?近日，美國財政部長貝森特在《All In Podcast》節(jié)目中表示，臺積電斥資 400 億美元在亞利桑那州興建的大型晶圓廠，可能僅能滿足美國 7% 的半導(dǎo)體需求。他指出，臺積電在當(dāng)?shù)孛媾R監(jiān)管障礙與繁瑣程序，導(dǎo)致這座 400 億美元的晶圓廠建設(shè)進(jìn)度放緩。貝森特批評道，“芯片廠建設(shè)速度過快，計劃頻繁變更，監(jiān)管人員會因此要求停工?！?他還感嘆，美國的建設(shè)環(huán)境因各種法規(guī)變得極為艱難。?

臺積電作為全球最大的晶圓代工廠，是英偉達(dá)、蘋果等企業(yè)的關(guān)鍵供應(yīng)商，目前正加速推進(jìn)亞利桑那州的擴(kuò)建計劃。該公司計劃其第二座工廠于 2027 年前投產(chǎn)，并預(yù)計其先進(jìn)的 2 納米產(chǎn)能的 30% 最終將來自亞利桑那州工廠。然而，貝森特認(rèn)為，環(huán)境法規(guī)已導(dǎo)致美國去工業(yè)化，要促進(jìn)建設(shè)，必須降低監(jiān)管門檻。?

盡管在美建廠面臨挑戰(zhàn)，臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展仍處于行業(yè)領(lǐng)先地位。臺積電計劃今年下半年量產(chǎn) 2 納米制程，其量產(chǎn)曲線預(yù)計與 N3 制程相似。此外，臺積電最先進(jìn)的 A14 制程技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利，計劃于 2028 年量產(chǎn)，并將在 2029 年推出采用超級電軌的版本，進(jìn)一步強(qiáng)化該制程技術(shù)。?

臺積電表示，受智能手機(jī)與高性能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用的推動，預(yù)計 2 納米制程技術(shù)在量產(chǎn)的前兩年，產(chǎn)品設(shè)計定案數(shù)量將超過 3 納米和 5 納米制程同期水平。相較于 N3E 制程，2 納米制程在相同功耗下速度可提升 10% 至 15%，相同速度下功耗可降低 25% 至 30%，芯片密度增加超過 15%。?

此外，臺積電還規(guī)劃了后續(xù)的 N2P 制程技術(shù)，該技術(shù)在 N2 制程的基礎(chǔ)上，將為智能手機(jī)與 HPC 應(yīng)用提供更優(yōu)的效能和功耗表現(xiàn)，計劃于 2026 年下半年量產(chǎn)。依照臺積電的技術(shù)藍(lán)圖，后續(xù)還將推出采用超級電軌（SPR）的 A16 制程，相較于 N2P 制程，A16 制程在相同功耗下速度可提高 8% 至 10%，相同速度下功耗降低 15% 至 20%，芯片密度提升 7% 至 10%，計劃于 2026 年下半年量產(chǎn)，將成為 HPC 產(chǎn)品的理想解決方案。?