“中國半導(dǎo)體行業(yè)正以自主創(chuàng)新的決心，在全球產(chǎn)業(yè)變革中書寫自己的方案?！敝袊こ淘涸菏?，華中科技大學(xué)校長尤政在開幕致辭中表示，華中科技大學(xué)要在這個過程中力爭成為全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的策源地，推動構(gòu)筑產(chǎn)業(yè)生態(tài)協(xié)同創(chuàng)新的共同體，助力光谷建成為具有全球競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)群，培育出行業(yè)頂尖人才與創(chuàng)新文化底蘊。

中國工程院院士，華中科技大學(xué)校長尤政

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長陳南翔指出，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要堅定發(fā)展信心，直面各種挑戰(zhàn)。在洞察產(chǎn)業(yè)大勢的前提下，推動產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，并且要堅持開放協(xié)同，成為全球化合物半導(dǎo)體的價值創(chuàng)造者。最后他發(fā)出誠摯邀約，共赴武漢光谷這片發(fā)展熱土。

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長陳南翔

本屆大會嘉賓陣容堪稱鼎盛：中國科學(xué)院院士李樹深，中國科學(xué)院院士、南昌實驗室主任江風(fēng)益，中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記張榮，中國科學(xué)院院士、武漢大學(xué)教授劉勝，瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士Lars Samuelson以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等院士專家蒞臨現(xiàn)場；粵芯半導(dǎo)體董事長陳謹、華工科技董事長馬新強、英諾賽科董事長駱薇薇等企業(yè)界代表齊聚一堂。

在精彩報告與高峰對話環(huán)節(jié)，來自學(xué)術(shù)界、企業(yè)界的重磅嘉賓圍繞化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與產(chǎn)業(yè)趨勢展開深度交流，勾勒行業(yè)發(fā)展新圖景。

北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授沈波在報告中指出，以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體有不可替代的優(yōu)異性質(zhì)，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，是國家重大需求和國際高科技產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，而我國在第三代半導(dǎo)體光電子、射頻電子和功率電子領(lǐng)域均建立了較為完整的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)體系?？萍疾?、工信部等中央部委和廣東、江蘇、湖北等地方政府以設(shè)立重大、重點專項等方式對第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)給與了大力支持和扶持，極大的促進了我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授沈波

英諾賽科公司首席執(zhí)行官吳金剛認為，因為性能和價格的優(yōu)勢，GaN FET將有望取代傳統(tǒng)的Si MOS占有市場，預(yù)計GaN功率半導(dǎo)體市場將呈指數(shù)級增長，由2024年的人民幣32.28億元增長至2028年的人民幣501.4億元，復(fù)合年增長率為98.5%。面對這一戰(zhàn)略機遇，吳金剛建議國內(nèi)企業(yè)不斷提升產(chǎn)能，打造生態(tài)體系并建立自己的行業(yè)標準。

英諾賽科公司首席執(zhí)行官吳金剛

長安汽車智能化研究院副總經(jīng)理易綱指出，伴隨芯片技術(shù)變革與全新產(chǎn)品屬性升級，整車架構(gòu)正朝著 “類人化” 智能體系演進，推動系統(tǒng)向高壓化、集成化迭代，功能從單一硬件驅(qū)動轉(zhuǎn)向 “服務(wù)化” 賦能，實現(xiàn)車輛 “智商”（智能決策能力）與 “情商”（人機交互體驗）的雙重進化。因此，要構(gòu)建新型產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同關(guān)系，通過深度打通整車、零部件與芯片三大鏈條，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈在有序協(xié)同中實現(xiàn)能級躍升。

