3月16日，經(jīng)濟學人發(fā)文，ASML的光刻技術正使其成為全球科技博弈的核心。日本競爭對手佳能押注于更簡單廉價的技術，試圖打破ASML的壟斷。但與軟件行業(yè)領導地位可能數(shù)月易主不同，光刻技術的競賽是場以十年計的馬拉松。要超越ASML絕非易事。這場博弈的焦點，是對將塑造未來計算、AI乃至整個科技走向的核心設備的掌控權。

ASML的尖端設備堪稱工程奇跡。其工作原理是向真空室噴射5萬滴熔融錫珠。每滴錫珠需經(jīng)歷兩次激光沖擊：第一次弱激光脈沖將其壓扁為微型薄餅，第二次強激光將其汽化。這一過程使錫滴轉化為高溫等離子體，溫度高達22萬攝氏度（約為太陽表面溫度的40倍），并發(fā)射極短波長的極紫外光（EUV）。隨后，這種光線經(jīng)多層超平滑鏡面反射，聚焦于載有芯片電路藍圖的掩膜版，最終將設計圖案蝕刻到涂有感光化學物質的硅晶圓上。

ASML的設備對現(xiàn)代芯片制造不可或缺。臺積電、三星和英特爾等巨頭依賴其生產(chǎn)從AI加速器到智能手機芯片的尖端處理器。目前沒有其他公司能可靠制造用于7納米及更先進制程的光刻機。即便在成熟工藝（14納米及以上）領域，該公司設備市占率也超過90%。

雖然ASML未披露具體數(shù)字，但其最新EUV機型價格幾乎是前代兩倍。Hyper-NA系統(tǒng)將更昂貴。盡管公司強調尚無量產(chǎn)保證，技術總監(jiān)Jos Benschop認為若需求存在，Hyper-NA設備可能在5-10年內面世。

曾經(jīng)的行業(yè)霸主佳能另辟蹊徑，押注納米壓?。∟IL）技術。該工藝如同印刷機將電路模板直接壓印至晶圓，理論上能以納米級精度、低成本和小體積挑戰(zhàn)EUV。其流程包括電子束刻制母版、液態(tài)樹脂滴注、紫外光固化等步驟。佳能稱其設備成本比EUV低40%，但面臨缺陷控制（模板微粒會導致整片晶圓缺陷）、層間對準精度（需納米級對齊）、生產(chǎn)效率（目前每小時110片，僅為EUV的60%）等挑戰(zhàn)。

目前NIL在存儲芯片和手機屏幕等領域取得了突破。佳能光學部門負責人巖本和紀認為，NIL可與EUV互補，在非精密環(huán)節(jié)降低成本。隨著技術進步，這種顛覆性工藝或催生更快、更節(jié)能的AI芯片。