1、AI內(nèi)存爭(zhēng)霸戰(zhàn)：HBM和LPDDR誰將稱王？
2、愛爾蘭啟動(dòng)“硅島”半導(dǎo)體戰(zhàn)略，將建設(shè)3座晶圓代工廠
3、消息稱三星下一代DRAM良率已達(dá)50 ~ 70%
4、順絡(luò)電子誠邀您參加第二十三屆上海國際工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人展覽會(huì)
5、三星電子將為10萬名學(xué)生提供AI教育
1、AI內(nèi)存爭(zhēng)霸戰(zhàn)：HBM和LPDDR誰將稱王？
人工智能（AI）需要強(qiáng)大的計(jì)算能力和海量的數(shù)據(jù)。這些計(jì)算可以由CPU、GPU或?qū)Ｓ眉铀倨魍瓿桑m然數(shù)據(jù)在傳輸?shù)教幚砥鞯倪^程中會(huì)通過DRAM，但最適合這一用途的DRAM類型取決于執(zhí)行訓(xùn)練或推理任務(wù)的系統(tǒng)類型。
當(dāng)前工程團(tuán)隊(duì)面臨的內(nèi)存挑戰(zhàn)是如何跟上AI快速增長的計(jì)算需求，而同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）在這里起著關(guān)鍵作用。所有這些數(shù)據(jù)都需要被處理、存儲(chǔ)和訪問，任何環(huán)節(jié)的不匹配都可能影響系統(tǒng)的整體性能。
“我們擁有如此強(qiáng)大的計(jì)算能力，”Cadence產(chǎn)品營銷集團(tuán)總監(jiān)Frank Ferro表示，“但從內(nèi)存帶寬的角度來看，該如何充分利用它呢？”
這個(gè)問題并沒有簡(jiǎn)單答案，也不存在一刀切的解決方案。目前，市場(chǎng)上有四種同步DRAM（SDRAM）類型，每種都有針對(duì)性用途和各自的優(yōu)缺點(diǎn)：
雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存通常與CPU（尤其是復(fù)雜指令集架構(gòu)處理器，即CISC處理器）配合使用。程序可能包含復(fù)雜的分支和多種操作，DDR正是針對(duì)此類計(jì)算優(yōu)化的。DDR是最通用的架構(gòu)，具有最低的延遲（首個(gè)數(shù)據(jù)的到達(dá)時(shí)間），且?guī)掃m中（使用64位數(shù)據(jù)總線）。
“雙倍數(shù)據(jù)速率”這一名稱源自于數(shù)據(jù)可以在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿進(jìn)行存取，而傳統(tǒng)內(nèi)存和邏輯電路通常只在單邊沿進(jìn)行操作。
低功耗DDR（LPDDR）與DDR類似，但為了在保持高性能的同時(shí)降低功耗，各代產(chǎn)品中引入了許多節(jié)能特性，包括：更低的供電電壓；溫度補(bǔ)償刷新率，低溫環(huán)境下減少刷新頻率；深度和部分掉電模式；部分陣列刷新選項(xiàng)；寫入均衡，補(bǔ)償數(shù)據(jù)選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)之間的偏差；命令/地址訓(xùn)練以優(yōu)化信號(hào)時(shí)序和完整性；更低的I/O電容；在后幾代產(chǎn)品中使用6位單數(shù)據(jù)速率（SDR）命令和地址總線，而非早先的10位DDR總線；兩個(gè)半寬總線而非一個(gè)全寬總線；差分時(shí)鐘；數(shù)據(jù)復(fù)制和Write-X（全寫1或全寫0）命令，減少特定用例的數(shù)據(jù)傳輸量；動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整（DVFS）。