長安汽車智能化研究院副總經(jīng)理易綱

華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院院長、國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺主任繆向水在報告中表示，在高密度存儲方向，硫系化合物相變材料憑借其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與低損耗特性，有望突破三維堆疊與多態(tài)存儲的瓶頸。在全光計算領(lǐng)域，其更是實現(xiàn)片上光計算與類腦信息處理的關(guān)鍵材料候選。華中科技大學(xué)將繼續(xù)開發(fā)具備更高光學(xué)對比度、低吸收、長壽命材料，在3D堆疊結(jié)構(gòu)中引入異構(gòu)集成與熱-電-光協(xié)同設(shè)計，構(gòu)建具備“存算融合'與“異構(gòu)協(xié)同”能力的原型系統(tǒng)。

華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院院長、國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺主任繆向水

華工正源光子技術(shù)有限公司總經(jīng)理胡長飛圍繞光模塊在數(shù)據(jù)中心及 AI 領(lǐng)域的應(yīng)用展開分享，著重闡述了光模塊在提升數(shù)據(jù)傳輸效率、降低能耗及運營成本中的關(guān)鍵作用。他指出，隨著算力需求爆發(fā)式增長，光模塊技術(shù)正沿著 “更高速率、更低功耗、更優(yōu)成本” 的路徑加速演進，技術(shù)演進路徑清晰，每通道速率從 100G、200G 持續(xù)突破至 400G 及以上，并通過引入新型材料與先進封裝工藝，不斷提升集成度與傳輸效率。胡長飛還介紹了公司圍繞 AI 算力需求開發(fā)的多元化產(chǎn)品矩陣，包括基于 DSP的高速率光模塊系列，為數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)升級提供了國產(chǎn)化解決方案。

華工正源光子技術(shù)有限公司總經(jīng)理胡長飛

深圳方正微電子有限公司副總裁彭建華表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正經(jīng)歷深度遷移與重塑，東方力量在這一進程中迅速崛起。方正微敏銳捕捉產(chǎn)業(yè)變革機遇，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)加大投入，研發(fā)費用及產(chǎn)線建設(shè)累計實際投入均位居國內(nèi)行業(yè)首位。目前，公司已構(gòu)建起覆蓋 SiC 產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計、外延及晶圓制造、器件與模組封測到終端服務(wù)的全流程 IDM 一體化平臺，可提供包括 SiC 晶圓、功率器件、模組在內(nèi)的系列化產(chǎn)品及技術(shù)解決方案，以全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢賦能新能源汽車、可再生能源等戰(zhàn)略領(lǐng)域。

深圳方正微電子有限公司副總裁彭建華

安世半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體、IGBT業(yè)務(wù)高級副總裁Edoardo Merli介紹了公司針對寬禁帶半導(dǎo)體和IGBT業(yè)務(wù)的洞察和規(guī)劃。安世半導(dǎo)體的目標是成為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計和制造商，將繼續(xù)投資創(chuàng)新，擴大市場份額，并進入新的領(lǐng)域，如寬禁帶技術(shù)和IGBT模塊。安世半導(dǎo)體在全球范圍內(nèi)擁有強大的制造實力和市場基礎(chǔ)，尤其是在歐洲和中國，并計劃通過持續(xù)改進技術(shù)和擴大產(chǎn)品組合來維持其市場領(lǐng)先地位。

安世半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體、IGBT業(yè)務(wù)高級副總裁Edoardo Merli

山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理李斌指出，國內(nèi)SiC企業(yè)在8英寸到12英寸襯底技術(shù)迭代中進展迅猛，憑借長期數(shù)據(jù)積累與擴徑工藝的關(guān)鍵突破，已形成顯著的技術(shù)推進優(yōu)勢。他強調(diào)，高純半絕緣SiC襯底在AR眼鏡及散熱封裝領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢，隨著工藝成熟正加速推進產(chǎn)業(yè)化進程，成為當前碳化硅襯底行業(yè)的競爭新焦點。尤其在AR顯示領(lǐng)域，SiC材料因在光波導(dǎo)應(yīng)用中的獨特性能，伴隨單位面積制造成本持續(xù)下降，其在AR終端核心部件中的產(chǎn)業(yè)化價值愈發(fā)凸顯，有望推動相關(guān)細分市場快速落地。

