1.思特威推出3MP高性能車規(guī)級(jí)CMOS圖像傳感器新品SC360AT
2.東方晶源電子束設(shè)備出機(jī) 60+ ，背后有哪些硬實(shí)力？
3.當(dāng)下，中國(guó)半導(dǎo)體前道設(shè)備投資機(jī)會(huì)何在？
4.什么！美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體關(guān)稅又反轉(zhuǎn)？沒事，我們反正還有AI！
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1.思特威推出3MP高性能車規(guī)級(jí)CMOS圖像傳感器新品SC360AT
在智能汽車技術(shù)加速演進(jìn)與規(guī)?；占暗内厔?shì)下，單輛汽車搭載的攝像頭數(shù)量將持續(xù)增長(zhǎng)。同時(shí)，高階智能輔助駕駛功能對(duì)環(huán)境感知精度提出了更高要求，推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)高分辨率、高性能車載CMOS圖像傳感器的需求進(jìn)一步提升。據(jù)TSR最新預(yù)測(cè)，2023年至2028年，全球車載CMOS圖像傳感器的出貨量將從3.8億顆增長(zhǎng)至4.8億顆。在車載ADAS攝像頭應(yīng)用方面，3MP逐漸成為主流分辨率配置，為車輛提供更全面的環(huán)境感知能力，進(jìn)而推動(dòng)更高階的智能輔助駕駛功能在整車端的順利落地。
近日，技術(shù)先進(jìn)的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威(SmartSens，股票代碼688213)，推出Automotive Sensor (AT) Series系列3MP高性能車規(guī)級(jí)圖像傳感器——SC360AT。此款新品是思特威首顆采用CarSens?-XR Gen 2工藝技術(shù)打造的Stacked BSI + Rolling Shutter架構(gòu)圖像傳感器產(chǎn)品。作為3.0μm像素尺寸圖像傳感器，SC360AT搭載了SuperPixGain HDR? 2.0、LFS等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)，集高感度、高動(dòng)態(tài)范圍(高達(dá)140dB)、低噪聲、低功耗等性能優(yōu)勢(shì)并支持LED閃爍抑制，為側(cè)視、后視、環(huán)視等多種ADAS應(yīng)用提供精準(zhǔn)可靠的實(shí)時(shí)影像，滿足智能汽車感知系統(tǒng)的升級(jí)需求。此外，SC360AT符合ISO 26262 ASIL-B汽車功能安全和ISO 21434汽車網(wǎng)絡(luò)安全兩項(xiàng)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)要求，以高可靠性和高安全性，助力汽車智能化與網(wǎng)聯(lián)化的加速革新。
SuperPixGain HDR? 2.0技術(shù) 打造高精度視覺感知影像
在車輛行駛過程中，暗光、強(qiáng)光、逆光等復(fù)雜多變的光線條件對(duì)車載攝像頭的成像質(zhì)量和精度帶來了極大挑戰(zhàn)。基于CarSens?-XR Gen 2工藝打造的SC360AT圖像傳感器，具有3.0μm大像素尺寸，搭載了SuperPixGain HDR? 2.0等多項(xiàng)思特威先進(jìn)技術(shù)并支持多種高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)模式，以優(yōu)異的感度、信噪比、動(dòng)態(tài)范圍等性能優(yōu)勢(shì)，為車載攝像頭提供清晰、準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)影像采集，進(jìn)一步幫助智能汽車感知系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)識(shí)別與判斷。
高感度與高信噪比
SC360AT圖像傳感器創(chuàng)新采用了SuperPixGain HDR? 2.0技術(shù)，通過單像素 + 溢出電荷存儲(chǔ)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了感度和信噪比的雙重提升。SC360AT的感度高達(dá)12348mV/lux*s，其在520nm可見光波段下的峰值量子效率(QE peak)高達(dá)82%。相較傳統(tǒng)大小像素架構(gòu)CIS，基于單像素+溢出電荷存儲(chǔ)架構(gòu)的SC360AT有效避免了因大小像素架構(gòu)引起的光學(xué)串?dāng)_、色差等問題，以出色的感度和信噪比，為攝像頭提供明亮清晰的高品質(zhì)畫面。
高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)
SC360AT支持SuperPixGain HDR? + VS、SuperPixGain HDR?等多種HDR模式，能為車載攝像頭提供優(yōu)異的高動(dòng)態(tài)范圍成像。在SuperPixGain HDR? + VS四幀HDR模式下，SC360AT可實(shí)現(xiàn)高達(dá)140dB的動(dòng)態(tài)范圍，能有效解決逆光(隧道出口)、強(qiáng)光(夜間對(duì)向車輛遠(yuǎn)光燈)等極端光線條件下畫面亮部過曝和暗部細(xì)節(jié)缺失的問題，進(jìn)一步提升車載攝像頭探測(cè)識(shí)別的準(zhǔn)確度和效率。在三幀HDR模式方面，SC360AT支持SuperPixGain HDR?模式(動(dòng)態(tài)范圍>110dB)，通過同一曝光下的高增益 + 低增益 + 溢出三幀畫面融合，使捕捉到的實(shí)時(shí)畫面明暗細(xì)節(jié)皆清晰可見。多種HDR模式選擇，可滿足ADAS攝像頭的多樣配置升級(jí)需求。
出色噪聲抑制表現(xiàn) 兼顧超低功耗性能
夜間道路、照明不足的地下停車場(chǎng)等暗光環(huán)境，對(duì)圖像傳感器的噪聲抑制性能提出了更為嚴(yán)苛的要求?；谒继赝冗M(jìn)的SFCPixel?、超低噪聲外圍讀取電路等技術(shù)，新品SC360AT具備優(yōu)異的噪聲抑制表現(xiàn)。相較行業(yè)同規(guī)格產(chǎn)品，SC360AT的讀取噪聲(RN)和固定噪聲(FPN)分別降低約11%和21%，其PRNU大幅降低約49%，即使在暗光場(chǎng)景下也能為車載攝像頭提供清晰、低噪點(diǎn)的影像，從而有益于智能汽車視覺系統(tǒng)的準(zhǔn)確識(shí)別和判斷。
基于思特威先進(jìn)的CarSens?-XR Gen 2工藝技術(shù)，采用Stacked BSI架構(gòu)的SC360AT圖像傳感器實(shí)現(xiàn)了功耗方面的大幅降低。在SuperPixGain HDR? + VS四幀HDR模式RAW格式下，SC360AT的典型功耗低至310mW以下，以超低功耗的性能優(yōu)勢(shì)，助力降低車載攝像頭的工作發(fā)熱量，進(jìn)而提升車載攝像頭的可靠性和穩(wěn)定性。
LED閃爍抑制技術(shù) 解決車輛感知難點(diǎn)
當(dāng)車輛處于道路行駛過程中，交通信號(hào)燈、LED車燈等LED照明設(shè)備的LED閃爍現(xiàn)象，會(huì)對(duì)車載攝像頭CIS的畫面拍攝效果造成干擾，導(dǎo)致CIS成像畫面出現(xiàn)條紋、閃爍光斑等現(xiàn)象，影響駕駛員、輔助駕駛系統(tǒng)對(duì)交通路況的判斷。SC360AT搭載了思特威自主研發(fā)的LFS技術(shù)(LED閃爍抑制技術(shù))，通過調(diào)整部分像素的曝光時(shí)長(zhǎng)來覆蓋LED頻閃間隙，最終得到無LED閃爍的完整影像信息，能幫助ADAS系統(tǒng)準(zhǔn)確識(shí)別交通信號(hào)燈、附近其他車輛的車燈顏色和狀態(tài)并做出及時(shí)決策。
SC360AT提供iBGA、COB兩種封裝形式，為客戶端實(shí)現(xiàn)車載攝像頭電路架構(gòu)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)升級(jí)提供了更多樣、靈活的選擇。
石文杰思特威產(chǎn)品市場(chǎng)副總裁表示：“SC360AT是思特威首顆采用CarSens?-XR Gen 2工藝技術(shù)打造的Stacked BSI + Rolling Shutter架構(gòu)圖像傳感器產(chǎn)品。作為3MP車規(guī)級(jí)圖像傳感器新品，SC360AT搭載了SuperPixGain HDR? 2.0、LFS等多項(xiàng)思特威先進(jìn)技術(shù)，在感度、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲抑制、LED閃爍抑制等方面均具備出色表現(xiàn)，能為車載側(cè)視/后視/環(huán)視攝像頭等應(yīng)用提供可靠、清晰、準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)影像。思特威旗下的車載(AT)系列圖像傳感器產(chǎn)品覆蓋1MP~8MP分辨率，適配ADAS、感知與艙內(nèi)三大應(yīng)用場(chǎng)景需求。未來，思特威將持續(xù)擴(kuò)展AT系列產(chǎn)品矩陣，以更多高性能、高可靠性的車規(guī)級(jí)圖像傳感器產(chǎn)品，助力智能汽車應(yīng)用的進(jìn)階發(fā)展。”