在后幾代產(chǎn)品中，時(shí)鐘結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，保持持續(xù)運(yùn)行的主時(shí)鐘頻率為四分之一速度，由此衍生出多個(gè)僅在需要時(shí)運(yùn)行的全速時(shí)鐘。LPDDR不會(huì)安裝在雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）中，而是采用BGA封裝，直接焊接到主板上。
圖形DDR（GDDR）是為配合GPU進(jìn)行圖形處理而開發(fā)的變體。它具有比DDR高得多的帶寬，可以向處理器傳輸大量圖形數(shù)據(jù)，但也具有比DDR更高的延遲?！癎DDR更適合高帶寬應(yīng)用，但容量是個(gè)問題，”Ferro說。
高帶寬內(nèi)存（HBM）由堆疊的DRAM芯片組成，具有超寬總線，適用于對(duì)帶寬要求極高的計(jì)算任務(wù)，如AI訓(xùn)練、推理和高性能計(jì)算（HPC）。
Ferro指出這四種DRAM類型的主要區(qū)別在于訪問協(xié)議，而非存儲(chǔ)單元本身?！盁o論您使用GDDR、LPDDR、DDR還是HBM，其底層基本采用的是相同的內(nèi)存技術(shù)，關(guān)鍵是如何訪問DRAM。”
這些不同的訪問方式可能對(duì)性能和功耗產(chǎn)生重大影響。
數(shù)據(jù)中心之王：HBM
HBM在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域占據(jù)著不可撼動(dòng)的統(tǒng)治地位?！拔覀冋J(rèn)為HBM仍將主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的訓(xùn)練任務(wù)和超高速接口領(lǐng)域，”Expedera首席軟件工程師Ramteja Tadishetti表示，“但其高昂的價(jià)格注定使其局限于高端市場(chǎng)，難以進(jìn)入注重成本的邊緣設(shè)備?！?/p>
盡管HBM能耗與價(jià)格均屬最高，但數(shù)據(jù)中心的其它零部件也一樣。Quadric首席營銷官Steve Roddy指出：“與訓(xùn)練芯片采用的整片光罩尺寸晶圓相比，HBM的成本和功耗不過是零頭。這就像房地產(chǎn)——如果你斥資2500萬美元在比佛利山莊購地，絕不會(huì)在房屋建造上省預(yù)算。數(shù)據(jù)中心同理：既然已投入巨資用于芯片和封裝，HBM的增量成本微不足道。我們還未發(fā)現(xiàn)HBM在數(shù)據(jù)中心之外的任何應(yīng)用規(guī)劃，就連高端汽車市場(chǎng)也沒有。開發(fā)L4級(jí)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)（ADAS）的車企需要風(fēng)冷散熱且單價(jià)低于四位數(shù)的芯片方案，根本無法承受功耗達(dá)千瓦級(jí)、成本超1萬美元的模塊。”
這種成本壁壘迫使預(yù)算有限的廠商作出妥協(xié)。“超大規(guī)模服務(wù)商通常資金雄厚，可以直采HBM，”新思科技內(nèi)存接口產(chǎn)品線總監(jiān)Brett Murdock解釋道，“而二線廠商必須進(jìn)行權(quán)衡，因其采購量往往難以引起HBM供應(yīng)商或2.5D封裝廠商的重視，從而無法獲得支持。”
訓(xùn)練任務(wù)對(duì)帶寬的需求遠(yuǎn)高于推理，這使得HBM在該領(lǐng)域尤為重要。雖然數(shù)據(jù)中心推理仍會(huì)采用HBM，但LPDDR和GDDR正逐步滲透。“HBM因支持近內(nèi)存計(jì)算（NMC）而在模型訓(xùn)練中風(fēng)靡，”Ferro分析道，“我推測(cè)GDDR和LPDDR將成為推理加速器卡上的主流內(nèi)存?！?/p>
