天眼查顯示，盛合晶微半導(dǎo)體(江陰)有限公司“一種具有掩埋式電源軌的集成封裝結(jié)構(gòu)的制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年2月14日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119446916A。

本發(fā)明提供一種具有掩埋式電源軌的集成封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，通過在第一半導(dǎo)體基底的正面進(jìn)行氧離子注入，經(jīng)過高溫退火之后氧離子與硅反應(yīng)形成第一氧化硅層，在進(jìn)行研磨時(shí)第一氧化硅層替代鍺硅層作為減薄停止層，而在第一半導(dǎo)體基底的正面生長(zhǎng)外延硅并在外延硅上制備STI溝槽和掩埋式電源軌，并在第一半導(dǎo)體基底的背面形成納米硅通孔與掩埋式電源軌電連接，由于在第一半導(dǎo)體基底的正面生長(zhǎng)外延硅的技術(shù)要求相比于在第一半導(dǎo)體基底的正面外延鍺硅層更簡(jiǎn)單，在實(shí)際生產(chǎn)過程中更加容易控制，再加上無需再使用濕法刻蝕溶液去除鍺硅層，從而不會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生損傷，大幅度提高了生產(chǎn)良率，進(jìn)一步地，外延硅對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低，從而降低了生產(chǎn)成本。