展位信息

愛德萬測試：A14

展會地點(diǎn)：上海嘉定喜來登大酒店

(嘉定區(qū)菊園新區(qū)嘉唐公路66號）

展會時(shí)間：2025年8月5-7日

隨著3D先進(jìn)封裝芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，密度高、結(jié)構(gòu)精細(xì)的特征使封裝級失效點(diǎn)隱蔽多樣，增加了封裝級失效分析難度。

ESD電容引起的強(qiáng)衰減，信號幅度降低，失效難以識別，無法直接檢測Die內(nèi)部失效

愛德萬測試TS9001TDR創(chuàng)新性地融合時(shí)域反射技術(shù)與仿真分析，精準(zhǔn)定位封裝級失效，推出兩大核心檢測方法：

波形歸一化(Normalization)

與良品波形進(jìn)行歸一化，消除ESD影響，突顯失效點(diǎn)的時(shí)域反射

近芯片校正(Near-Die Correction)

焊球到微凸點(diǎn)之間路徑長度不一致，工藝公差導(dǎo)致波形幅度/時(shí)間偏移

定義KGR(已知良區(qū))，進(jìn)行如下最小二乘校正

校正后再歸一化→消除樣本差異，提高識別精度