2025年8月5日，第26屆電子封裝技術(shù)國際會議（ICEPT 2025）盛大開幕。勝科納米研發(fā)團隊表現(xiàn)亮眼，6篇被錄用論文悉數(shù)亮相，其中 5 篇論文以海報形式展示，另有1篇論文成果《Comparison of moisture penetration speed in two types of SOP》獲邀于8月7日進行口頭報告。
關(guān)于ICEPT
第26屆電子封裝技術(shù)國際會議（ICEPT 2025）于2025年8月5-7日在上海舉行。作為亞洲地區(qū)規(guī)模最大、最具影響力的封裝技術(shù)會議，ICEPT已成功召開二十五屆，吸引大批國內(nèi)外高校、研究機構(gòu)、電子封裝產(chǎn)業(yè)相關(guān)廠商以及來自近20個國家和地區(qū)，超過800位知名專家、學(xué)者和企業(yè)界人士踴躍參與。
高溫高濕條件下，封裝材料的濕氣滲透會導(dǎo)致器件腐蝕、分層甚至失效，嚴(yán)重影響產(chǎn)品壽命。針對這一問題，Lois博士在8月7日的精彩報告中，詳細(xì)介紹了勝科納米在SOP封裝濕氣滲透研究的最新發(fā)現(xiàn)。該研究聚焦于兩種類型 SOP的濕氣滲透速度比較，通過科學(xué)的實驗設(shè)計和精準(zhǔn)的檢測分析，深入探究了兩種 SOP在濕氣滲透速率上的差異及背后的原因，為優(yōu)化封裝設(shè)計、提升器件可靠性提供了量化依據(jù)。報告結(jié)束后，多位與會專家就研究方法和實際應(yīng)用與勝科納米技術(shù)專家團隊進行了深入交流。
勝科納米 專家報告環(huán)節(jié)
除口頭報告外，同期展示的5篇論文海報，主題涵蓋硅晶體缺陷表征、BGA焊點失效分析、TOF-SIMS指紋技術(shù)、光刻膠薄膜污染及晶圓精密切割技術(shù)，吸引了眾多與會專家的駐足討論，進一步擴大了公司研究成果的影響力。
勝科納米論文海報
從材料缺陷表征到系統(tǒng)級失效分析，勝科納米此次展示的研究成果貫穿半導(dǎo)體芯片失效分析全鏈條，集中體現(xiàn)了公司在半導(dǎo)體分析檢測領(lǐng)域的深厚積淀與持續(xù)創(chuàng)新能力。
作為半導(dǎo)體分析檢測領(lǐng)域的專業(yè)機構(gòu)，勝科納米將繼續(xù)加大前沿研究投入，積極參與國際學(xué)術(shù)交流，以創(chuàng)新分析檢測技術(shù)助推芯片封裝制造升級，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻力量。
6篇論文的作者和題目為：
1. Lois Liao, Zuohuan Yu, Guoshun Wu, Xi Zhang, Lei Zhu, Younan Hua and Xiaomin Li. Comparison of moisture penetration speed in two types of SOP. Paper ID: 09.
2. Younan Hua, Lois Liao and Xiaomin Li. Studies of Silicon Crystalline Defects Delineation Method and Application in Failure Analysis. Paper ID: 12.
3. Lei Zhu, Ke Xu, Eric Lau, Wen Li, Younan Hua, Yanfei Zhao, Xiaodan Luo and Xiaomin Li. Failure Analysis of BGA Dewetting by X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Paper ID: 41.
4. Younan Hua. PDMS Fingerprint of TOF-SIMS Techniques and Applications in Failure Analysis. Paper ID: 45.
5. Yanfei Zhao, Zhiyuan Wang, Tuanqiao Hu, Lei Zhu and Xiaomin Li, Failure Analysis of Surface Contamination on Pellicle Film used in Photolithography. Paper ID: 145.
6. Xiaodan Luo, Yifeng Li, Younan Hua and Xiaomin Li. Precision Dicing Sample Preparation Technique and Application in Failure Analysis of Wafer Fabrication. Paper ID: 358.
