近期中國互聯(lián)網(wǎng)上出現(xiàn)了依托大型同步輻射光源的EUV“光刻廠”概念，但對于其可行性專家們各執(zhí)一詞。

對于這一問題，有俄羅斯專家指出，為了產(chǎn)生所需功率的EUV輻射，中國需要建造一個直徑為100至150m的加速器環(huán)，其足以生產(chǎn)工藝標(biāo)準(zhǔn)達(dá)到2納米的芯片，ASML目前正在批量生產(chǎn)先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，可用于生產(chǎn)3nm芯片。而要達(dá)到2納米，還必須開發(fā)更強(qiáng)大的EUV光源，就復(fù)雜性而言，這與中國的EUV“槍”項目相差不遠(yuǎn)，然而專家也指出，同步加速器只是光刻的替代光源，還需要制造適當(dāng)?shù)墓饪棠z、光掩模和特殊光學(xué)器件來控制輻射和聚焦光束，這并不比開發(fā)輻射光源更簡單，這就是為什么中國還需要很多年才能建立可靠的納米級芯片大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng)。

俄羅斯專家還提到，該國目前也正在依托同步加速器開發(fā)X射線光刻技術(shù)。

另一位俄羅斯專家Nikolai Chkhalo對光刻技術(shù)的發(fā)展方向有著更為批判的看法：“美國和日本都曾嘗試使用同步加速器進(jìn)行光刻，對它們進(jìn)行了投影電路、光學(xué)器件的測試，但都沒有人有意組織它們進(jìn)行生產(chǎn)，因為它非常昂貴且不可靠。你可以同時在同步加速器周圍放置光刻機(jī)臺，但它會不斷發(fā)生一些故障?！?/span>