本屆展會規(guī)模再創(chuàng)新高，展覽面積達2萬平方米，六大主題展區(qū)覆蓋從材料到設(shè)計、設(shè)備、制造及應(yīng)用終端的化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，近300家展商外地參展商占比超70%，彰顯化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱度與集群效應(yīng)。

行業(yè)頭部FAB與化合物半導(dǎo)體設(shè)備廠商聯(lián)袂亮相是展會的一大亮點。作為國內(nèi)為數(shù)不多SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造服務(wù)平臺，三安能提供長晶、襯底制備、外延生長、芯片制造、封測全流程服務(wù)，實現(xiàn)產(chǎn)品迭代、質(zhì)量、交付的全方位管控，在全球同行業(yè)中具有競爭力；方正微電子作為擁有超大規(guī)模Fab廠的企業(yè)，車規(guī)SiC MOS主驅(qū)芯片實際產(chǎn)能國內(nèi)領(lǐng)先，其強勁的產(chǎn)品和產(chǎn)能實力，不斷助力中國以及全球的新一代新能源基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展升級；作為VCSEL芯片制造的領(lǐng)軍者華芯半導(dǎo)體率先在國內(nèi)以IDM模式實現(xiàn)了VCSEL芯片的大規(guī)模供應(yīng)，在展會上重點展出了從10G到112G的VCSEL光通信芯片和射頻芯片等；全球氮化鎵龍頭英諾賽科展臺則擺放了其高性能氮化鎵系列新產(chǎn)品，涵蓋15V至1200V的各種低中高壓應(yīng)用場景，有晶圓、分立器件與IC以及模組參考設(shè)計方案等。

在設(shè)備展商中，華工激光作為光谷本土光電子信息產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)，正加快布局化合物半導(dǎo)體，現(xiàn)場秀出了化合物半導(dǎo)體激光與量測先進裝備的整體方案，包括全自動晶圓激光退火智能裝備，晶圓激光表切智能裝備等；北方華創(chuàng)作為外地參展商代表，MOCVD設(shè)備、離子注入機、化合物半導(dǎo)體刻蝕機、物理氣相沉積系統(tǒng)等，以我國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)的硬核實力為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供有力支撐。

此外，也有越來越多的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“配套”企業(yè)加入展會。華康潔凈推出潔凈室系統(tǒng)集成化新技術(shù)、新產(chǎn)品與新服務(wù)，為工業(yè)電子、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)提供全方位的潔凈環(huán)境保障。同為展會戰(zhàn)略合作伙伴，和遠氣體展出了包括電子特氣及電子化學(xué)品、電子級超純大宗氣體、硅基功能性新材料等在內(nèi)的一系列創(chuàng)新型產(chǎn)品，電子氣體是芯片制造上游原料之一，參與蝕刻、清洗、外延生長、離子注入等各個環(huán)節(jié)。

作為本屆展會最受關(guān)注的板塊之一，終端應(yīng)用展區(qū)匯聚了東風(fēng)汽車、華為數(shù)字能源、樂道汽車等領(lǐng)軍企業(yè)。東風(fēng)汽車在現(xiàn)場展出多款車型，包括硬派越野猛士917、嵐圖夢想家以及奕派007。猛士917基于東風(fēng)自主開發(fā)的猛士智能越野架構(gòu)M TECH打造，具備增程、純電雙動力版本，軍車獅吼式陣列格柵，盡顯霸氣。嵐圖夢想家提供多座型選擇，適配多元出行需求，奕派007的亮相更是展現(xiàn)了東風(fēng)汽車在多領(lǐng)域的產(chǎn)品實力。除此之外，東風(fēng)汽車還展出了車身域控制模塊、單北斗車載通信控制器以及IGBT全橋模塊等。

華為數(shù)字能源作為深耕電力能源領(lǐng)域的企業(yè)，現(xiàn)場展示了全液冷超充站、光儲充一體化等解決方案，全液冷超充站利用高效液冷散熱系統(tǒng)，即便在高速充電過程中也能保持電池最佳狀態(tài)，可大幅縮短充電時間，有效緩解新能源車主補能焦慮。