Murdock對(duì)此表示認(rèn)同，并指出混合方案的趨勢(shì)：“訓(xùn)練比推理需要更多內(nèi)存，因此可以考慮HBM4與LPDDR6組合，其中LPDDR6僅用于擴(kuò)容——除非你已因其他原因放棄HBM4轉(zhuǎn)用LPDDR6?！?/p>
三星也觀察到類似動(dòng)向?！盎旌蟽?nèi)存方案正日益普及，”三星IP與生態(tài)系統(tǒng)營銷高級(jí)總監(jiān)Kevin Yee透露，“不再局限于單一選擇，為優(yōu)化功耗，現(xiàn)可見DDR與LPDDR混搭，或HBM與LPDDR組合?！?/p>
定制化HBM正成為新方向。大批量采購商可與內(nèi)存制造商合作，將堆棧底層的標(biāo)準(zhǔn)邏輯芯片替換為具有專有增值功能或優(yōu)化通道的定制芯片?！安捎盟接蠨ie-to-Die協(xié)議的定制HBM能提供更優(yōu)帶寬與能效，”Yee強(qiáng)調(diào)。
散熱問題對(duì)于堆疊結(jié)構(gòu)的HBM尤為關(guān)鍵。Fraunhofer IIS自適應(yīng)系統(tǒng)工程部設(shè)計(jì)方法學(xué)負(fù)責(zé)人Roland Jancke指出：“構(gòu)建3D堆棧模型存在諸多散熱挑戰(zhàn)，無論純內(nèi)存堆疊還是包含處理器、傳感器、存儲(chǔ)器或其它組件的混合堆疊皆然。”
最后，還有地緣政治的變量?！俺?yīng)與成本外，政治因素也不容忽視，”Murdock直言，“粗略來說，HBM對(duì)中國企業(yè)基本禁運(yùn)。因此中國公司當(dāng)前AI設(shè)計(jì)采用LPDDR5X，并正向LPDDR6過渡?！?/p>
CPU的最佳搭檔：DDR
DDR在數(shù)據(jù)中心雖有一席之地，但通常僅服務(wù)于協(xié)調(diào)運(yùn)算的CPU。無論是GPU還是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器（NPU），加速器在數(shù)據(jù)中心往往依賴HBM實(shí)現(xiàn)高帶寬，或選擇LPDDR追求低功耗。
“服務(wù)器與DDR向來密不可分，”Murdock指出，“如今DDR5 RDIMM仍是黃金標(biāo)準(zhǔn)，但部分廠商正轉(zhuǎn)向DDR5 MRDIMM（多路復(fù)用RDIMM），該技術(shù)能以現(xiàn)有DRAM提升性能。不過DDR5 MRDIMM在價(jià)格與功耗方面均高于常規(guī)產(chǎn)品。”
但DDR對(duì)AI數(shù)據(jù)模式的優(yōu)化有限?！癉DR仍是可靠的二級(jí)存儲(chǔ)方案，”Expedera的Tadishetti表示，“但除非在延遲和性能上有顯著改善，否則其能效比不及LPDDR，性能指標(biāo)也難以匹敵GDDR/HBM。”
即便如此，DDR的普及度和低價(jià)優(yōu)勢(shì)無可替代?！皩?duì)于不受功耗限制的大規(guī)模推理優(yōu)化設(shè)備，DDR仍是首選本地內(nèi)存，”Roddy分析道，“任何線路供電（家庭/辦公室/工廠）或自帶供電系統(tǒng)（汽車）的設(shè)備中，DDR在速度與成本的綜合表現(xiàn)上始終處于不敗之地。運(yùn)行在NPU子系統(tǒng)的推理應(yīng)用通過智能管理外部?jī)?nèi)存，可對(duì)DDR訪問進(jìn)行批量預(yù)取，在利用DDR規(guī)模化成本優(yōu)勢(shì)的同時(shí)最大化性能?！?/p>
新晉寵兒：LPDDR
LPDDR正逐步滲透各類系統(tǒng)，即便無法完全替代其他方案，也能通過混合配置降低功耗。
“對(duì)電池供電或功耗受限設(shè)備，LPDDR在帶寬與功耗的平衡上更勝一籌，”Roddy強(qiáng)調(diào)，“手機(jī)市場(chǎng)催生的海量LPDDR需求，使其成為多數(shù)新興AI消費(fèi)電子和便攜設(shè)備的成本敏感型選擇?！?/p>