SC360AT目前已接受送樣，將于2025年Q3實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。想了解更多關(guān)于SC360AT產(chǎn)品的信息，請(qǐng)與思特威銷售人員聯(lián)系。（思特威）
2.東方晶源電子束設(shè)備出機(jī) 60+ ，背后有哪些硬實(shí)力？
獨(dú)家獲悉：東方晶源電子束量檢測(cè)設(shè)備出機(jī)突破60臺(tái)里程碑，這意味著，東方晶源設(shè)備在該領(lǐng)域的技術(shù)性能已經(jīng)穩(wěn)定，并獲得用戶認(rèn)可，能夠滿足半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)需求，相關(guān)市場(chǎng)有望迎來突破性增長(zhǎng)。據(jù)行業(yè)首發(fā)信息披露，東方晶源作為深耕集成電路良率管理領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其電子束設(shè)備累計(jì)交付達(dá)60臺(tái)。這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)高端量檢測(cè)設(shè)備在技術(shù)成熟度、產(chǎn)線適配性方面取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。這一數(shù)據(jù)背后，折射出國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向。近年來國(guó)際地緣政治波動(dòng)持續(xù)催化設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，晶圓廠為規(guī)避斷供風(fēng)險(xiǎn)加速導(dǎo)入本土解決方案，東方晶源肩負(fù)國(guó)產(chǎn)替代重任，深度參與關(guān)鍵領(lǐng)域的自主創(chuàng)新。企業(yè)十余載積累的電子光學(xué)系統(tǒng)研發(fā)功底與量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，使其成為破解半導(dǎo)體設(shè)備“卡脖子”難題的核心力量。
盡管美國(guó)政府不斷升級(jí)對(duì)華出口管制，企圖延緩我國(guó)先進(jìn)制程的發(fā)展，但這并不能阻止中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步。東方晶源的技術(shù)突破不僅重塑了國(guó)產(chǎn)設(shè)備在良率管理環(huán)節(jié)的市場(chǎng)格局，更為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)構(gòu)筑技術(shù)護(hù)城河提供了關(guān)鍵拼圖。在提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控能力方面，東方晶源還將繼續(xù)做出重要貢獻(xiàn)。
設(shè)備穩(wěn)定出機(jī)60臺(tái)，有效優(yōu)化產(chǎn)業(yè)格局
“60臺(tái)設(shè)備落地不是終點(diǎn)，而是自主化量檢測(cè)體系升級(jí)的起點(diǎn)?！睎|方晶源資深產(chǎn)品總監(jiān)賈錫文在接受集微網(wǎng)專訪時(shí)強(qiáng)調(diào)。他透露，通過優(yōu)化EOS（電子光學(xué)系統(tǒng)）結(jié)構(gòu)提高信號(hào)采集和收集的效率，并且在智能算法的加持下，設(shè)備在保持納米級(jí)檢測(cè)精度的同時(shí)，將單位晶圓檢測(cè)效率提升40%，這一突破直接回應(yīng)了28nm及以下先進(jìn)制程的量產(chǎn)需求。
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局下，核心設(shè)備與關(guān)鍵材料的自主可控成為國(guó)家戰(zhàn)略。其中，量檢測(cè)設(shè)備的重要性不斷提升。測(cè)試是貫穿芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過程的核心環(huán)節(jié)，對(duì)提高芯片良率、降低成本至關(guān)重要。量檢測(cè)設(shè)備有“工廠的眼睛”之稱，用于在半導(dǎo)體制造過程中檢測(cè)芯片性能與缺陷，確保產(chǎn)品質(zhì)量的可控性，對(duì)保證產(chǎn)品質(zhì)量起著關(guān)鍵性的作用。特別是隨著半導(dǎo)體制程不斷縮減，光學(xué)檢測(cè)在先進(jìn)制程技術(shù)的圖像識(shí)別的靈敏度逐漸減弱，電子束檢測(cè)技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景變得越來越多。
近年來，我國(guó)半導(dǎo)體晶圓廠建設(shè)正在加速。據(jù)集微咨詢統(tǒng)計(jì)，目前中國(guó)大陸已有47座晶圓廠，其中，12英寸晶圓廠22座，8英寸廠25座。此外，還有正在建設(shè)的晶圓廠25座。中國(guó)大陸連續(xù)兩年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備需求市場(chǎng)，中國(guó)大陸的晶圓制造設(shè)備支出從2018年的110億美元增長(zhǎng)到2023年的近300億美元。相對(duì)應(yīng)地，我國(guó)對(duì)電子束量檢測(cè)設(shè)備的需求量也在翻番。
盡管在電子束量檢測(cè)設(shè)備方面，AMAT、Hitachi、ASML等國(guó)際大廠依然占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，但是國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商也在迅速成長(zhǎng)。東方晶源作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子束量檢測(cè)設(shè)備供應(yīng)商之一，得益于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速崛起，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備需求量逐步提升，已開發(fā)出多個(gè)系列的電子束設(shè)備，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。
根據(jù)賈錫文的介紹，已出機(jī)的用戶群中既包含了邏輯廠商、存儲(chǔ)廠商，也包含先進(jìn)封裝以及第三代半導(dǎo)體廠商，累計(jì)wafer move量超過56萬片。12英寸設(shè)備已在28nm產(chǎn)線上服役，6英寸和8英寸設(shè)備在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域則作為BSL機(jī)臺(tái)在運(yùn)行?！爸档靡惶岬氖?，在部分用戶當(dāng)中，我們已經(jīng)開始斬獲重復(fù)訂單。這是市場(chǎng)對(duì)我們的認(rèn)可，公司也會(huì)持續(xù)地投入研發(fā)，做出更多的創(chuàng)新。”他表示。
對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司來說，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨，且出貨量達(dá)到數(shù)十臺(tái)無疑是一項(xiàng)較為突出的成績(jī)。半導(dǎo)體制造對(duì)設(shè)備的精度、穩(wěn)定性和可靠性要求極高，相關(guān)產(chǎn)品必須經(jīng)過長(zhǎng)期測(cè)試，反復(fù)打磨，才能進(jìn)入大生產(chǎn)線。實(shí)現(xiàn)批量出貨意味著相關(guān)設(shè)備的技術(shù)性能已經(jīng)穩(wěn)定，獲得了用戶的認(rèn)可，能夠滿足半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)需求。這是十分難得的。
同時(shí)，這也表明國(guó)內(nèi)企業(yè)在電子光學(xué)系統(tǒng)、圖像處理算法、精確定位和控制等關(guān)鍵技術(shù)上取得了重大突破，意味著技術(shù)性能達(dá)到或接近國(guó)際水平。
當(dāng)然，AMAT、Hitachi等國(guó)際廠商仍然在檢測(cè)精度、穩(wěn)定性和效率等方面占據(jù)著優(yōu)勢(shì)，它們的產(chǎn)品系列更豐富，覆蓋的流程場(chǎng)景更全面。但是，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商同樣具有性價(jià)比更高、服務(wù)響應(yīng)快、定制化能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。在獲得用戶認(rèn)可，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定供應(yīng)之后，將逐步提升國(guó)產(chǎn)設(shè)備的市場(chǎng)份額，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)格局，增強(qiáng)國(guó)產(chǎn)企業(yè)在行業(yè)內(nèi)的話語權(quán)，降低因國(guó)外技術(shù)封鎖或供應(yīng)中斷帶來的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)也能帶動(dòng)相關(guān)零部件供應(yīng)商的發(fā)展，促進(jìn)供應(yīng)鏈的本地化，提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。
