常州晶訊聚震科技有限公司宣布在其完全自主知識產(chǎn)權(quán)，基于核心專利襯底的TF-SAW濾波器多款產(chǎn)品和單晶FBAR高頻濾波器完成重大突破：

核心突破一：無侵權(quán)TF-SAW雙工器/四工器量產(chǎn)，性能與成本雙優(yōu)

· 自主專利襯底，打破壁壘： 晶訊成功量產(chǎn)多款基于非Soitech POI襯底，自主生產(chǎn)6英寸COI TF-SAW雙工器與四工器（覆蓋B66/B25/B7/B25+66+70等關(guān)鍵頻段），其襯底結(jié)構(gòu)專利顯著區(qū)別于村田(Murata)與Soitec，確保完全無IP侵權(quán)風(fēng)險。

· 性能卓越，尺寸靈活： 量產(chǎn)產(chǎn)品尺寸為1.6mm x 1.2mm，并同時滿足1.4mm x 1.1mm的客戶需求。在量產(chǎn)性能和一致性上取得實現(xiàn)重大突破， Typical IL<-1.6db. （圖一），溫度漂移系數(shù)**<5ppm/℃**，滿足車規(guī)級可靠性

· 成本優(yōu)勢顯著： 晶訊自主生產(chǎn)的COI襯底在晶圓端實現(xiàn)了接近30%的成本遞減，為終端客戶提供更高性價比的射頻前端解決方案，滿足手機與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對高性能濾波器的爆炸性需求。

圖1 .B25DPX實測新能

目前晶訊正努力的擴大產(chǎn)能，在2025年Q3滿足更多終端客戶的量產(chǎn)需求。

核心突破二：單晶FBAR UHF WiFi 6/7新能突破壁壘

·WiFi 6/7全覆蓋：量產(chǎn)的單晶FBAR濾波器實現(xiàn)高頻段全覆蓋：

·WiFi 6FB：中心頻率(f0 ):5503MHz， 帶寬(BW):665MHz,

·WiFi 7FB：中心頻率(f0) 6535MHz，帶寬(BW) 1180MHz

·性能全面領(lǐng)先：在插入損耗(IL)、帶外抑制及功率承載等核心指標(biāo)上取得革命性突破

·卓越的功率承載： WiFi 7FB實測可承載高達(dá)36dBm功率（調(diào)制模式QPSK，帶寬10MHz），滿足最嚴(yán)苛應(yīng)用場景。

·超低插損與高抑制： 顯著優(yōu)于國際競品，完美解決多頻段共存干擾難題。

·“無IP侵權(quán)”單晶高摻雜外延技術(shù)：專利的單晶高摻雜AlScN POI晶圓與獨特設(shè)計，掌握從單晶外延、前道制程到封裝的全流程自主技術(shù)，核心專利已獲美國及多地區(qū)授權(quán)。

該系列產(chǎn)品可實現(xiàn)WiFi 6GHz全覆蓋、將廣泛應(yīng)用于5G智能手機、可穿戴產(chǎn)品、CPE、近地軌道衛(wèi)星通信、WiFi 6無線路由器、無人機、工業(yè)機器人、筆記本電腦等產(chǎn)品終端，兩顆物料封裝尺寸分別為1.4 mm*1.1mm和1.8mm*1.4mm(與國外主流品牌Pin腳兼容)，

圖2 產(chǎn)品實物：WiFi 6 FB 1.4mm x 1.1mm（左）；WiFi 7 FB 1.8mm x 1.4mm（右）

圖3 晶訊WiFi 6 FB濾波器實測性能

圖4 晶訊WiFi 7 FB濾波器實測性能

同時為滿足客戶的更高功率的承載要求，CRT WiFi 7FB實際可承載功率為36dbm, 和國際大廠Q B83xx在客戶端的實際測試對比詳見下表

圖5 測試條件：調(diào)制模式QPSK，測試帶寬10MHz

晶訊聚震創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Dror Hurvits 表示：“晶訊聚震致力于讓客戶體驗更完美的信號傳輸通訊，COI TF-SAW和WiFI 6&& FBAR性能上的突破，這代表了世界領(lǐng)先的濾波器工藝技術(shù)和先進封裝技術(shù)！這兩個系列的i濾波器均利用了晶訊聚震“無IP侵權(quán)”的專利術(shù)，掌握了從單晶外延片、前道制程、后端MEMS工藝和封裝的全流程工藝技術(shù)，產(chǎn)品不僅全部中國制造，重要的是，它也是中國創(chuàng)造，所有自主專利已獲美國和其他地區(qū)授權(quán)。同時，晶訊目前正在導(dǎo)入多家領(lǐng)先的WiFi SoC和OEM供應(yīng)商提供高性能的WiFi6 FB & WiFi7 FB共存濾波器。“

截止目前晶訊已可以為海外和國內(nèi)客戶提供以下7款高頻濾波器，滿足客戶需求 （圖6）

圖6-晶訊部分已量產(chǎn)的高頻FBAR濾波器

晶訊聚創(chuàng)自成立以來持續(xù)迭代的單晶襯底技術(shù)和大量的專利授權(quán)，晶訊聚震已完成4大類的產(chǎn)品布局，

A. 用于Sub-3G以下頻段的TF-SAW；

B. 超高頻率的單晶XOI BAW；

C. Sub-6G的高頻大功率 MCM-FBAR；

D. 5G&WiFI 頻段的單晶 POI-FBAR。

圖7 晶訊創(chuàng)新的單晶濾波器架構(gòu)

晶訊聚震依托公司自有專利的單晶壓電FBAR及COI材料、設(shè)計，制造先進的濾波器，公司位于天津的1600平方米晶圓廠專注于制造高性能壓電外延，具備對以壓電外延薄膜為基礎(chǔ)制造的濾波器進行射頻測試及調(diào)頻的能力，常州工廠完成晶圓的最終加工，公司產(chǎn)品覆蓋了中高頻的濾波器、雙工器、多工器以及混合濾波器。