種用于晶圓外延生長(zhǎng)的基座和裝置，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，所述用于晶圓外延生長(zhǎng)的基座包括：用于承載晶圓的圓盤形承載結(jié)構(gòu)；圓盤形承載結(jié)構(gòu)包括N個(gè)第一扇形區(qū)和N個(gè)第二扇形區(qū)，第一扇形區(qū)以晶圓的<110>晶向?qū)?yīng)的徑向方向?yàn)橹行妮S，第二扇形區(qū)以晶圓的<100>晶向?qū)?yīng)的徑向方向?yàn)橹行妮S，N為正整數(shù)；每一個(gè)第一扇形區(qū)的邊緣區(qū)域的厚度大于除邊緣區(qū)域之外的內(nèi)部區(qū)域的厚度；每一個(gè)第二扇形區(qū)的厚度是均勻的。本發(fā)明可以控制基座的邊緣區(qū)域和中心區(qū)域分別與晶圓之間的溫度差不同，進(jìn)而與晶圓的不同生長(zhǎng)速率產(chǎn)生的不同厚度值相互作用，使得晶圓整體的厚度更為均勻，提高晶圓的Nano品質(zhì)。