創(chuàng)新技術(shù)加持，設(shè)備實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定
據(jù)了解，電子束量檢測(cè)設(shè)備的主要產(chǎn)品包括電子束缺陷檢測(cè)（EBI）、電子束缺陷復(fù)檢（DRSEM）、關(guān)鍵尺寸量測(cè)（CDSEM）三種類型，涉及檢測(cè)、量測(cè)、復(fù)檢等用戶不同需求。東方晶源對(duì)此已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全面覆蓋。
“半導(dǎo)體量檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展與光刻技術(shù)的發(fā)展是息息相關(guān)的，因此也遵循相類似的科學(xué)邏輯，即追求分辨率極致化。而電子束量檢測(cè)技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)就在于擁有超高的分辨率和檢測(cè)精度，對(duì)電性能缺陷極為敏感，可以檢測(cè)很小的表面缺陷，如柵極刻蝕殘留物等，并且電子束量檢測(cè)設(shè)備具有更強(qiáng)的三維結(jié)構(gòu)成像能力和抗前層信號(hào)干擾能力，這使其在先進(jìn)工藝中被較多使用，已經(jīng)成為生產(chǎn)線中不可或缺的設(shè)備之一?！辟Z錫文表示。
電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備是東方晶源較為成熟的產(chǎn)品線，其不僅能夠檢測(cè)電性能缺陷，也能檢測(cè)物理缺陷。經(jīng)過數(shù)年研發(fā)迭代，主力機(jī)型在檢測(cè)能力和應(yīng)用場(chǎng)景方面都得到了進(jìn)一步的拓展。分辨率是EBI核心指標(biāo)之一。東方晶源研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過系統(tǒng)性改進(jìn)和優(yōu)化有效提升了EBI設(shè)備的分辨率水平：采用高壓低像差電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)更高成像分辨率；對(duì)EE模組性能及連接方式進(jìn)行優(yōu)化，有效抑制噪聲；開發(fā)振動(dòng)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)，抑制機(jī)械振動(dòng)對(duì)成像的影響。
檢測(cè)速度是用戶考量 EBI 的另一項(xiàng)重要指標(biāo)。經(jīng)過這些年的努力，東方晶源也在三個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行改善：一是開發(fā)連續(xù)掃描模式代替步進(jìn)掃描，二是開發(fā)更高速的信號(hào)采集波形發(fā)射器和更快的信號(hào)探測(cè)器以及優(yōu)化算法來提升收集信號(hào)的效率；同時(shí)也在進(jìn)行多束同時(shí)掃描方案的研發(fā)。通過這三個(gè)方面的努力來提升EBI 的檢測(cè)速度。
靈敏度同樣關(guān)系到設(shè)備對(duì)信號(hào)的采集能力。東方晶源采用高穩(wěn)定性熱場(chǎng)發(fā)射體，通過精確控制加熱溫度和電場(chǎng)強(qiáng)度，降低了電子能量分散，提升電子束的相干性和亮度；同時(shí)研發(fā)了新型的探測(cè)器，開發(fā)大電流及新的charging方式提高VC信號(hào)，讓以前非常弱的信號(hào)強(qiáng)化來提升靈敏度。
在電子束缺陷復(fù)檢設(shè)備方面，日前東方晶源推出最新一代DR-SEM r655。它是東方晶源于2023年所推出DR-SEM r600的下一代產(chǎn)品。根據(jù)賈錫文的介紹，該款新品搭載了全新的高性能電子槍和光學(xué)檢測(cè)模組，以及升級(jí)版?zhèn)髌到y(tǒng)和算法系統(tǒng)，可以滿足國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程產(chǎn)線的應(yīng)用需求。
在電子束檢測(cè)成像方面，DR-SEM r655采用了5通道探測(cè)器，可以覆蓋更廣泛的檢測(cè)需求全方位缺陷表征：4個(gè)側(cè)向探測(cè)器支持全角度形貌掃描，顯著提升缺陷立體成像效果，助力工程師精準(zhǔn)判定缺陷類型與成因，尤其對(duì)淺刮傷等微小缺陷的復(fù)檢成功率提升明顯；材料襯度解析優(yōu)化：頂端探測(cè)器增強(qiáng)背散射電子信號(hào)接收能力，精準(zhǔn)捕捉材料襯度差異，滿足先進(jìn)制程對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求；高深寬比工藝兼容：配合高加速電場(chǎng)設(shè)計(jì)，適配高深寬比結(jié)構(gòu)檢測(cè)，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際成熟機(jī)型。
這些功能的實(shí)現(xiàn)又都得益于東方晶源開發(fā)的新型電子光學(xué)系統(tǒng)的賦能。通過對(duì)它們的開發(fā)與使用，進(jìn)一步拉近了與國(guó)際大廠之間的距離，為公司接下來的新突破奠定基礎(chǔ)。
在關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備方面，東方晶源目前主推的是c430機(jī)型。該款機(jī)型在客戶端的裝機(jī)總量超過10臺(tái)。在量測(cè)精度上，該機(jī)型已經(jīng)達(dá)到國(guó)際主流機(jī)臺(tái)水平。之所以具備這樣的性能，一方面得益于東方晶源全新開發(fā)的波形發(fā)生器，可以支持更快的點(diǎn)掃描速度和掃描方式組合。在傳統(tǒng)掃描方式中，電子束需在每個(gè)測(cè)量點(diǎn)停留較長(zhǎng)時(shí)間以確保信號(hào)強(qiáng)度，而新波形發(fā)生器采用高頻信號(hào)調(diào)制技術(shù)，使電子束在保持測(cè)量精度的同時(shí)，可以更快的速度完成信號(hào)采集。其次是采用晶圓表面電荷補(bǔ)償技術(shù)，弱化了charging對(duì)成像的影響，提升了量測(cè)的穩(wěn)定性。第三是采用高精度的Auto Focus，實(shí)現(xiàn)量測(cè)系統(tǒng)的實(shí)時(shí)自校準(zhǔn)，可確保長(zhǎng)期運(yùn)行下的數(shù)據(jù)一致性，提高量測(cè)的準(zhǔn)確性。第四是全新開發(fā)的疊幀和量測(cè)算法提高了圖像質(zhì)量和量測(cè)的穩(wěn)定性。
在量測(cè)穩(wěn)定性上，c430是唯一在客戶端通過self-matching的國(guó)產(chǎn)CDSEM設(shè)備，CD matching小于0.35nm（或0.5%CD）。這得益于c430新開發(fā)的Auto Calibration方案和Auto Daily PM 方案。Auto Calibration方案包括Image、System和量測(cè)三大模塊，Image模塊可進(jìn)行圖像質(zhì)量的實(shí)時(shí)優(yōu)化，System模塊實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)狀態(tài)的全局監(jiān)控，量測(cè)模塊實(shí)現(xiàn)精度校準(zhǔn)閉環(huán)。而Auto Daily PM 方案可以讓設(shè)備可以利用idle時(shí)間進(jìn)行SEM image的校準(zhǔn)和維護(hù)。這些更新不僅解決了傳統(tǒng)CD-SEM設(shè)備校準(zhǔn)依賴人工、效率低下的問題，也在量測(cè)的穩(wěn)定性上取得了突破。
向三代半、先進(jìn)封裝擴(kuò)展，滿足用戶多元化需求
除先進(jìn)制程以外，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，以及先進(jìn)封裝市場(chǎng)的需求也在不斷壯大，這些領(lǐng)域?qū)﹄娮邮繖z測(cè)設(shè)備有著與邏輯制程、存儲(chǔ)制程很大的不同。東方晶源也在積極研發(fā)，滿足這一領(lǐng)域用戶的需求。
相對(duì)而言，第三代半導(dǎo)體用戶對(duì)芯片傳統(tǒng)工藝量檢測(cè)上的要求相對(duì)簡(jiǎn)單，但對(duì)多元兼容上的要求卻比較復(fù)雜。以襯底為例，第三代半導(dǎo)體就包括藍(lán)寶石基、硅基、碳化硅基、氮化鎵基等多種類型。這些襯底的完整度各不相同，厚度也不一樣，這就非?？简?yàn)檢測(cè)設(shè)備的兼容能力。如何讓設(shè)備自動(dòng)化地兼容這么多的不同襯底就是一個(gè)挑戰(zhàn)。
東方晶源針對(duì)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)推出了SEpA-c310s，不僅實(shí)現(xiàn)了6/8 英寸兼容，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了不同材質(zhì)、不同厚度的兼容。該產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入用戶企業(yè)的生產(chǎn)線。東方晶源也在投入開發(fā)下一代的三代半產(chǎn)品。