這一觀點(diǎn)獲得了廣泛認(rèn)同?！癓PDDR是內(nèi)存領(lǐng)域的萬能者——甚至在某些場(chǎng)景堪稱大師，”Murdock補(bǔ)充，“它同時(shí)統(tǒng)治著移動(dòng)和汽車應(yīng)用市場(chǎng)?！盧ambus內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品營銷副總裁John Eble透露：“甚至可通過堆疊LPDDR來擴(kuò)容?！?/p>
LPDDR也以一種降低功耗的方式進(jìn)軍數(shù)據(jù)中心，盡管它仍無法滿足超大規(guī)模服務(wù)商的全部需求。“LPDDR主要缺陷是缺乏RAS（可靠性/可用性/可維護(hù)性）功能，且ECC糾錯(cuò)能力不足，”Eble指出，“例如缺少應(yīng)對(duì)DRAM芯片失效的恢復(fù)機(jī)制，其設(shè)計(jì)初衷本就不考慮此類高階RAS能力。”
值得注意的是，即便在CPU傳統(tǒng)勢(shì)力范圍，LPDDR也已打開突破口?！坝ミ_(dá)推出的Grace Arm處理器就選擇了LPDDR內(nèi)存，”Eble補(bǔ)充道。
在性能至關(guān)重要的邊緣系統(tǒng)中，LPDDR也可能取代DDR?！岸鄶?shù)邊緣設(shè)備本就不配備內(nèi)存，即便配備也需求極低，因此通常選擇最廉價(jià)方案，”Murdock解釋，“而那些真正需要內(nèi)存性能的設(shè)備，則會(huì)因LPDDR的能效特性選擇它?！?/p>
GDDR，AI永遠(yuǎn)的陪襯？
在AI系統(tǒng)中，GDDR（圖形雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存）的身影相對(duì)罕見。盡管其特性本應(yīng)吸引AI應(yīng)用，但它在關(guān)鍵參數(shù)上總略顯平庸：吞吐量高于LPDDR卻不及HBM，成本低于HBM或LPDDR卻又不如DDR便宜。沒有一項(xiàng)突出優(yōu)勢(shì)能使其成為特定系統(tǒng)的必選項(xiàng)，因此在AI領(lǐng)域常被冷落。
“GDDR對(duì)AI應(yīng)用而言就像反例的‘金發(fā)姑娘’”，Roddy形象地比喻，“總是不上不下——它對(duì)于消費(fèi)級(jí)推理設(shè)備來說價(jià)格太高，而設(shè)計(jì)精良的NPU通過離線編譯已能智能預(yù)取權(quán)重和激活值，根本無需GDDR的快速隨機(jī)訪問性能；在數(shù)據(jù)中心，HBM的絕對(duì)速度優(yōu)勢(shì)更是徹底取代了GDDR?！?/p>
不過，GDDR在圖形相關(guān)生成算法中仍具潛力，只要容量限制不成障礙?！八饕糜趫D形和生成式AI的某些環(huán)節(jié)，”Tadishetti表示，“隨著圖像/視頻生成模型的興起，部分需求可能會(huì)轉(zhuǎn)向GDDR。但需明確是，目前尚未觀察到OEM廠商實(shí)際采用?！?/p>
四大技術(shù)路線
雖所有DRAM標(biāo)準(zhǔn)均源自JEDEC，但每類內(nèi)存由不同委員會(huì)主導(dǎo)：DDR歸JC-42.3小組（標(biāo)準(zhǔn)命名慣例中JC-42涵蓋所有固態(tài)存儲(chǔ)器），GDDR由JC-42.1標(biāo)準(zhǔn)化，HBM隸屬JC-42.2，LPDDR則由JC-42.6負(fù)責(zé)。這四類DRAM仍在同步演進(jìn)，但LPDDR與HBM顯然更受矚目。
Murdock指出：“LPDDR5X已實(shí)現(xiàn)高可用性和合理價(jià)位，能滿足多數(shù)應(yīng)用的能效需求。由于性能提升顯著，設(shè)計(jì)階段對(duì)LPDDR6的需求已開始顯現(xiàn)?！?/p>