在功率器件展區(qū)，GaNext展示了650V混合型常閉雙向GaN場效應(yīng)晶體管，G2B56系列采用頂部冷卻表貼型封裝，具有電氣隔離的散熱金屬表面；萃錦半導(dǎo)體展示了全系列產(chǎn)品線，涵碳化硅SiC MOSFET、SiC Diode、硅基SJ MOSFET等各類模塊產(chǎn)品，以及一款以1200V 40mΩ MOSFET為核心的定制化7kW MPPT電源方案；易能時代的60kW風(fēng)冷散熱直流充電模塊，可滿足各種大功率快充場景，據(jù)悉現(xiàn)已助力20+大型商業(yè)綜合體、商超等快充場站，實現(xiàn)盈利；此外，還有賽晶亞太半導(dǎo)體展示的ED、ST封裝、EP封裝以及HEEV封裝等SiC模塊。

全球科學(xué)研究范式正在發(fā)生深刻改變，協(xié)同創(chuàng)新、開放創(chuàng)新已經(jīng)成為不可阻擋的大勢所趨。本屆展會開創(chuàng)性地設(shè)立創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)街區(qū)，首次實現(xiàn)國內(nèi)化合物半導(dǎo)體科研資源的全景式匯聚，包括九峰山實驗室、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（深圳/蘇州）、西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)全國重點實驗室、寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心、廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心、湖北光谷實驗室、蘇州納米城、甬江實驗室、西湖大學(xué)光電研究院、武漢格藍若-陳學(xué)東院士工作站等，覆蓋深圳、蘇州、西安、武漢、重慶、南京、杭州、寧波、廣州、佛山等核心區(qū)域的科研主力軍，各自展示了其在不同領(lǐng)域的技術(shù)突破與創(chuàng)新成果。

例如九峰山實驗室的異質(zhì)集成工藝平臺，聯(lián)合微電子中心CUMEC的國產(chǎn)化800G硅光芯片工藝制造能力，西湖大學(xué)光電研究院的光電芯片特色工藝線，甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺等，都代表著我國化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的前沿研究水平。

此外，金融服務(wù)機構(gòu)參展亦成為展會的另一大焦點。湖北科投、長江產(chǎn)業(yè)集團、光谷產(chǎn)業(yè)投資、國創(chuàng)賦能中心、新微科技集團等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新孵化機構(gòu)以及其孵化的本地企業(yè)如光谷芯材等，也在街區(qū)集聚展示，共繪化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的未來藍圖。

展會首日的展邊會議同樣座無虛席，觀眾嘉賓濟濟一堂。全球頂尖市場研究機構(gòu)Yole Group車用電子首席分析師楊宇表示，汽車的“新四化”帶來了創(chuàng)新的巨大飛躍，關(guān)于功率器件電動化則是汽車電子里增長比較快的部分。市場在不同地區(qū)展現(xiàn)出多樣化策略，歐洲、美國與中國在電動化推進上各有側(cè)重，比亞迪等企業(yè)通過創(chuàng)新在電池和電動技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。碳化硅與氮化鎵等材料的應(yīng)用則對提高電動車性能和效率至關(guān)重要，尤其是碳化硅技術(shù)隨著襯底成本的持續(xù)下降，在提升電動車性能和效率上表現(xiàn)出巨大的市場潛力。

此外，展會第一天還有SiC單晶生長用等靜壓石墨標準、晶圓級有源硅光+薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成技術(shù)平臺也成功發(fā)布，同期電動汽車超充產(chǎn)業(yè)大會、功率器件論壇、2025半導(dǎo)體投資戰(zhàn)略發(fā)展論壇也成功召開，眾多來自產(chǎn)業(yè)界與科研院所的業(yè)界領(lǐng)袖、技術(shù)專家、科研學(xué)者為與會觀眾答疑解惑，分享真知灼見，展望行業(yè)未來發(fā)展趨勢。