在先進(jìn)封裝方面，其對(duì)檢測(cè)設(shè)備的線寬要求也不是很復(fù)雜，但卻對(duì)高深寬比等方面具有特殊的要求。當(dāng)前的先進(jìn)封裝工藝越來越走向2.5D/3D化，這就對(duì)TSV、高深孔等有更多的需求，也就會(huì)對(duì)一些底部信號(hào)的量測(cè)有著較為旺盛的需求。東方晶源也在高能/高電壓/高束流的檢測(cè)技術(shù)上投入更多資源，以期能夠滿足用戶這方面的需求。
持續(xù)跟蹤技術(shù)發(fā)展方向，為用戶提供全面良率解決方案
未來，半導(dǎo)體制程將進(jìn)一步走向微縮，對(duì)電子束量檢測(cè)設(shè)備的技術(shù)要求將更加嚴(yán)苛。賈錫文表示，挑戰(zhàn)主要來自兩個(gè)方面：一是low dose & high resolution 成像能力；二是電子束吞吐量瓶頸。
首先，隨著半導(dǎo)體制程的微縮，晶圓表面的材料對(duì)電子束變得更加敏感，過高的電子束劑量可能會(huì)對(duì)這些敏感介質(zhì)造成損傷，從而影響芯片的性能和良率。這就需要在檢測(cè)過程中使用較低的電子束劑量，并在低劑量下，仍然能夠保持高分辨率的成像能力，以便準(zhǔn)確檢測(cè)出晶圓表面的微小缺陷和關(guān)鍵尺寸。還需要考慮如何減少對(duì)immersion和EUV等敏感介質(zhì)的損傷等。這些技術(shù)在半導(dǎo)體制程中都起著關(guān)鍵作用，但它們的材料對(duì)電子束非常敏感。
此外，與光學(xué)檢測(cè)方法相比，電子束檢測(cè)的速度要慢得多。在半導(dǎo)體制程不斷微縮的背景下，晶圓表面的缺陷和關(guān)鍵尺寸變得越來越小，需要更高的檢測(cè)精度和更快的檢測(cè)速度來滿足生產(chǎn)需求。然而，電子束逐點(diǎn)掃描的方式限制了其吞吐量的提升，成為制約電子束檢測(cè)設(shè)備性能的一個(gè)重要瓶頸。
面對(duì)上述挑戰(zhàn)，賈錫文表示，東方晶源正在開發(fā)low dose電子束成像技術(shù)和高頻探測(cè)器，應(yīng)對(duì)來自這兩方面的挑戰(zhàn)。同時(shí)，東方晶源也致力于電子束設(shè)備的智能化（AI）和全流程優(yōu)化（HPO）以提高電子束量檢測(cè)設(shè)備的效率。通過引入人工智能，進(jìn)行AI加速缺陷分類：應(yīng)用深度學(xué)習(xí)算法（如卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)）快速識(shí)別缺陷類型，減少人工分析時(shí)間；通過自適應(yīng)檢測(cè)路徑規(guī)劃：根據(jù)歷史數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)優(yōu)化掃描區(qū)域，聚焦高風(fēng)險(xiǎn)位置（如芯片邊緣）。
同時(shí)，賈錫文還強(qiáng)調(diào)，東方晶源從創(chuàng)立之初便提出HPO良率最大化技術(shù)路線和產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念。針對(duì)來自制程微縮與測(cè)試速度方面的挑戰(zhàn)，東方晶源致力于全面打通EDA、量測(cè)/檢測(cè)和Yield（良率）之間的壁壘，希望建立起有效的良率與管理的模型，從點(diǎn)到線然后再到面，為用戶提供一個(gè)全面的良率管理解決方案。
基于 HPO 技術(shù)路線，東方晶源現(xiàn)已成功推出了多款重量級(jí)產(chǎn)品，包括電子束量測(cè)和檢測(cè)設(shè)備、計(jì)算光刻軟件OPC、良率管理軟件 YieldBook等，形成多元化的芯片制造良率管理產(chǎn)品矩陣，并被國(guó)內(nèi)外眾多制造頭部企業(yè)認(rèn)可。
寫在最后
受益于強(qiáng)有力的國(guó)家戰(zhàn)略支持，中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域近年來取得了快速增長(zhǎng)，但對(duì)海外設(shè)備巨頭的依賴程度仍然很高，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在中高端及核心設(shè)備上仍有較大提升空間。當(dāng)?shù)?0臺(tái)電子束設(shè)備順利交付客戶產(chǎn)線時(shí)，東方晶源用數(shù)字宣告了國(guó)產(chǎn)高端量測(cè)與檢測(cè)設(shè)備的突破時(shí)刻。但這絕非終點(diǎn)，而是中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備自主化進(jìn)程中的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)折點(diǎn)——這家深耕電子束檢測(cè)領(lǐng)域十余載的頭部企業(yè)，正以技術(shù)排頭兵的姿態(tài)，撬動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的結(jié)構(gòu)性升級(jí)。
在先進(jìn)制程量檢測(cè)領(lǐng)域，東方晶源的技術(shù)突圍戰(zhàn)已全面開啟：量測(cè)方面，通過低劑量電子束成像技術(shù)攻克摩爾定律演進(jìn)中的精度難題，以適應(yīng)先進(jìn)制程發(fā)展需求；檢測(cè)方面，致力于高電壓、大電流、高分辨，以突破3D芯片結(jié)構(gòu)的檢測(cè)壁壘，解決先進(jìn)制程3D結(jié)構(gòu)對(duì)電子束發(fā)展技術(shù)的需求。同時(shí)，利用計(jì)算光刻軟件工具鏈并創(chuàng)新性引入AI深度學(xué)習(xí)與GPU異構(gòu)計(jì)算的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，對(duì)于采集到的納米級(jí)電子束圖像進(jìn)行AI賦能的超維分析，有望實(shí)現(xiàn)更好的關(guān)鍵尺寸均勻性（Critical Dimension Uniformity）的優(yōu)化。
當(dāng)前，東方晶源正致力于下一代設(shè)備的開發(fā)，發(fā)展目標(biāo)很明確——解決電子束量檢測(cè)設(shè)備“卡脖子”問題，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控方面要做出重要貢獻(xiàn)，做好排頭兵，不僅要在技術(shù)上自主可控，在供應(yīng)鏈上也要做好自主可控。不光要在點(diǎn)上100%對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭，同時(shí)，在線和面上也要全面擁抱創(chuàng)新，擁抱AI，實(shí)現(xiàn)超越。
3.當(dāng)下，中國(guó)半導(dǎo)體前道設(shè)備投資機(jī)會(huì)何在？
【編者按】本文作者韋豪創(chuàng)芯 鮑妍、張迪，集微網(wǎng)經(jīng)授權(quán)轉(zhuǎn)發(fā)。
今年SEMICON的火熱似乎更勝去年，北方華創(chuàng)的重磅收購(gòu)、新凱來的橫空出世，給中國(guó)半導(dǎo)體前道設(shè)備市場(chǎng)帶來不小的撼動(dòng)。結(jié)合算力大模型驅(qū)動(dòng)算力需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)（預(yù)計(jì)2025年全球算力芯片市場(chǎng)規(guī)模突破2000億美元）的背景，半導(dǎo)體前道設(shè)備成為重構(gòu)全球產(chǎn)業(yè)鏈的核心變量。從碳化硅材料制備到先進(jìn)封裝技術(shù)，從國(guó)產(chǎn)替代深化到全球化競(jìng)爭(zhēng)，前道設(shè)備端的創(chuàng)新正以“一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備”的范式重塑產(chǎn)業(yè)格局。作為韋豪創(chuàng)芯本期月度思考的破題之作，本報(bào)告力圖結(jié)合產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研與市場(chǎng)分析，梳理當(dāng)下中國(guó)半導(dǎo)體前道設(shè)備領(lǐng)域的投資機(jī)會(huì)。
一、投資視角：國(guó)產(chǎn)替代與技術(shù)升級(jí)雙輪驅(qū)動(dòng)
1. 國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速
1）政策倒逼+技術(shù)突破：受海外技術(shù)封鎖與出口管制影響，中國(guó)半導(dǎo)體前道設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率顯著提升?？涛g機(jī)、薄膜沉積、清洗機(jī)等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)成熟制程自主可控，但高端光刻機(jī)、量檢測(cè)設(shè)備仍存較大替代空間。
2）替代路徑深化：國(guó)產(chǎn)設(shè)備從外圍輔助設(shè)備（工藝窗口容忍度高）逐步向核心設(shè)備（超高精度、先進(jìn)制程）滲透。頭部廠商受益于國(guó)產(chǎn)替代深化，市場(chǎng)份額與盈利能力持續(xù)提升。
2. 技術(shù)升級(jí)驅(qū)動(dòng)需求擴(kuò)張
