三星電子正加大對經(jīng)驗(yàn)豐富的高帶寬存儲器（HBM）專家的招聘力度，力爭重奪半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位，押注其在疲軟的第二季度后將出現(xiàn)反彈。

相比之下，三星正在縮減其表現(xiàn)不佳的晶圓代工部門的資深招聘規(guī)模，突顯其專注于HBM領(lǐng)域，該領(lǐng)域目前落后于本土競爭對手SK海力士。

此次招聘的目標(biāo)是招募精通下一代半導(dǎo)體和芯片封裝技術(shù)的資深工程師，包括混合鍵合技術(shù)，該工藝被視為提升人工智能（AI）和其他計(jì)算應(yīng)用性能的關(guān)鍵。

據(jù)三星電子稱，負(fù)責(zé)公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門計(jì)劃在其九個(gè)主要業(yè)務(wù)部門中的六個(gè)部門招聘經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人員，分別是存儲芯片業(yè)務(wù)、代工廠、半導(dǎo)體研究中心、全球制造和基礎(chǔ)設(shè)施、測試和系統(tǒng)封裝以及AI中心。

三星將于8月19日前開放下半年招聘申請。該公司拒絕透露目標(biāo)員工人數(shù)。但行業(yè)觀察人士預(yù)計(jì)招聘規(guī)模將大幅擴(kuò)大，這表明存儲芯片市場正在復(fù)蘇。三星預(yù)計(jì)，在HBM產(chǎn)品的推動(dòng)下，下半年盈利將出現(xiàn)反彈。

具體來說，三星正在尋找能夠?yàn)橄冗M(jìn)HBM設(shè)計(jì)新架構(gòu)的封裝開發(fā)專家，而產(chǎn)品規(guī)劃人員則負(fù)責(zé)與對定制HBM感興趣的客戶進(jìn)行溝通。

定制HBM是指垂直堆疊DRAM產(chǎn)品的版本，其底層芯片配備了客戶指定的功能。三星預(yù)計(jì)將最早于2026年將定制化HBM推向市場，以縮小與SK海力士的差距。

三星正在努力改進(jìn)混合鍵合技術(shù)，該技術(shù)無需使用凸塊（目前在HBM生產(chǎn)中用于堆疊DRAM芯片的微型連接器），而是將芯片直接連接在一起。該技術(shù)對于生產(chǎn)16層或更多DRAM層的產(chǎn)品至關(guān)重要，因?yàn)樗梢詼p少HBM堆棧的厚度并降低發(fā)熱量。

12層HBM3E是目前量產(chǎn)的最先進(jìn)的AI內(nèi)存芯片。SK海力士于2025年初成為全球首家展示16層HBM3E芯片的公司。

同時(shí)，三星將在2025年下半年停止系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的資深招聘。該部門負(fù)責(zé)開發(fā)Exynos應(yīng)用處理器和圖像傳感器等非存儲芯片產(chǎn)品，該部門第二季度的虧損進(jìn)一步擴(kuò)大。

與晶圓代工部門一樣，系統(tǒng)LSI部門也是拖累三星季度業(yè)績的主要因素之一。

三星DS部門第二季度營業(yè)利潤為4000億韓元（2.88億美元），創(chuàng)下自2023年第四季度2萬億韓元營業(yè)虧損以來的最低水平。（校對/趙月）