2025年以來，全球DRAM市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的結(jié)構(gòu)性調(diào)整。三星、SK 海力士、美光三大存儲(chǔ)原廠相繼宣布加速退出DDR4市場(chǎng)，引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈上下游震動(dòng)。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年Q1 DDR4占全球DRAM產(chǎn)量比重已降至35%，較2023年下降20個(gè)百分點(diǎn)，一場(chǎng)由頭部企業(yè)主導(dǎo)的技術(shù)迭代與市場(chǎng)重構(gòu)正在上演。

三星電子作為全球DRAM市場(chǎng)份額第一的廠商，已正式停止接收DDR4新訂單，并計(jì)劃于 2025年底前全面停產(chǎn)。這一決策并非孤立，SK海力士將DDR4產(chǎn)能占比從30%壓縮至20%，美光則停止服務(wù)器用舊版DDR4供應(yīng)，僅保留工業(yè)、汽車等特定領(lǐng)域的定制化產(chǎn)能。三大原廠的同步行動(dòng)，標(biāo)志著DDR4進(jìn)入“淘汰倒計(jì)時(shí)”。

雖然全球DDR4產(chǎn)能下降超過20%，但同期需求僅下降8%，供需缺口從5%迅速擴(kuò)大至17%，渠道庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)從90天驟降至30天，這為DDR4價(jià)格暴漲埋下伏筆。

據(jù)集邦咨詢調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，5月份標(biāo)準(zhǔn)型8GB DDR4芯片環(huán)比上漲27%，自3月低點(diǎn)以來累計(jì)漲幅已達(dá)53%，創(chuàng)下了自2017年1月以來的最大單月漲幅紀(jì)錄。而現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格波動(dòng)更為劇烈，部分16Gb DDR4顆粒的價(jià)格甚至飆升至6美元，高出同規(guī)格DDR5的5.8美元，今年初至今的累計(jì)漲幅已接近90%。

集邦咨詢進(jìn)一步預(yù)測(cè)，若三季度美國(guó)關(guān)稅政策落地且產(chǎn)能無法及時(shí)補(bǔ)充，DDR4價(jià)格的漲幅可能會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。其中，2025Q2 PC與server DDR4價(jià)格將繼續(xù)上漲，預(yù)期漲幅將分別達(dá)到13%~18%和18%~23%，而2025Q3的預(yù)期漲幅則可能分別達(dá)到18~23%和8~13%。

行業(yè)專家普遍認(rèn)為，DDR4徹底退出市場(chǎng)將需要3至5年的時(shí)間，在此期間，價(jià)格的高位波動(dòng)可能將成為常態(tài)。為了應(yīng)對(duì)這一輪存儲(chǔ)芯片的波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，下游企業(yè)或許需要加快構(gòu)建具備彈性的供應(yīng)鏈，并加速技術(shù)的更新迭代。

技術(shù)、利潤(rùn)與成本的三角博弈

在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)程中，技術(shù)革新、市場(chǎng)需求與成本控制始終是驅(qū)動(dòng)行業(yè)變革的核心力量。當(dāng)前，國(guó)際原廠加速戰(zhàn)略調(diào)整，大規(guī)模退出DDR4市場(chǎng)，這一決策背后蘊(yùn)藏著技術(shù)、利潤(rùn)與成本等多重維度的深度考量。

首先，存儲(chǔ)技術(shù)迭代存在不可逆壓力。DDR5憑借6400MT/s的理論帶寬（達(dá)DDR4的2倍）和20%的功耗優(yōu)勢(shì)，已成為下一代存儲(chǔ)應(yīng)用風(fēng)向標(biāo)。英特爾第14代酷睿平臺(tái)與AMD銳龍7000系列全面轉(zhuǎn)向DDR5支持，主板廠商如華碩、微星的新機(jī)型DDR5滲透率超90%。這種硬件生態(tài)的集體轉(zhuǎn)向，使DDR4在主流市場(chǎng)的技術(shù)兼容性迅速弱化，淪為“過時(shí)技術(shù)”。

其次，行業(yè)利潤(rùn)導(dǎo)向下的產(chǎn)能再分配。高帶寬內(nèi)存（HBM）正在重塑存儲(chǔ)行業(yè)的利潤(rùn)格局。HBM單價(jià)達(dá)DDR4的5-10倍，SK海力士2025年HBM產(chǎn)能已全部售罄，銷售額預(yù)計(jì)同比翻倍。三星、美光亦將先進(jìn)制程產(chǎn)能向HBM、DDR5傾斜，三星將1Y納米工藝的16Gb DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5后，毛利率較DDR4時(shí)代提高12個(gè)百分點(diǎn)。

