三星電子正逐步改進其2nm環(huán)繞柵極（GAA）工藝，以期在產(chǎn)量和成本控制方面取得突破，從而成為臺積電的有力競爭者。盡管臺積電目前在全球2nm技術(shù)生產(chǎn)領(lǐng)域尚無直接競爭對手，但三星憑借其持續(xù)的技術(shù)進步，有望在未來幾年內(nèi)迎頭趕上。

據(jù)悉，三星在提升2nm GAA工藝良率方面仍面臨挑戰(zhàn)，但公司采取更為謹慎的策略，專注于逐步改進和迭代。此前，三星決定推遲1.4nm工藝的研發(fā)，集中資源攻堅2nm GAA技術(shù)，這一決策被認為是明智之舉。據(jù)報道，三星計劃推出多種版本的尖端工藝，以實現(xiàn)其在半導體領(lǐng)域的多元化發(fā)展。

內(nèi)部消息人士透露，三星預(yù)計2nm GAA晶圓的需求將持續(xù)至少三年。在此期間，公司還將重點解決散熱問題并穩(wěn)定性能。三星已啟動“選擇與集中”戰(zhàn)略，目標是將2nm GAA工藝的良率提升至70%。盡管這一數(shù)字仍落后于臺積電20~30個百分點，但已超出公司管理層的保守預(yù)期。

預(yù)計到2025年下半年，三星將開始大規(guī)模生產(chǎn)2nm GAA芯片，并在平澤工廠及其他地點建立生產(chǎn)線。此外，三星還計劃推出改進版的2nm GAA節(jié)點，第二代工藝的基本設(shè)計已完成。第三代工藝被命名為“SF2P+”，三星目標在兩年內(nèi)實現(xiàn)其應(yīng)用。

然而，鑒于三星在過往項目中的表現(xiàn)，其在未來訂單競爭中可能不占優(yōu)勢。因此，公司需通過簽訂多項行業(yè)合同建立信任，并以折扣價格提供2nm GAA晶圓以吸引客戶。盡管短期內(nèi)三星難以與臺積電相提并論，但經(jīng)過數(shù)年努力，半導體市場有望迎來新的競爭格局。

值得一提的是，臺積電在2nm技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位依然穩(wěn)固，其生產(chǎn)能力和技術(shù)成熟度目前無人能及。三星若想在激烈的市場競爭中脫穎而出，必須在技術(shù)創(chuàng)新和成本控制上實現(xiàn)重大突破。未來幾年，隨著2nm GAA芯片需求的持續(xù)增長，三星能否成功逆襲，將成為半導體行業(yè)的一大看點。（校對/趙月）