2025 中國存儲芯片行業(yè)上市公司研究報告 | 2025集微半導(dǎo)體大會

作者：愛集微 07-25 11:32

來源：愛集微 #集微大會# #集微報告# #存儲芯片#

1.4w

7月3日—5日，2025第九屆集微半導(dǎo)體大會在上海張江科學(xué)會堂隆重舉辦。峰會期間，愛集微發(fā)布了22份細分行業(yè)深度研究報告，包括晶圓代工、封裝測試、前道設(shè)備、后道設(shè)備、硅片、電子化學(xué)品、高端通用計算芯片等覆蓋設(shè)備材料、設(shè)計、制造、封測全產(chǎn)業(yè)鏈。報告基于海量數(shù)據(jù)與量化分析，旨在為投資機構(gòu)、企業(yè)及政策制定者提供精準(zhǔn)的決策參考。

其中，《2025 中國存儲芯片行業(yè)上市公司研究報告》聚焦全球半導(dǎo)體存儲芯片行業(yè)發(fā)展態(tài)勢及中國上市公司企業(yè)表現(xiàn)，系統(tǒng)呈現(xiàn)了行業(yè)核心數(shù)據(jù)與發(fā)展態(tài)勢，涵蓋行業(yè)整體表現(xiàn)、市場規(guī)模、頭部企業(yè)運營數(shù)據(jù)及未來趨勢等核心內(nèi)容。

從近五年數(shù)據(jù)看，2019年受貿(mào)易摩擦及價格戰(zhàn)影響，全球存儲芯片市場規(guī)模同比下滑32.66%至1064億美元，隨后在5G商用、數(shù)據(jù)中心擴容及消費電子升級驅(qū)動下，2020-2023年市場規(guī)模年復(fù)合增長率達13.2%，其中2021年增速高達30.5%，2022年因PC及智能手機需求疲軟增速放緩至9.7%，2023年在AI服務(wù)器、汽車電子等新興需求拉動下重回增長軌道。展望未來，WSTS預(yù)計2030年全球存儲芯片市場規(guī)模將達2148.9億美元，2023-2030年CARG為8.8%。

以下是報告內(nèi)容精選：

市場規(guī)模與趨勢

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）預(yù)測數(shù)據(jù)，2023 年全球存儲芯片市場規(guī)模達到 1675 億美元，較 2022 年的 1392 億美元同比增長 20.3%，市場在經(jīng)歷 2021-2022 年供應(yīng)鏈波動與需求調(diào)整后顯著回暖。從近五年數(shù)據(jù)看，2019 年受貿(mào)易摩擦及價格戰(zhàn)影響，全球存儲芯片市場規(guī)模同比下滑 32.66% 至 1064 億美元，隨后在 5G 商用、數(shù)據(jù)中心擴容及消費電子升級驅(qū)動下，2020-2023 年市場規(guī)模年復(fù)合增長率達 13.2%，其中 2021 年增速高達 30.5%，2022 年因 PC 及智能手機需求疲軟增速放緩至 9.7%，2023 年在 AI 服務(wù)器、汽車電子等新興需求拉動下重回增長軌道。

展望未來，WSTS 預(yù)計 2030 年全球存儲芯片市場規(guī)模將達 2148.9 億美元，2023-2030 年 CARG 為 8.8%，增長動力主要來自三大領(lǐng)域：一是 AI 算力需求爆發(fā)，據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2023 年全球 AI 服務(wù)器存儲芯片市場規(guī)模已超 200 億美元，HBM 等高帶寬內(nèi)存需求年增速超 50%，預(yù)計到 2030 年 AI 相關(guān)存儲占比將提升至 30%；二是智能汽車滲透率提升，每輛 L4 級自動駕駛汽車存儲容量需求超 1TB，2023 年車載存儲市場規(guī)模約 150 億美元，2030 年有望突破 500 億美元；三是 3D NAND 與 DRAM 技術(shù)迭代，三星、美光等企業(yè)已量產(chǎn) 230 層以上 3D NAND，DDR5 滲透率從 2023 年的 15% 提升至 2030 年的 70%，技術(shù)升級推動單芯片價值量增長。