盡管LPDDR6的具體改進(jìn)尚未公開，但預(yù)計(jì)將重點(diǎn)優(yōu)化時(shí)鐘頻率、存儲(chǔ)方式、總線寬度和突發(fā)訪問。此外還將內(nèi)置糾錯(cuò)碼（ECC），以應(yīng)對(duì)高速運(yùn)行下的信號(hào)完整性挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)年底前量產(chǎn)上市。
HBM4則是下一代高帶寬內(nèi)存的焦點(diǎn)，其帶寬、通道數(shù)和數(shù)據(jù)總線寬度均較HBM3翻倍，預(yù)計(jì)2026年上市?！爱?dāng)前主流仍是HBM3E，但隨著HBM4標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，設(shè)計(jì)將快速轉(zhuǎn)向性能更強(qiáng)的HBM4，”Murdock補(bǔ)充道。
持續(xù)演進(jìn)格局
即使內(nèi)存速度不斷提升、功耗降低，處理器也在同步進(jìn)化。理想狀態(tài)下，處理器與內(nèi)存應(yīng)當(dāng)協(xié)同演進(jìn)，避免任何一方成為性能瓶頸。但由于二者獨(dú)立發(fā)展，技術(shù)迭代中難免出現(xiàn)交替領(lǐng)跑的局面。
盡管專用NPU難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模普及，但部分低功耗方案已展現(xiàn)出潛力。若這類方案獲得市場(chǎng)認(rèn)可，勢(shì)必將對(duì)功耗敏感型系統(tǒng)中的內(nèi)存提出更嚴(yán)苛的要求。同樣，隨著數(shù)據(jù)中心處理器性能不斷突破，HBM也必須保持同步升級(jí)。
僅僅選對(duì)內(nèi)存類型并不足夠——確保高質(zhì)量的信號(hào)訪問對(duì)高速運(yùn)行至關(guān)重要?！皬南到y(tǒng)性能角度來看，通道設(shè)計(jì)才是最關(guān)鍵的因素，我們必須重視信號(hào)完整性，”Cadence的Ferro強(qiáng)調(diào)，“作為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師，理當(dāng)能隨意更換不同廠商的GDDR6內(nèi)存芯片。但實(shí)際可能遇到：某款GDDR6運(yùn)行速度為16GB/s，而另一款卻有18GB/s版本。雖然直接替換也能工作，但原有通道真能承載18GB/s的速率嗎？”
盡管行業(yè)趨勢(shì)已逐漸明朗，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師仍需深入評(píng)估，既要為特定系統(tǒng)選擇最適配的內(nèi)存方案，更要確保整個(gè)系統(tǒng)具備匹配的處理能力。
參考來源：https://semiengineering.com/the-best-drams-for-ai/
2、愛爾蘭啟動(dòng)“硅島”半導(dǎo)體戰(zhàn)略，將建設(shè)3座晶圓代工廠
愛爾蘭政府近期宣布啟動(dòng)“硅島”國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略。這項(xiàng)全面的半導(dǎo)體戰(zhàn)略旨在提升模擬、數(shù)字和封裝能力。
對(duì)于歐洲各地的工程師和高管而言，愛爾蘭的“硅島”計(jì)劃標(biāo)志著一次真正的轉(zhuǎn)變——為合作、投資和供應(yīng)鏈多元化打開了大門。它有望增強(qiáng)歐洲的模擬和混合信號(hào)生態(tài)系統(tǒng)，并產(chǎn)生全球性影響。讓我們先來探討一下這項(xiàng)戰(zhàn)略，然后再深入探討其對(duì)模擬行業(yè)的影響。
愛爾蘭“硅島”計(jì)劃為到2040年建設(shè)新的晶圓廠基礎(chǔ)設(shè)施、人才儲(chǔ)備和研發(fā)增長奠定了基礎(chǔ)。該計(jì)劃與《歐洲芯片法案》和歐盟數(shù)字十年計(jì)劃緊密結(jié)合，概述了產(chǎn)能擴(kuò)張、研發(fā)投資和勞動(dòng)力發(fā)展的雄心勃勃的目標(biāo)，尤其針對(duì)以模擬為重點(diǎn)的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。
