據悉，三星電子3月初已在其韓國華城園區(qū)引進下一代半導體光刻設備“高數值孔徑（NA）極紫外（EUV）光刻設備（High NA EUV）”——EXE:5000。High NA EUV是實現(xiàn)2nm以下超精細電路的必備設備，這被解讀為三星電子提高2nm以下工藝完善程度的舉措。

報道稱，該設備價格昂貴，價值達5000億韓元（約25.01億元人民幣），而且全球只有ASML公司供應。

三星電子自去年以來一直對High NA EUV設備進行工藝應用評估，據稱計劃將其用于2nm以下的下一代半導體工藝。

High NA EUV被視為2nm以下的下一代代工工藝的必備設備。全球半導體公司也紛紛競相引入High NA EUV。據悉，英特爾已簽署購買共六臺設備的合同，其中包括2023年交付的首臺設備。臺積電近期也引進了設備，加速2nm工藝的導入。

據市調機構TrendForce統(tǒng)計，臺積電去年第四季晶圓代工市場份額為67.1%，較上年第三、四季度分別上升2.4個百分點。另一方面，三星電子在市場上陷入困境，同期從9.1%下跌1個百分點至8.1%。