1）新興需求爆發(fā)：算力、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車等推動(dòng)高性能芯片需求激增，倒逼半導(dǎo)體工藝向更小制程（FinFET、GAA）、更高性能迭代。
2）設(shè)備升級(jí)需求明確：國(guó)內(nèi)FAB廠對(duì)先進(jìn)設(shè)備（如高精度光刻機(jī)、納米級(jí)檢測(cè)設(shè)備）需求迫切，設(shè)備廠商需同步提升技術(shù)能力以匹配工藝演進(jìn)。
二、細(xì)分賽道機(jī)遇分析
1. 碳化硅材料：階段性過剩與長(zhǎng)期潛力并存
1）產(chǎn)能與需求錯(cuò)配：2024年國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能達(dá)348萬片（等效6英寸），遠(yuǎn)超下游需求（150萬片），主因新能源汽車市場(chǎng)內(nèi)卷（如比亞迪單臺(tái)車?yán)麧?rùn)僅5000元）抑制碳化硅滲透率，碳化硅的下游應(yīng)用市場(chǎng)尚未打開。未來伴隨汽車市場(chǎng)內(nèi)卷后形成有序市場(chǎng)，碳化硅市場(chǎng)也會(huì)隨之發(fā)生變化，量也會(huì)增長(zhǎng)。所以，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于整合期，今年的碳化硅資本市場(chǎng)相對(duì)冷峻，但未來尚有較大的增量空間。
2）整合期投資邏輯：碳化硅領(lǐng)域仍有投資機(jī)會(huì)和價(jià)值，但甄別難度很大。從短期復(fù)購(gòu)角度來看，沒有任何一家臨時(shí)減薄使用的鍵合設(shè)備有同樣型號(hào)的復(fù)購(gòu)，主要系客戶自身工藝經(jīng)驗(yàn)尚未跑通設(shè)備。產(chǎn)業(yè)鏈割裂（設(shè)計(jì)-應(yīng)用-模塊環(huán)節(jié)脫節(jié)）導(dǎo)致產(chǎn)能利用率分化，需關(guān)注具備技術(shù)降本能力的企業(yè)（如芯聯(lián)結(jié)合客戶需求，通過簡(jiǎn)化工藝實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)）。關(guān)注長(zhǎng)期，隨新能源汽車市場(chǎng)出清與產(chǎn)業(yè)鏈整合，碳化硅在高壓、高頻場(chǎng)景的應(yīng)用潛力將逐步釋放。
2. 先進(jìn)封裝：CoWoS與FOPLP技術(shù)并行突破
1）技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)：臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)主導(dǎo)算力算力競(jìng)賽，國(guó)內(nèi)廠商加速布局面板級(jí)封裝（FOPLP）。AMD的算力 MAX395拆解后發(fā)現(xiàn)：1）大小核邊上有很多存儲(chǔ)，用的是TSV，但還沒有堆疊起來；說明存在產(chǎn)能不夠或工藝不成熟。2）CPU的面積很大，如果封裝用12寸的拼起來，會(huì)浪費(fèi)較大的面積，效率低下。所以認(rèn)為，CoWoS很火，且認(rèn)為FOPLP和CoWoS不沖突，適用于大核、超大核的芯片。
2）競(jìng)爭(zhēng)格局：面板廠商優(yōu)勢(shì)——FOPLP工藝依賴大板制造經(jīng)驗(yàn)，國(guó)內(nèi)面板廠商（如京東方、TCL華星）或率先突破。技術(shù)瓶頸——TSV堆疊工藝成熟度不足，需提升封裝效率（如優(yōu)化12寸晶圓利用率）。
三、國(guó)產(chǎn)化率與設(shè)備采購(gòu)趨勢(shì)
1. 國(guó)產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)優(yōu)先級(jí)提升
1）核心環(huán)節(jié)突破：
2）訂單增長(zhǎng)動(dòng)能：2024年設(shè)備采購(gòu)支出預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)，主因成熟制程擴(kuò)產(chǎn)（晶合集成、燕東微）與國(guó)產(chǎn)替代政策驅(qū)動(dòng)。短期從訂單來看，先進(jìn)制程擴(kuò)張；存儲(chǔ)方面，長(zhǎng)鑫略有下降但不多，長(zhǎng)存基本持平；成熟制程穩(wěn)步增資，去年華虹較多，今年晶合集成、燕東微等公司較多。上市公司設(shè)備廠今年新簽訂單的增速來看，最低的華創(chuàng)也有25%左右，其他企業(yè)可能更高。綜上認(rèn)為，25年同比的設(shè)備采購(gòu)支出仍有提升。
2. 海外斷供倒逼國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈培育
1）設(shè)備采購(gòu)周期：2025年后新增訂單或承壓（潔凈間容量有限），但存量設(shè)備升級(jí)需求將支撐行業(yè)收入。受限于存量的潔凈間有限，25年之后的設(shè)備采購(gòu)支出和新增訂單一定會(huì)略有下降。另一個(gè)角度是，截至目前，阿斯麥已徹底停止對(duì)中國(guó)供應(yīng)2000I和2050I。據(jù)了解，全中國(guó)大陸存量的2000I+2025I不超過50臺(tái)，從50臺(tái)機(jī)器中調(diào)出，工作量已經(jīng)固定。所以，中國(guó)的DUV什么時(shí)候出來至關(guān)重要。從需求端看，設(shè)備采購(gòu)一方面來自建新廠的需求，例如23-24年，碳化硅帶動(dòng)一波設(shè)備采購(gòu)。24-26年，川普上臺(tái)后，國(guó)產(chǎn)化需求會(huì)多一些?，F(xiàn)在，即使國(guó)內(nèi)FAB廠已經(jīng)使用的國(guó)際大廠設(shè)備，后續(xù)零部件的更換和維修升級(jí)也會(huì)越來越困難，從而推動(dòng)它們對(duì)國(guó)產(chǎn)化設(shè)備的評(píng)估和采購(gòu)。未來，如果國(guó)內(nèi)FAB廠想大批量生產(chǎn)7nm、14nm芯片，還是依賴國(guó)產(chǎn)設(shè)備的。
2）零部件痛點(diǎn)：國(guó)產(chǎn)零部件品控與長(zhǎng)期穩(wěn)定性不足（如參數(shù)漂移），需聯(lián)合算法補(bǔ)償與工藝優(yōu)化提升可靠性。國(guó)產(chǎn)零部件商通常缺乏經(jīng)驗(yàn)，且品控意識(shí)相對(duì)淡薄，難以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)期使用帶來的參數(shù)漂移等情況。普遍存在的現(xiàn)象是，零部件在機(jī)器上運(yùn)行，一年后可能會(huì)帶來較大的參數(shù)漂移。此時(shí)并非無法使用，而是需要重新校正。對(duì)于零部件廠商也是如此，它在制造零部件的過程中，很多設(shè)備理論上也是需要重新校正的，但它并不知道如何進(jìn)行校正。而進(jìn)口供應(yīng)商比較理解這個(gè)設(shè)備：例如泛林的電鍍?cè)O(shè)備可以做到裝機(jī)5年甚至更長(zhǎng)時(shí)間，都不做大的參數(shù)調(diào)整和漂移。一方面可能是零部件質(zhì)量足夠好，另一方面有一定的算法去補(bǔ)償。設(shè)備里有很多零部件替換不了，但算法體系可以補(bǔ)償這些變化來對(duì)沖影響。國(guó)產(chǎn)的很多零部件供應(yīng)商和設(shè)備整機(jī)，預(yù)估/應(yīng)對(duì)未來五年的參數(shù)漂移難以應(yīng)對(duì)。
四、初創(chuàng)企業(yè)生存法則
1. 差異化競(jìng)爭(zhēng)策略
1）技術(shù)迭代能力：避免單一國(guó)產(chǎn)替代，提前規(guī)劃下一代技術(shù)路線（如碳化硅鍵合工藝創(chuàng)新）。
2）客戶綁定深度：迭代不僅考驗(yàn)創(chuàng)始人和團(tuán)隊(duì)的技術(shù)，還很需要和客戶的及時(shí)溝通。與標(biāo)桿客戶緊密合作，快速響應(yīng)需求并優(yōu)化產(chǎn)品，以跟上市場(chǎng)。
2. 資本化路徑規(guī)劃
1）終局思維：即在資本化路徑上，公司想要實(shí)現(xiàn)什么？明確IPO（市場(chǎng)體量是否能夠承載公司上市）或被并購(gòu)目標(biāo)（公司的差異化價(jià)值體現(xiàn)在哪）。很多創(chuàng)業(yè)公司，雖然表面有穩(wěn)定的收入增長(zhǎng)和未來預(yù)期，但資本化路徑不清晰，且數(shù)輪融資后背負(fù)著較大的回購(gòu)壓力，當(dāng)利潤(rùn)不足以覆蓋回購(gòu)時(shí)，一經(jīng)觸發(fā)，公司則立刻面臨破產(chǎn)危機(jī)。
2）遠(yuǎn)近兼顧：要注意平衡短期現(xiàn)金流（小訂單）與長(zhǎng)期價(jià)值（大客戶拓展）。對(duì)于初創(chuàng)期的小公司，可能會(huì)迅速開展一些小訂單的業(yè)務(wù)，產(chǎn)生現(xiàn)金流。但同時(shí)，一定要重點(diǎn)拓展標(biāo)桿性大客戶，不要過度被小訂單占據(jù)精力。
3、正確看待市場(chǎng)