該戰(zhàn)略充分利用愛爾蘭現(xiàn)有的半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)——130多家企業(yè)、2萬個(gè)就業(yè)崗位和135億歐元的年出口額——作為未來增長的基石。其目標(biāo)是到2040年新增3.45萬個(gè)就業(yè)崗位。
模擬行業(yè)的主要亮點(diǎn)：
有針對(duì)性的基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)建：該路線圖包括建立一座尖端晶圓廠、兩座成熟晶圓代工廠和一座先進(jìn)封裝設(shè)施。這些資產(chǎn)對(duì)于超越數(shù)字CMOS的模擬和混合信號(hào)集成電路制造至關(guān)重要。
研發(fā)與創(chuàng)新重點(diǎn)：該計(jì)劃旨在將研發(fā)支持?jǐn)U展到模擬工藝、封裝方法和測(cè)試方法。
初創(chuàng)企業(yè)與人才發(fā)展：該戰(zhàn)略包括通過融資渠道、商業(yè)化途徑以及成立由產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界和政策領(lǐng)導(dǎo)者組成的半導(dǎo)體咨詢委員會(huì)——為分拆公司和中小企業(yè)提供結(jié)構(gòu)化支持——這是促進(jìn)模擬創(chuàng)新的關(guān)鍵機(jī)制。
加強(qiáng)勞動(dòng)力供應(yīng)：愛爾蘭將委托開展一項(xiàng)技能研究，以了解并應(yīng)對(duì)未來的勞動(dòng)力需求——這是確保模擬、混合信號(hào)和電源管理工程師供應(yīng)的明智之舉。
“硅島”計(jì)劃為何如此重要？
本土晶圓代工廠準(zhǔn)入：愛爾蘭將擁有一座尖端晶圓廠和兩座成熟工藝晶圓廠，為模擬制造商開辟在歐洲直接生產(chǎn)的選擇，從而減少對(duì)海外晶圓廠的依賴并縮短供應(yīng)鏈。
增強(qiáng)混合信號(hào)研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)：愛爾蘭對(duì)產(chǎn)能、人才和中試線集成的日益重視，為模擬/混合信號(hào)MEMS、PMIC和射頻前端創(chuàng)新提供肥沃的土壤。
加強(qiáng)歐盟主權(quán)：愛爾蘭通過在模擬領(lǐng)域建設(shè)人才、基礎(chǔ)設(shè)施和知識(shí)產(chǎn)權(quán)，鞏固歐洲在關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的自主權(quán)——這是《歐盟芯片法案》的核心目標(biāo)。
合作與初創(chuàng)機(jī)遇：現(xiàn)有的模擬利益相關(guān)者——包括成熟企業(yè)和新興初創(chuàng)企業(yè)——將受益于早期支持、試產(chǎn)線準(zhǔn)入以及在結(jié)構(gòu)化生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)擴(kuò)大規(guī)模的激勵(lì)措施。
“硅島”計(jì)劃或?qū)⒊蔀橹厮軞W洲在模擬和混合信號(hào)芯片領(lǐng)域地位的火花。通過規(guī)劃清晰的路徑——包括基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、人才培養(yǎng)和研發(fā)投資——愛爾蘭可以將自己定位為未來的創(chuàng)新中心，尤其是在模擬芯片的尖端技術(shù)方面。對(duì)于歐洲電子生態(tài)系統(tǒng)中的工程師、高管和研發(fā)領(lǐng)導(dǎo)者來說，這一舉措既意味著機(jī)遇，也預(yù)示著希望。它很可能成為將歐洲從模擬消費(fèi)國轉(zhuǎn)變?yōu)槟M強(qiáng)國的藍(lán)圖。