2023年中國存儲芯片市場規(guī)模達6492億元（約942億美元），占全球市場份額 56.2%，是全球最大消費市場。近五年國內(nèi)市場規(guī)模從 2019 年的 4800 億元增長至 2023 年的 6492 億元，CARG 為 8.0%，雖低于全球同期增速，但在智能手機、PC 等傳統(tǒng)需求疲軟背景下，智能家電（2023 年出貨量超 2 億臺）、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（連接數(shù)超 10 億）等新興領(lǐng)域支撐市場韌性。例如，長江存儲 2023 年 64 層 3D NAND 出貨量同比增長 120%，兆易創(chuàng)新 NOR Flash 在國內(nèi)市場份額達 28%，本土企業(yè)正通過技術(shù)突破搶占中低端市場。

未來中國市場增長將呈現(xiàn) “雙輪驅(qū)動”：需求端，2025 年 5G 物聯(lián)網(wǎng)終端連接數(shù)預(yù)計超 25 億，帶動嵌入式存儲需求年增 20%；供給端，國家大基金三期已向存儲芯片領(lǐng)域注資超 500 億元，長江存儲 128 層 3D NAND 產(chǎn)能爬坡至 5 萬片 / 月，長鑫存儲 DDR5 產(chǎn)能 2025 年有望達 10 萬片 / 月，預(yù)計 2030 年中國存儲芯片市場規(guī)模將達 1.2 萬億元，2023-2030 年 CARG 為 8.5%，略低于全球但本土企業(yè)市占率將從 2023 年的 15% 提升至 30%。

在競爭格局層面，存儲芯片市場呈現(xiàn)高度集中態(tài)勢，全球主要份額長期由海外頭部廠商壟斷。具體來看，DRAM 領(lǐng)域呈現(xiàn)顯著的寡頭壟斷格局，三星、SK 海力士與美光三大企業(yè)占據(jù)絕對主導(dǎo)地位。2023 年數(shù)據(jù)顯示，三家企業(yè)的市場份額分別達到 41.4%、31.7% 和 22.9%，競爭格局長期保持穩(wěn)定。此外，南亞科技和華邦電子的市場占比分別為 1.9% 和 0.9%。國內(nèi)DRAM廠商則包括兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份、長鑫存儲、紫光國微、福建晉華等企業(yè)。

而在 NAND Flash 全球市場中，2023 年前三大企業(yè)同樣表現(xiàn)突出，三星、SK 海力士、鎧俠的市場份額合計高達 69.1%，分別為 32.7%、18.4%、18.0%。西部數(shù)據(jù)與美光的市場份額也分別達到 14.9%、10.8%。國內(nèi) Nand 廠商主要有長江存儲、東芯股份、江波龍等企業(yè)。

市場動態(tài)分析

近一年來，存儲芯片價格波動劇烈。2024 年初延續(xù)此前跌勢，價格處于低位，自 2024 年 Q3 起觸底反彈，進入上升通道，至 2025 年 Q2 部分產(chǎn)品價格漲幅明顯。如 DRAM 合約價格在 2024 年 Q1 上漲 20%，NAND Flash 漲幅達 23%-28%，2025 年 4-5 月，三星、美光等廠商紛紛提價，三星 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5% 。不同細分市場價格差異顯著，HBM 因技術(shù)門檻高、供應(yīng)有限，價格高昂且漲幅驚人，2024 年上半年狂漲 500% ，而成熟制程的 DDR4 和 LPDDR4X 產(chǎn)品價格壓力大，2024 年下半年價格持續(xù)下滑。價格波動主要源于存儲芯片強周期性，技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能變動及下游需求變化共同作用，當(dāng)市場供過于求，價格下跌；減產(chǎn)及需求回升則推動價格上漲。

供給端方面，2023 - 2024 年存儲原廠為應(yīng)對庫存積壓、價格低迷，紛紛減產(chǎn)。鎧俠、美光 2022 年 Q4 率先減產(chǎn)，三星 2023 年跟進，2023 年 9 月三星 NAND Flash 產(chǎn)量削減至總產(chǎn)能 50% 。進入 2025 年，因智能手機、筆記本電腦出貨低迷，美光、三星、SK 海力士等再次減產(chǎn)，美光削減 NAND Flash 閃存產(chǎn)量，計劃擴大至 30%，三星減產(chǎn) 15%-20% 。減產(chǎn)使市場供給收縮，庫存水位下降，推動價格回升。

