長(zhǎng)城電源已在其面向 AI 數(shù)據(jù)中心的鈦金級(jí)電源中采用 Innoscience 氮化鎵 (InnoGaN) 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了 96% 以上的超高電源轉(zhuǎn)換效率，超越全球最高80PLUS 鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。

隨著人工智能、云計(jì)算和數(shù)據(jù)挖掘等應(yīng)用的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)算力的需求顯著提升。根據(jù)國(guó)際能源署 (IEA) 的數(shù)據(jù)，到 2030 年，全球數(shù)據(jù)中心的電力消耗將達(dá)到 3000 太瓦時(shí)，相當(dāng)于全球總電力消耗的 10%。相比之下，2025 年全球數(shù)據(jù)中心的電力消耗約為 4%。

限制數(shù)據(jù)中心電力消耗大幅增長(zhǎng)的一個(gè)關(guān)鍵因素是電源轉(zhuǎn)換效率。傳統(tǒng)的硅基電源轉(zhuǎn)換效率較低，導(dǎo)致了高達(dá) 10% 的功率損耗。對(duì)于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的 10 兆瓦數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，這相當(dāng)于每年浪費(fèi) 900 萬(wàn)千瓦的電力。

電源轉(zhuǎn)換效率每提高 1%，就能節(jié)省數(shù)億元人民幣的電力消耗。GaN 基電源的更高效率能夠幫助消除這種浪費(fèi)。同時(shí)，GaN 還能實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)功率密度，從而降低 BOM 成本，并消除 BOM 元件的浪費(fèi)（“去物質(zhì)化”）。這也有利于降低溫室氣體排放。

針對(duì)服務(wù)器電源的能耗困局，英諾賽科率先推出采用To-247-4封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的E-GaN功率IC（ISG612xTD SolidGaN），耐壓700V，Rdson 范圍為 22~59m?。該系列產(chǎn)品集成精密Vgs柵極驅(qū)動(dòng)器，具備快速短路保護(hù)和出色的熱性能，能夠滿足 Titanium Plus 效率的高頻開(kāi)關(guān)，相比傳統(tǒng)方案，功率密度提高一倍以上。

OCTC《高功率密度服務(wù)器電源模塊化設(shè)計(jì)白皮書(shū)（2024）》顯示，在占服務(wù)器80%運(yùn)行時(shí)間、處于20%-50%的典型負(fù)載區(qū)間時(shí)，氮化鎵鈦金電源轉(zhuǎn)換效率可穩(wěn)定在95.5%-96%以上，有效避免了因 “效率斷層” 導(dǎo)致的隱性能耗。長(zhǎng)城服務(wù)器電源率先采用英諾賽科合封芯片 ISG6122TD和ISG6123TD，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，在20%-50%典型負(fù)載區(qū)間較傳統(tǒng)電源提升達(dá)4個(gè)百分點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)96%的轉(zhuǎn)換效率。據(jù)測(cè)算，采用氮化鎵鈦金電源方案，每萬(wàn)臺(tái)服務(wù)器每年可節(jié)省電費(fèi)超200萬(wàn)元，發(fā)熱量減少50%，帶動(dòng)空調(diào)能耗降低18%。有力推動(dòng)智算中心PUE向1.2以下突破，實(shí)現(xiàn)了 “節(jié)能 + 散熱” 的雙重收益 。

長(zhǎng)城電源和英諾賽科協(xié)同合作，快速推動(dòng)氮化鎵鈦金電源的產(chǎn)業(yè)化普及，實(shí)現(xiàn)了氮化鎵在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域從概念到應(yīng)用的飛躍，助力智算中心供電體系從器件革新到能源系統(tǒng)重構(gòu)。當(dāng)前英諾賽科已與行業(yè)眾多數(shù)據(jù)中心廠商展開(kāi)合作，開(kāi)發(fā)了完備的產(chǎn)品與方案，相信在不久的將來(lái)就能實(shí)現(xiàn)全鏈路氮化鎵數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)，助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能降碳！