3、消息稱三星下一代DRAM良率已達(dá)50 ~ 70%
據(jù)報(bào)道，業(yè)界6月19日透露，三星電子上個(gè)月在第6代10nm（納米）級(jí)DRAM晶圓性能測(cè)試中，取得了50 ~ 70%的成品率。與去年同一產(chǎn)品不到30%的收益率相比，這標(biāo)志著實(shí)質(zhì)性的進(jìn)步。
三星研究團(tuán)隊(duì)為了提高芯片的效率和生產(chǎn)效率，實(shí)施了各種新的結(jié)構(gòu)變化。三星原計(jì)劃在去年年底開始大規(guī)模生產(chǎn)第6代10nm級(jí)DRAM，但三星冒著重新設(shè)計(jì)芯片的風(fēng)險(xiǎn)，盡管可能會(huì)推遲一年以上。該公司為了在最終測(cè)試結(jié)束后立即投入生產(chǎn)，采取了提前準(zhǔn)備生產(chǎn)線的戰(zhàn)略。業(yè)界有關(guān)人士表示：“三星電子擁有比SK海力士和美光科技更豐富的有形和無形資源。它們能否復(fù)制過去的戰(zhàn)略，即利用‘規(guī)模經(jīng)濟(jì)’來提高成本競(jìng)爭(zhēng)力，然后通過龐大的數(shù)量向競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手施加壓力，還有待觀察。”
報(bào)道指出，預(yù)計(jì)此次量產(chǎn)將大大提高三星電子計(jì)劃年內(nèi)量產(chǎn)的第6代HBM （HBM4）的競(jìng)爭(zhēng)力。作為此次投資對(duì)象的平澤第4工廠DRAM生產(chǎn)線生產(chǎn)的產(chǎn)品將用于移動(dòng)（LPDDR）和服務(wù)器應(yīng)用。HBM4的第6代10nm級(jí)DRAM生產(chǎn)設(shè)施位于平澤第3工廠。業(yè)界有關(guān)人士表示：“DRAM的核心——存儲(chǔ)單元的核心結(jié)構(gòu)與移動(dòng)/服務(wù)器DRAM和HBM非常相似，因此這將對(duì)HBM的DRAM的完成產(chǎn)生積極影響?！币源舜纬晒α慨a(chǎn)為基礎(chǔ)，三星電子有可能對(duì)平澤3號(hào)工廠的HBM4工藝進(jìn)行大規(guī)模投資。
4、順絡(luò)電子誠邀您參加第二十三屆上海國際工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人展覽會(huì)
圖片來自SIA中國智能工廠展官網(wǎng)
我們的展位
順絡(luò)展位號(hào)：3-H31
日期：2025年7月29日-31日
會(huì)場(chǎng)地址：上海虹橋國家會(huì)展中心
展會(huì)簡(jiǎn)介
為推動(dòng)我國制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，促進(jìn)智能制造技術(shù)正確應(yīng)用，加強(qiáng)企業(yè)間友好交流合作，SIA上海國際工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人展覽整合多年行業(yè)資源、匯聚發(fā)展優(yōu)勢(shì)，將于2025年7月29-31日在國家會(huì)展中心-上海隆重舉辦。同期將舉行多場(chǎng)論壇，邀請(qǐng)權(quán)威專家、知名企業(yè)和主流廠商分享智能制造發(fā)展的前沿趨勢(shì)、典型案例、應(yīng)用熱點(diǎn)以及實(shí)施策略，組織智能制造主流廠商進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)展示，為廣大制造企業(yè)指引數(shù)字化轉(zhuǎn)型和推進(jìn)智能制造的正確方向，助推華東智能制造市場(chǎng)復(fù)蘇！展覽范圍涵蓋了各類工業(yè)自動(dòng)化、工業(yè)機(jī)器人、光伏、風(fēng)能、儲(chǔ)能技術(shù)、動(dòng)力電池、儲(chǔ)能電池、氫能與燃料電池、智能工廠、自動(dòng)化技術(shù)、電子制造服務(wù)等多個(gè)領(lǐng)域。