需求端方面，AI 應(yīng)用爆發(fā)成為關(guān)鍵驅(qū)動力，2024 年第二季度全球服務(wù)器市場收入 454.22 億美元，同比增長 35%，AI 服務(wù)器占比近 30% 。AI 手機 DRAM 配置提升至 16GB，AI PC 內(nèi)存達 32GB，智能汽車引入開源大模型也提升存儲需求，帶動存儲芯片需求增長。企業(yè)策略方面，頭部企業(yè)通過調(diào)整產(chǎn)能、推出新技術(shù)產(chǎn)品（如 HBM），搶占市場份額，三星、SK 海力士等在企業(yè)級 SSD 市場表現(xiàn)積極，擴大市場份額，也影響了市場供需結(jié)構(gòu)和價格走勢。

中國半導(dǎo)體上市公司數(shù)據(jù)方面，《報告》以兆易創(chuàng)新、北京君正、復(fù)旦微電、東芯股份等7家上市企業(yè)為樣本，單獨拆分了每家公司存儲芯片業(yè)務(wù)的財務(wù)數(shù)據(jù)，構(gòu)建了全方位對標(biāo)體系。

報告顯示，2024年，存儲芯片行業(yè)上市公司總收入150.42億元，同比增長24.81%，毛利率約37.94%，研發(fā)占比為21.10%。股價方面，行業(yè)全年震蕩調(diào)整，年末較年初上漲5.38%。

以下是報告內(nèi)容精選：

財務(wù)數(shù)據(jù)分析

（1）整體財務(wù)表現(xiàn)對比：

注：本表中“營業(yè)收入”、“毛利”為該公司存儲芯片產(chǎn)品的營業(yè)收入與毛利。

2024年，存儲芯片行業(yè)上市公司存儲芯片產(chǎn)品總收入約為150.42億元，同比增長24.81%（中位數(shù)）；毛利潤約為64.79億元，毛利率平均值約為37.94%，研發(fā)占比平均值約為21.10%。

從營收表現(xiàn)來看，營業(yè)總收入前三的企業(yè)分別是兆易創(chuàng)新（51.94億元）、復(fù)旦微電（34.60億元）、北京君正（25.89億元）。

營收同比增長前三的企業(yè)分別是：普冉股份（60.03%）、聚辰股份（46.17%）、兆易創(chuàng)新（27.39%）。

從毛利表現(xiàn)上來看，盈利前三名的企業(yè)分別是：兆易創(chuàng)新（20.91億元）、復(fù)旦微電（19.83億元）、北京君正（8.95億元）。

從毛利率來看，前三名的企業(yè)是復(fù)旦微電（57.31%）、兆易創(chuàng)新（55.51%）、聚辰股份（54.81%）。

從研發(fā)費用占比來看，前三名的企業(yè)是東芯股份（33.27%）、恒爍股份（27.19%）、復(fù)旦微電（25.33%）。

（2）營運能力對比：

從營業(yè)周期來看，營業(yè)周期最長的三家是復(fù)旦微電（839.78天）、東芯股份（593.75天）、恒爍股份（462.95天）；營業(yè)周期最短的三家是兆易創(chuàng)新（179.71天）、聚辰股份（226.62天）、普冉股份（162.29天）。

從存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)來看，存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)最長的三家是復(fù)旦微電（718.28天）、東芯股份（539.25天）、北京君正（342.86天）；存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)最短的三家是普冉股份（162.29天）、兆易創(chuàng)新（171.18天）、聚辰股份（181.50天）。

從應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)來看，應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)最長的三家是恒爍股份（126.66天）、復(fù)旦微電（121.50天）、普冉股份（68.95天）；應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)最短的三家是兆易創(chuàng)新（7.98天）、北京君正（33.84天）、聚辰股份（45.12天）。

從應(yīng)付賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)來看，應(yīng)付賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)最長的三家是恒爍股份（67.10天）、普冉股份（60.69天）、北京君正（57.83天）；應(yīng)付賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)最短的三家是東芯股份（36.77天）、兆易創(chuàng)新（48.76天）、聚辰股份（50.58天）。

股價表現(xiàn)

2024年，存儲芯片行業(yè)股價表現(xiàn)震蕩調(diào)整，年末相比年初上漲5.38%，振幅62.42%，最大回撤-36.21%。以1000點為基準(zhǔn)價，最高價1263.30（10月11日），最低價639.10（2月8日）。