設(shè)備有周期，且波動(dòng)比下游更大（市場(chǎng)容量小，且賣的設(shè)備按臺(tái)數(shù)計(jì)）。要基于正確的認(rèn)知，踩在投資的恰當(dāng)節(jié)點(diǎn)上。初創(chuàng)公司可以從國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)、設(shè)備銷售（基于訂單數(shù)據(jù)，國(guó)產(chǎn)替代增量等）、信用資產(chǎn)的三大增量出發(fā)，綜合結(jié)構(gòu)性問題以及判斷公司的經(jīng)營(yíng)情況，幫助投資人設(shè)定預(yù)期、把握增資進(jìn)度。
五、未來展望
算力時(shí)代的設(shè)備革命已超越單一技術(shù)維度，演變?yōu)椴牧?、工藝、算法的生態(tài)級(jí)融合。隨著前道設(shè)備智能化（數(shù)字孿生連接）與產(chǎn)業(yè)鏈整合加速，具備技術(shù)迭代能力、客戶協(xié)同深度及資本化清晰路徑的企業(yè)，將主導(dǎo)下一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)。（韋豪創(chuàng)芯）
4.什么！美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體關(guān)稅又反轉(zhuǎn)？沒事，我們反正還有AI！
“突發(fā)！電子產(chǎn)品重磅利好，關(guān)稅豁免?！薄胺崔D(zhuǎn)了！又不豁免關(guān)稅?！薄癏20出口管制取消！”“關(guān)稅豁免最終版本來了！”“又雙叕反轉(zhuǎn)了，電子產(chǎn)品還將加征關(guān)稅！”“H20之外，AMD MI308也被禁！”
過去一周的時(shí)間里，整個(gè)業(yè)界都在圍繞關(guān)稅豁免、半導(dǎo)體關(guān)稅、H20出口管制等消息，不斷地反轉(zhuǎn)又反轉(zhuǎn)。原本嚴(yán)肅的話題，愣是給整出了“戲劇效果”。
先簡(jiǎn)要梳理一下，特朗普宣布“對(duì)等關(guān)稅”以來，對(duì)華加征關(guān)稅的主要脈絡(luò)：2月至3月，美國(guó)政府分階段對(duì)中國(guó)商品加征20%的關(guān)稅；4月2日，特朗普簽署行政令，宣布對(duì)所有貿(mào)易伙伴征收“對(duì)等關(guān)稅”，其中對(duì)中國(guó)額外加征34%，使累計(jì)稅率升至54%；4月9日，特朗普在社交媒體宣布，將對(duì)中國(guó)輸美商品的關(guān)稅提高至125%（疊加此前20%，實(shí)際累計(jì)稅率達(dá)145%）。最新的消息是，4月16日對(duì)華加征的關(guān)稅達(dá)到245%。然后很快又出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，美國(guó)白宮的這項(xiàng)新的宣布不是行政令，而是陳述事實(shí)性的Fact sheet文件。含義是某些商品的關(guān)稅最高達(dá)到245%。目的在于恐嚇。
對(duì)于電子產(chǎn)品、芯片等產(chǎn)品的關(guān)稅變化梳理：4月11日，美國(guó)海關(guān)與邊境保護(hù)局低調(diào)豁免智能手機(jī)、筆記本電腦、芯片等20類電子產(chǎn)品的“對(duì)等關(guān)稅”，追溯至4月5日。此舉被解讀為美國(guó)科技行業(yè)（如蘋果、三星）施壓的結(jié)果，避免供應(yīng)鏈崩潰。此后，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)盧特尼克威脅稱，電子產(chǎn)品的豁免只是“暫時(shí)性的”，未來將單獨(dú)對(duì)半導(dǎo)體、手機(jī)、電腦等征收“半導(dǎo)體關(guān)稅”，預(yù)計(jì)1-2個(gè)月內(nèi)實(shí)施。
對(duì)于英偉達(dá)H20芯片的出口管制政策同樣經(jīng)歷了多次戲劇性反轉(zhuǎn)：1月份，特朗普政府開始研究擴(kuò)大對(duì)華芯片出口限制，計(jì)劃將H20納入管制清單。2月份，美國(guó)議員聯(lián)名敦促商務(wù)部采取行動(dòng)。4月4日，英偉達(dá)CEO黃仁勛出席特朗普的海湖莊園晚宴（據(jù)稱需支付100萬美元入場(chǎng)費(fèi)），游說美國(guó)政府放棄限制。4月9日，白宮改變立場(chǎng)，暫緩H20出口管制計(jì)劃，英偉達(dá)股價(jià)短暫企穩(wěn)。4月9日，美國(guó)政府突然通知英偉達(dá)，H20芯片對(duì)華出口需許可證，并追溯至4月5日。4月14日，美方確認(rèn)管制措施“無限期有效”，徹底封殺H20對(duì)華出口。
面對(duì)這樣的變化無常，最忙的一群人中，絕對(duì)有產(chǎn)業(yè)分析師和行業(yè)媒體人。當(dāng)然，也包括美國(guó)同行。特朗普在社交媒體上突然發(fā)一句話，你得去解讀吧。特朗普說的話，跳躍性還特強(qiáng)，說著說著就會(huì)跳到，在處理這件事當(dāng)中他做了多少功績(jī)，前任拜登政府做得有多么糟糕，他給擦了多少“屁股”，等等。這樣一來，媒體不僅要去掉無用信息，還得將缺失跳過的信息補(bǔ)全，還得想著如何去解讀。
比如上述關(guān)稅豁免，消息來得十分突然。大家對(duì)是否真的豁免，怎么豁免，為什么豁免，豁免影響等都要展開“激烈的學(xué)習(xí)和討論”。更重要的是，它還總在變化，沒準(zhǔn)前一刻寫出來的報(bào)告，后一刻就作廢了，還要重新寫過！
當(dāng)然，面對(duì)這樣的情況。從業(yè)者們也不是完全沒有應(yīng)對(duì)之道。比如可以寫一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)版的稿子，然后根據(jù)新的情況修修改改，就可以應(yīng)付過去?；蛘吒阋粋€(gè)“資源池”，如果有了新情況，從中選擇貼近的內(nèi)容，略作修改。最給力的是，現(xiàn)在AI可以幫上大忙了。盡管不能全部交付給AI來做，但是從查詢背景資料，到填充框架細(xì)節(jié)，可以做的工作有很多，絕對(duì)是應(yīng)付當(dāng)前問題的利器。
不再多說廢話！下面簡(jiǎn)述一下對(duì)當(dāng)前形勢(shì)的一些觀點(diǎn)。在“對(duì)等關(guān)稅”框架下，半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)品被列入豁免清單，暫時(shí)免于新增的關(guān)稅。但是美國(guó)政府已明確表示這種豁免只是臨時(shí)措施。這種政策搖擺反映了美國(guó)政府在半導(dǎo)體關(guān)稅問題上的兩難處境：既希望通過對(duì)華施壓實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈重組和制造業(yè)回流，想讓臺(tái)積電、三星、海力士這些全球主要半導(dǎo)體制造廠及富士康這些電子產(chǎn)業(yè)鏈都搬去美國(guó)，又不得不考慮美國(guó)科技企業(yè)的現(xiàn)實(shí)需求和全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的復(fù)雜性。
比如這些公司搬去美國(guó)制造，就有可能面臨中國(guó)的125%關(guān)稅。這相當(dāng)于將全部?jī)扇f億進(jìn)口芯片都納入關(guān)稅戰(zhàn)。雖然臺(tái)積電大客戶是美國(guó)公司，但是高通、蘋果的大客戶又是中國(guó)。以后這些外資大廠芯片在美國(guó)造，中國(guó)要收巨額關(guān)稅，在其他地方造，美國(guó)要收巨額關(guān)稅。這種政策搖擺反映了美國(guó)政府在半導(dǎo)體關(guān)稅問題上的兩難處境。
因此，短期來看，未來美國(guó)可能會(huì)對(duì)芯片、手機(jī)等單獨(dú)征稅，但稅率和范圍仍存變數(shù)。長(zhǎng)期來看，將加速中國(guó)半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。全球供應(yīng)鏈進(jìn)一步區(qū)域化，企業(yè)可能轉(zhuǎn)向印度、越南、墨西哥等地規(guī)避關(guān)稅。
不過，上面這些解讀，讀者大人您隨便看一下就好。沒準(zhǔn)什么時(shí)候又反轉(zhuǎn)了呢（^=^)！現(xiàn)在，判斷美國(guó)政策已成玄學(xué)，沒有太多實(shí)質(zhì)性意義，與其跟在后面撕報(bào)告，不如把握兩個(gè)顛撲不破的邏輯：1.中國(guó)半導(dǎo)體與AI產(chǎn)業(yè)鏈必將加速去美化進(jìn)程，國(guó)產(chǎn)替代加速；2.在電子產(chǎn)品方面，美國(guó)短時(shí)間沒有辦法填補(bǔ)中國(guó)供應(yīng)鏈的缺口。
此次關(guān)稅貿(mào)易戰(zhàn)的本質(zhì)是科技戰(zhàn)。這是在2018年那一輪較量中就得出的結(jié)論，現(xiàn)在依然有效。所以今后要做的就是，舉國(guó)之力投入高端芯片、關(guān)鍵設(shè)備材料等卡脖子環(huán)節(jié)中去，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代與安全發(fā)展。這將是中國(guó)產(chǎn)業(yè)界面對(duì)霸凌，敢于硬剛的底氣。
5.英偉達(dá)CEO黃仁勛再次到訪北京：希望繼續(xù)與中國(guó)合作！
4月17日，應(yīng)中國(guó)貿(mào)促會(huì)邀請(qǐng)，英偉達(dá)公司首席執(zhí)行官黃仁勛抵達(dá)北京。央視報(bào)道稱，黃仁勛在會(huì)談中表示，中國(guó)是英偉達(dá)非常重要的市場(chǎng)，希望將繼續(xù)與中國(guó)合作。
中國(guó)貿(mào)促會(huì)會(huì)長(zhǎng)任鴻斌在北京與黃仁勛舉行了會(huì)談。