最后，老舊生產(chǎn)線成本優(yōu)化存在長(zhǎng)期邏輯。DDR4產(chǎn)線的折舊成本已成為原廠利潤(rùn)的沉重負(fù)擔(dān)。以三星為例，其早期1X納米工藝產(chǎn)線的單位生產(chǎn)成本比1Y工藝高35%，而轉(zhuǎn)向DDR5后，單顆芯片的材料成本降低22%。美光財(cái)報(bào)顯示，停止服務(wù)器DDR4供應(yīng)后，其高端存儲(chǔ)業(yè)務(wù)毛利率提升至45%，驗(yàn)證了“砍舊推新”的成本優(yōu)化成效。

從技術(shù)迭代的強(qiáng)制驅(qū)動(dòng)，到利潤(rùn)分配的市場(chǎng)選擇，再到成本控制的生存需求，國(guó)際原廠對(duì) DDR4市場(chǎng)的戰(zhàn)略調(diào)整，本質(zhì)上是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)演進(jìn)、市場(chǎng)需求變化與企業(yè)經(jīng)營(yíng)策略之間尋求動(dòng)態(tài)平衡的必然結(jié)果。DDR5與HBM技術(shù)將勢(shì)必成為未來存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的核心賽道，先進(jìn)制程與高附加值產(chǎn)品的研發(fā)能力，將決定企業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中的地位。

DDR4在汽規(guī)、工控領(lǐng)域應(yīng)用存在不可替代性

然而，DDR4在工業(yè)、汽車等細(xì)分領(lǐng)域的“長(zhǎng)尾需求”仍將延續(xù)，原廠的戰(zhàn)略收縮直接引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈連鎖反應(yīng)。一方面，工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的剛性需求仍在，車載信息娛樂系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛域控制器這類場(chǎng)景占當(dāng)前DDR4需求的60%以上；另一方面，AI服務(wù)器市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)進(jìn)一步放大了供需矛盾。

行業(yè)周知，汽車電子行業(yè)對(duì)內(nèi)存芯片的可靠性與穩(wěn)定性要求近乎嚴(yán)苛。所有應(yīng)用于車載信息娛樂系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛域控制器等關(guān)鍵場(chǎng)景的內(nèi)存產(chǎn)品，必須通過AEC-Q100 Grade 2等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，確保能在- 40℃至+ 105℃極端溫度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，并承受劇烈震動(dòng)與電磁干擾。這一認(rèn)證流程通常需要 3 年以上的測(cè)試與驗(yàn)證周期，涵蓋材料可靠性、電氣性能、環(huán)境適應(yīng)性等數(shù)十項(xiàng)指標(biāo)。

DDR5雖在帶寬與功耗上具備優(yōu)勢(shì)，但其高容量規(guī)格（如64GB起步）與新型接口標(biāo)準(zhǔn)，與現(xiàn)有車載系統(tǒng)的主板架構(gòu)、電源管理模塊存在兼容性矛盾。若要將車載中控系統(tǒng)升級(jí)至 DDR5，不僅需重新設(shè)計(jì)硬件電路、調(diào)整散熱方案，更要針對(duì)整車電子架構(gòu)進(jìn)行系統(tǒng)性測(cè)試與驗(yàn)證，這一過程至少耗費(fèi)24個(gè)月，且改造成本將大幅增加。

而DDR4內(nèi)存恰好能滿足車載系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)處理速度、存儲(chǔ)容量的實(shí)際需求，其成熟的技術(shù)方案與供應(yīng)鏈體系，使其占據(jù)當(dāng)前汽車電子內(nèi)存市場(chǎng)60%以上的份額。

在工業(yè)設(shè)計(jì)、智能制造等場(chǎng)景中，設(shè)備對(duì)內(nèi)存的性能要求呈現(xiàn)“定制化”特點(diǎn)。諸如，三維建模、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理等應(yīng)用場(chǎng)景，既需要內(nèi)存具備每秒10GB以上的數(shù)據(jù)吞吐量，又要求其容量適配性高，避免因過度配置造成成本浪費(fèi)。DDR4內(nèi)存單條容量從8GB到256GB的靈活選擇，恰好能滿足不同規(guī)模工業(yè)設(shè)備的需求，而DDR5最小64GB的容量規(guī)格，往往導(dǎo)致3倍以上的資源浪費(fèi)。

