天眼查顯示，杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司“12寸退火片的制造方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年7月16日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118345511A。
本發(fā)明涉及一種12寸退火片的制造方法，所屬硅片加工技術(shù)領(lǐng)域，包括如下操作步驟：第一步：采用切克勞斯基法拉制單晶，用相對(duì)高拉速拉制晶棒，拉速＞0.5mm/min。第二步：拉制成型的單晶進(jìn)行切片、研磨減薄、拋光和洗凈的工藝生成硅片。第三步：拋光硅片進(jìn)行退火處理，退火爐退火溫度為1200℃，退火時(shí)間為1～3小時(shí)，退火氛圍增加氫氣和氬氣混合氣。第四步：硅片經(jīng)過退火處理后，SIMS顯示表層氧含量顯著降低，結(jié)合顆粒測(cè)試儀SP7，激光掃描圖像LST測(cè)試證明得到了表層潔凈區(qū)。具有操作便捷和工藝穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。解決了近表層氧去除量不夠干凈和容易引起柵氧化層失效的問題。實(shí)現(xiàn)降低硅片表層氧含量，得到了表層潔凈區(qū)，改善芯片制造過程中的GOI失效。