針對(duì)美國(guó)政府決定對(duì)英偉達(dá)對(duì)華出口的H20芯片，黃仁勛表示，美國(guó)政府加強(qiáng)芯片出口管制已對(duì)英偉達(dá)業(yè)務(wù)產(chǎn)生重大影響，當(dāng)前全球正掀起一場(chǎng)激烈的人工智能競(jìng)賽，作為當(dāng)代最具變革性的核心技術(shù)，AI對(duì)各行業(yè)發(fā)展的推動(dòng)前景廣闊，世界各國(guó)都在加速推進(jìn)技術(shù)應(yīng)用，研發(fā)創(chuàng)新與能力提升，這必將對(duì)包括中國(guó)在內(nèi)的全球市場(chǎng)格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。作為深耕中國(guó)市場(chǎng)三十載的企業(yè)，我們與中國(guó)市場(chǎng)共同成長(zhǎng)、相互成就。中國(guó)不僅是全球最具規(guī)模的消費(fèi)市場(chǎng)之一，其蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)與領(lǐng)先的軟件實(shí)力，更成為我們持續(xù)創(chuàng)新的重要?jiǎng)恿?，在中?guó)市場(chǎng)的成功經(jīng)驗(yàn)推動(dòng)我們不斷加大研發(fā)投入，而與中國(guó)企業(yè)的深度合作，也使我們成長(zhǎng)為更具競(jìng)爭(zhēng)力的國(guó)際化企業(yè)。因此，我們將繼續(xù)不遺余力優(yōu)化符合監(jiān)管要求的產(chǎn)品體系，堅(jiān)定不移地服務(wù)中國(guó)市場(chǎng)。
黃仁勛還表示，AI已經(jīng)在諸多領(lǐng)域產(chǎn)生了重大影響，例如在軟件編程方面，如今幾乎所有的英偉達(dá)員工都會(huì)借助AI進(jìn)行輔助開發(fā)，我們將AI應(yīng)用于科研探索、用于芯片設(shè)計(jì)、用于供應(yīng)鏈管理，人工智能正在深刻改變眾多行業(yè)的發(fā)展格局，但這僅僅是個(gè)開端。無論是醫(yī)療健康、金融服務(wù)、氣候科技，還是制造業(yè)，每個(gè)行業(yè)都將迎來人工智能引發(fā)的顛覆性變革。
今年1月，英偉達(dá)CEO黃仁勛現(xiàn)身中國(guó)深圳及北京，參加公司年會(huì)。
報(bào)道稱，談到英偉達(dá)在中國(guó)的發(fā)展，黃仁勛表示，英偉達(dá)在中國(guó)已經(jīng)有25年歷史，Geforce顯卡讓公司比很多科技企業(yè)都要更早進(jìn)入中國(guó)，并笑稱“許多中國(guó)研究者都是用英偉達(dá)的顯卡玩著游戲長(zhǎng)大的，我已經(jīng)為這一天培養(yǎng)了你們很多年?！?/p>
黃仁勛說，英偉達(dá)在北京、上海、深圳擁有近4000名員工，中國(guó)員工流動(dòng)率是全球最低的，每年離職率僅0.9％。
此前有報(bào)道稱，英偉達(dá)2024年在中國(guó)再招聘數(shù)百名員工，以增強(qiáng)自動(dòng)駕駛技術(shù)等方面的研究能力。
6.臺(tái)積電魏哲家首談關(guān)稅議題，親自破除與英特爾合資傳言
臺(tái)積電4月17日下午舉辦2025年第一季度法說會(huì)，該公司董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家、財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭、法人關(guān)系處處長(zhǎng)蘇志凱出席。魏哲家在會(huì)上澄清臺(tái)積電目前沒有合資公司的討論，正面回應(yīng)了市場(chǎng)傳聞臺(tái)積電將與英特爾合資在美國(guó)設(shè)廠的消息。另外針對(duì)關(guān)稅威脅，魏哲家表示，目前客戶訂單沒有減少，確切影響還要再觀察。
Q1利潤(rùn)大增60.4% 每天可賺40.17億元新臺(tái)幣
臺(tái)積電2025年第一季度的財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，第一季度的合并營(yíng)收為8392.5億元新臺(tái)幣，稅后凈利潤(rùn)約為3615.6億元新臺(tái)幣，每股盈利為13.94元新臺(tái)幣，約每天可賺40.17億元新臺(tái)幣（當(dāng)前約合9.08億元人民幣）。
與去年同期相比，臺(tái)積電2025年第一季度的營(yíng)收增長(zhǎng)41.6%，稅后凈利潤(rùn)增長(zhǎng)60.3%，每股盈利增長(zhǎng)了60.4%。與2024年第四季度相比，第一季度的營(yíng)收和稅后凈利潤(rùn)分別下降了3.4%和3.5%。
以美元計(jì)算，臺(tái)積電2025年第一季度的營(yíng)收為255.3億美元，比去年同期增長(zhǎng)了35.3%，比前一季度下降了5.1%。第一季度的毛利率為58.8%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為48.5%，稅后凈利潤(rùn)率為43.1%。
在臺(tái)積電的晶圓銷售中，3nm制程出貨占比22%，5nm制程出貨占比36%，7nm制程出貨占比15%?？傮w來看，先進(jìn)制程（包括7nm和更先進(jìn)的制程）的營(yíng)收占到了全季晶圓銷售額的73%。
Q2營(yíng)收約284億~292億美元 全年資本支出380億~420億美元
法說會(huì)上，黃仁昭提到，臺(tái)積電在美元兌新臺(tái)幣32.5假設(shè)下，預(yù)估今年第二季度美元營(yíng)收介于284億~292億美元之間，平均值較第一季度增長(zhǎng)12.8%。相關(guān)數(shù)據(jù)優(yōu)于法人預(yù)估季增中個(gè)位數(shù)6%上下。毛利率57%~59%，營(yíng)益率47%~49%。
魏哲家并強(qiáng)調(diào)，預(yù)計(jì)第二季度營(yíng)收因客戶3nm強(qiáng)勁需求而復(fù)蘇，整體晶圓代工2.0將因AI需求持續(xù)增長(zhǎng)。
對(duì)于資本支出，臺(tái)積電數(shù)據(jù)顯示今年首季資本支出100.6億美元，較去年第四季度的112.3億美元略降。臺(tái)積電提到，2025年資本支出預(yù)算為380億~420億美元維持不變，其中約70%用于先進(jìn)制程，10%~20%用于特殊制程，10%~20%用于先進(jìn)封裝等。
對(duì)于市場(chǎng)上CoWoS的謠言，臺(tái)積電表示，過去CoWoS的需求遠(yuǎn)超出臺(tái)積電的產(chǎn)能，現(xiàn)在仍是滿足需求，但臺(tái)積電的CoWoS的產(chǎn)能略有好轉(zhuǎn)，明年預(yù)計(jì)供需平衡有望改善。
首談關(guān)稅議題 魏哲家：臺(tái)積電客戶態(tài)度沒有任何改變
在法說會(huì)上，魏哲家提到，雖然近期關(guān)稅因素帶來風(fēng)險(xiǎn)與不確定因素，但尚未看見客戶態(tài)度出現(xiàn)改變，并重申全年美元營(yíng)收維持增長(zhǎng)中雙位數(shù)增長(zhǎng)（24%~26%，約25%）預(yù)估不變。
終端客戶并未因?yàn)殛P(guān)稅問題而減少訂單，魏哲家證實(shí)，AI、HPC所帶動(dòng)的需求持續(xù)強(qiáng)勁，展現(xiàn)臺(tái)積電強(qiáng)大的議價(jià)能力。
對(duì)于關(guān)稅影響，魏哲家稱，可能會(huì)在未來幾個(gè)月內(nèi)獲得更多信息，將繼續(xù)密切關(guān)注對(duì)終端市場(chǎng)需求的潛在影響，并謹(jǐn)慎管理業(yè)務(wù)。在充滿不確定性的情況下，臺(tái)積電繼續(xù)專注于業(yè)務(wù)基本面。他表示，臺(tái)積電有信心在2025年能夠超越晶圓代工2.0的年增長(zhǎng)。
魏哲家親自澄清 破除與英特爾合資傳言
此前市場(chǎng)有消息稱，英特爾與臺(tái)積電已經(jīng)達(dá)成了雙方成立合資企業(yè)的初步協(xié)議，雙方將共同運(yùn)營(yíng)英特爾在美國(guó)的晶圓廠。對(duì)此，魏哲家在法說會(huì)上強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電未參與任何有關(guān)與其他公司合資、技術(shù)授權(quán)或技術(shù)移轉(zhuǎn)的討論，粉碎外界傳聞。
報(bào)道稱，美國(guó)白宮和商務(wù)部官員一直敦促臺(tái)積電和英特爾達(dá)成協(xié)議，以解決英特爾的長(zhǎng)期危機(jī)。而在英特爾和臺(tái)積電成立的合資公司當(dāng)中，臺(tái)積電將擁有合資企業(yè)20%的股份，英特爾和其他美國(guó)投資者將持有超過50%的股份，這也意味著美方仍對(duì)晶圓廠占據(jù)主導(dǎo)地位。
魏哲家直言，臺(tái)積電目前沒有與其他公司進(jìn)行任何合資技術(shù)授權(quán)、技術(shù)轉(zhuǎn)移和共享的洽談。
強(qiáng)調(diào)美國(guó)設(shè)廠為滿足客戶需求，30%的2nm以下先進(jìn)制程產(chǎn)能將在美國(guó)廠生產(chǎn)
魏哲家提到，臺(tái)積電有意加碼美國(guó)千億美元投資，預(yù)估項(xiàng)目投資到位后，30%的2nm以下先進(jìn)制程產(chǎn)能將在亞利桑那廠生產(chǎn)。
他強(qiáng)調(diào)，在美國(guó)亞利桑那州廠的投資，是為滿足客戶在AI、智能手機(jī)芯片需求，重申將增加3座Gigafab（超大型晶圓廠）。