更關(guān)鍵的是，工業(yè)設(shè)備的更新?lián)Q代成本極高。高端設(shè)備其控制系統(tǒng)若因DDR4芯片停產(chǎn)而進(jìn)行升級(jí)改造，不僅面臨數(shù)百萬元的硬件更換費(fèi)用，還需投入大量時(shí)間進(jìn)行設(shè)備調(diào)試與生產(chǎn)流程適配，這使得企業(yè)即使面臨DDR4價(jià)格上漲300%的壓力，也不得不選擇高價(jià)采購(gòu)，以維持生產(chǎn)線的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

因此，在技術(shù)迭代與市場(chǎng)需求的博弈中，DDR4在汽車電子與工業(yè)控制領(lǐng)域的不可替代性，本質(zhì)上是行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、成本效益與應(yīng)用場(chǎng)景深度耦合的結(jié)果。這種局面短期內(nèi)難以改變，也為DDR4在細(xì)分市場(chǎng)的持續(xù)需求提供了堅(jiān)實(shí)支撐。

中企逐步鞏固市場(chǎng)話語權(quán)

隨著三星、SK 海力士、美光相繼加速收縮DDR4產(chǎn)能，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)形成了約160億美元的真空地帶，這成為中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略突圍的關(guān)鍵機(jī)遇。

南亞科技、華邦電子等臺(tái)系廠商憑借成熟的技術(shù)儲(chǔ)備與靈活的市場(chǎng)策略，迅速調(diào)整產(chǎn)能布局。

其中，南亞科技位于臺(tái)灣桃園的晶圓廠將10nm第二代制程產(chǎn)線全面向DDR4傾斜，8Gb DDR4 顆粒月產(chǎn)能已提升至12萬片，較2024年增長(zhǎng)40%。公司內(nèi)部人士表示，南亞科技2025年DDR4位元產(chǎn)出占比預(yù)計(jì)超過30%，并計(jì)劃在年底前將10nm工藝良率從85%提升至92%，進(jìn)一步強(qiáng)化成本競(jìng)爭(zhēng)力。

華邦電子則采取“差異化產(chǎn)能擴(kuò)張”策略，在保留部分NOR Flash產(chǎn)能的同時(shí)，將旗下三座工廠中的兩座產(chǎn)線轉(zhuǎn)向DDR4生產(chǎn)。其車規(guī)級(jí)LPDDR4產(chǎn)品線已實(shí)現(xiàn)4Gb顆粒量產(chǎn)，工作頻率達(dá)4266MHz，適配ADAS前置攝像頭、智能座艙等場(chǎng)景。2025年Q2，華邦電子DDR4月產(chǎn)能環(huán)比增長(zhǎng)25%，并計(jì)劃在合肥研發(fā)中心增設(shè)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，加速產(chǎn)品導(dǎo)入市場(chǎng)。

中國(guó)內(nèi)地大廠長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新同樣通過規(guī)模量產(chǎn)降低單位成本，紫光集團(tuán)和瀾起科技則分別以行業(yè)認(rèn)證和接口技術(shù)構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為例，集邦咨詢2025年Q1報(bào)告顯示，其合肥工廠一期+二期總產(chǎn)能達(dá)20萬片/月（折合12英寸晶圓），依托自主研發(fā)的19nm制程工藝和國(guó)內(nèi)成熟的供應(yīng)鏈體系，將單顆DDR4芯片的生產(chǎn)成本極致壓縮。這一顯著優(yōu)勢(shì)不僅源于原材料采購(gòu)和人力成本，更得益于對(duì)生產(chǎn)流程的精細(xì)化管理。憑借突出的成本競(jìng)爭(zhēng)力，市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Counterpoint最新預(yù)測(cè)顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年DRAM出貨量將同比增長(zhǎng)50%，其在整體DRAM市場(chǎng)的出貨份額預(yù)計(jì)將從第一季度的6%增至第四季度的8%。

進(jìn)入2025年，DDR4供需矛盾加劇，三大國(guó)際巨頭減產(chǎn)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的擴(kuò)張，這種結(jié)構(gòu)性變化為長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的價(jià)格調(diào)整創(chuàng)造了條件，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在保障利潤(rùn)空間的同時(shí)，進(jìn)一步鞏固了市場(chǎng)話語權(quán)。

盡管國(guó)際原廠在采用1Z/1Y納米工藝的DDR4高端產(chǎn)品上仍具優(yōu)勢(shì)，且DDR5技術(shù)迭代壓力持續(xù)存在，但對(duì)中國(guó)企業(yè)而言，短期內(nèi)能通過供需錯(cuò)配實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)，更借此完成技術(shù)認(rèn)證積累與市場(chǎng)份額突破，為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化替代奠定基礎(chǔ)。