魏哲家稱，來自美國(guó)市場(chǎng)非常強(qiáng)勁的AI需求，包含蘋果、英偉達(dá)、AMD、高通與博通等，因此臺(tái)積必須擴(kuò)充產(chǎn)能，進(jìn)而支持這些客戶。
魏哲家表示，預(yù)估美國(guó)投資項(xiàng)目完成后，約30%的2nm及以下制程產(chǎn)能將位于亞利桑那州，從而在美國(guó)形成一個(gè)獨(dú)立的前沿制造業(yè)集群，也將會(huì)創(chuàng)造更大的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，并有助于在美國(guó)培育更完整的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)，從而使臺(tái)積電能夠繼續(xù)在幫助客戶取得成功方面發(fā)揮關(guān)鍵且不可或缺的作用。
另外對(duì)于此前市場(chǎng)傳聞傳出“臺(tái)積電將召回日本計(jì)劃”的消息，魏哲家堅(jiān)決表示“不！”強(qiáng)調(diào)不會(huì)放緩日本和德國(guó)投資。
7.英特爾須獲得許可 才能向中國(guó)客戶銷售部分AI芯片
美國(guó)芯片大廠英特爾（Intel）已告知中國(guó)客戶，該公司開始需要獲得許可證，才能銷售部分先進(jìn)人工智能（AI）處理器。
根據(jù)公司郵件及知情人士，英特爾上周告訴中國(guó)客戶，該公司部分先進(jìn)AI處理器的銷售將開始需要許可證。
英特爾稱，如果其芯片的總DRAM帶寬達(dá)到1400GB/s或以上、輸入輸出(I/O）帶寬達(dá)到1100GB/s或以上，或兩者總帶寬達(dá)到1700GB/s或以上，則需要獲得向中國(guó)出口的許可證。英特爾的Gaudi系列遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了這些要求。
不久之前，美國(guó)政府對(duì)英偉達(dá)（Nvidia）銷往中國(guó)的H20芯片實(shí)施出口管制。英偉達(dá)表示，在美國(guó)政府限制其H20人工智能芯片向中國(guó)出口后，該公司將承擔(dān)55億美元（約合人民幣402億元）的費(fèi)用，這些費(fèi)用與H20產(chǎn)品的庫(kù)存、購(gòu)買承諾和相關(guān)儲(chǔ)備有關(guān)。
此外，當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月15日，美國(guó)商務(wù)部表示，將對(duì)AMD的MI308人工智能芯片及其同類產(chǎn)品向中國(guó)發(fā)布新的出口許可要求。
8.美光組建新“云存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門”，聚焦AI數(shù)據(jù)中心/HBM芯片等
美光科技宣布，正在重組旗下業(yè)務(wù)部門，專注于滿足大型云服務(wù)提供商對(duì)其存儲(chǔ)芯片的人工智能（AI）相關(guān)需求。
美光新的“云存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門”將專注于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心使用的產(chǎn)品，以及有助于快速執(zhí)行數(shù)據(jù)密集型AI任務(wù)的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片。
HBM芯片因其與AI GPU（尤其是英偉達(dá)GPU）的協(xié)同作用而受到投資者的密切關(guān)注。美光科技是全球三大存儲(chǔ)芯片制造商之一，與韓國(guó)SK海力士和三星電子并列。
今年3月，美光科技預(yù)測(cè)季度營(yíng)收將高于華爾街預(yù)期，這得益于市場(chǎng)對(duì)HBM的需求。
專注于HBM的新部門將由Raj Narasimhan領(lǐng)導(dǎo)，他曾領(lǐng)導(dǎo)過之前的“計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門”。在舊架構(gòu)下，該部門涵蓋數(shù)據(jù)中心、個(gè)人電腦（PC）、圖形和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品。
其他新部門包括“核心數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門”，該部門將專注于為數(shù)據(jù)中心設(shè)備制造商客戶提供內(nèi)存和閃存產(chǎn)品。
新的“移動(dòng)和客戶端業(yè)務(wù)部門”將服務(wù)于移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)，而“汽車和嵌入式業(yè)務(wù)部門”將專注于汽車、工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域。
所有部門都將由美光公司現(xiàn)有高管領(lǐng)導(dǎo)。
9.國(guó)巨大幅提高收購(gòu)價(jià)，與美蓓亞三美爭(zhēng)奪芝浦電子
中國(guó)臺(tái)灣電子元件制造商國(guó)巨（Yageo）計(jì)劃大幅提高對(duì)芝浦電子（Shibaura）的收購(gòu)價(jià)，以對(duì)抗日本零部件供應(yīng)商美蓓亞三美（MinebeaMitsumi）的“白衣騎士”收購(gòu)要約，這場(chǎng)爭(zhēng)奪擁有世界一流傳感器技術(shù)的日本公司的收購(gòu)戰(zhàn)可能即將升級(jí)。
據(jù)報(bào)道，國(guó)巨計(jì)劃以每股5400日元的價(jià)格收購(gòu)芝浦電子，高于目前的每股4300日元，調(diào)高約25.6%。這超過了美蓓亞三美4月10日宣布的每股4500日元的收購(gòu)要約。
該收購(gòu)要約將提高TOB（收購(gòu)要約收購(gòu)）之爭(zhēng)的籌碼。美蓓亞三美提出這一要約是為了對(duì)抗這家中國(guó)臺(tái)灣公司最初的主動(dòng)收購(gòu)要約，并將芝浦尖端的傳感器技術(shù)掌握在日本人的手中。
芝浦是高精度溫度傳感器（即熱敏電阻）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，而熱敏電阻是電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車、工業(yè)機(jī)器人和風(fēng)力渦輪機(jī)的關(guān)鍵部件。
國(guó)巨于今年2月初首次宣布其收購(gòu)計(jì)劃。根據(jù)該計(jì)劃，國(guó)巨將通過要約收購(gòu)的方式收購(gòu)芝浦的全部股份。國(guó)巨創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)陳泰銘明確表示，即使芝浦不同意，國(guó)巨也打算從5月7日開始執(zhí)行要約收購(gòu)。
隨著“白衣騎士”美蓓亞三美的出現(xiàn)，國(guó)巨的下一步行動(dòng)備受關(guān)注。
通過提供高于美蓓亞三美的收購(gòu)要約價(jià)格，國(guó)巨將展現(xiàn)其收購(gòu)芝浦的強(qiáng)烈意愿。國(guó)巨似乎已經(jīng)得出結(jié)論，認(rèn)為此舉可以進(jìn)一步提升芝浦的價(jià)值，并在與芝浦管理層會(huì)面后決定提高要約價(jià)格。
國(guó)巨在一份聲明中表示：“國(guó)巨是最大化芝浦增長(zhǎng)潛力的最佳合作伙伴。我們將繼續(xù)真誠(chéng)地尋求芝浦董事會(huì)和特別委員會(huì)對(duì)TOB的批準(zhǔn)?！?/p>
芝浦自收到收購(gòu)提議以來一直在與國(guó)巨進(jìn)行談判，但4月10日，當(dāng)美蓓亞三美宣布將以每股4500日元的價(jià)格進(jìn)行TOB時(shí)，芝浦卻表示支持該收購(gòu)方案，明確反對(duì)國(guó)巨的收購(gòu)提議。
隨著國(guó)巨提高收購(gòu)價(jià)格，焦點(diǎn)現(xiàn)在轉(zhuǎn)向美蓓亞三美是否會(huì)出價(jià)更高，超越國(guó)巨。事態(tài)已經(jīng)演變成國(guó)巨和美蓓亞三美之間爭(zhēng)奪芝浦估值的競(jìng)爭(zhēng)。
芝浦股價(jià)周四收于4770日元，超過了美蓓亞三美的報(bào)價(jià)。
10.法國(guó)AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉
法國(guó)氮化鋁（AlN）初創(chuàng)公司EasyGaN因未能籌集到更多資金而倒閉。
這家位于法國(guó)Sophia Antipolis的公司，正在利用分子束外延（MBE）技術(shù)在硅晶圓上開發(fā)AlN層，該技術(shù)比其他技術(shù)能夠更精確地控制材料結(jié)構(gòu)。
這項(xiàng)由法國(guó)研究實(shí)驗(yàn)室CRNS開發(fā)的技術(shù)，能夠制造出比傳統(tǒng)晶圓技術(shù)薄三倍的層，可供代工廠和芯片公司用于生產(chǎn)毫米波射頻芯片。此外，該公司還在考慮開發(fā)一種基于氮化鎵（GaN）的版本，同樣用于射頻芯片。
EasyGaN CEO、前英特爾平臺(tái)經(jīng)理Andre Bonnardot表示：“盡管我們盡了最大努力，但仍未能獲得繼續(xù)開展項(xiàng)目所需的資金。如果您對(duì)我們通過MBE開發(fā)的AlN和硅基GaN技術(shù)感興趣，請(qǐng)聯(lián)系CRHEA/CNRS實(shí)驗(yàn)室的Fabrice Semond，他負(fù)責(zé)并支持了我們。”
EasyGaN網(wǎng)站現(xiàn)已關(guān)閉。