展覽預(yù)覽
順絡(luò)電子，作為電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)航者，一直致力于為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)提供高性能、高可靠性的元器件解決方案。在機(jī)器人領(lǐng)域，順絡(luò)電子的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理、通信模塊等核心部件。其中功率電感與鉭電容在DC-DC轉(zhuǎn)換中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，確保機(jī)器人電源系統(tǒng)的穩(wěn)定與高效；POC電感則助力攝像頭模組實(shí)現(xiàn)高清、穩(wěn)定的圖像傳輸；陶瓷滾珠&軸承以其卓越的耐磨性能，為機(jī)器人電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供持久支持；射頻電感與LTCC濾波器則保障了通訊模組的穩(wěn)定運(yùn)行。此外網(wǎng)絡(luò)變壓器、EMC器件及敏感器件等通用器件，也為機(jī)器人的可靠運(yùn)行提供助力。
圖片來自Sunlord內(nèi)部
此次展會(huì)，順絡(luò)電子將重點(diǎn)展出WCX模塑一體成型電感、TM&TP新型電極結(jié)構(gòu)鉭電容，MPF&MPH大電流疊層功率電感、陶瓷磁珠&軸承等明星產(chǎn)品，這些產(chǎn)品憑借卓越的性能和穩(wěn)定性，在行業(yè)內(nèi)樹立了良好的口碑，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了有力支持。
圖片來自Sunlord內(nèi)部
關(guān)于順絡(luò)電子公司
深圳順絡(luò)電子股份有限公司成立于2000年，2007年上市，是專業(yè)從事各類電子元件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)?，F(xiàn)階段在全球擁有11家工業(yè)園，其疊層及繞線類電感等產(chǎn)品已經(jīng)在行業(yè)中占據(jù)龍頭地位。順絡(luò)電子在汽車電子、新能源、消費(fèi)類電子、工業(yè)電子、通訊、云計(jì)算與大數(shù)據(jù)等六大領(lǐng)域已深耕多年，研發(fā)出了種類齊全、性能優(yōu)良的電子元器件產(chǎn)品，可提供整套的被動(dòng)電子元器件解決方案。
圖片來自Sunlord內(nèi)部
5、三星電子將為10萬名學(xué)生提供AI教育
三星電子將為10萬名幼兒園、小學(xué)、初中和高中學(xué)生推出人工智能（AI）教育。該項(xiàng)目旨在讓學(xué)生使用最新的Galaxy智能手機(jī)和平板電腦輕松愉快地學(xué)習(xí)和體驗(yàn)AI。
三星電子宣布，將通過Galaxy合作運(yùn)營AI課堂。該項(xiàng)目旨在反映最新的AI趨勢(shì)，并根據(jù)不同年齡段學(xué)生的眼光進(jìn)行定制。該項(xiàng)目分為三個(gè)類別——學(xué)校、三星專賣店和數(shù)字城市。體驗(yàn)項(xiàng)目包含五大主題：用AI尋找夢(mèng)想和職業(yè)發(fā)展方向、用AI制作社交視頻、用AI裝飾相冊(cè)、用AI輕松進(jìn)行藝術(shù)繪畫以及用AI學(xué)習(xí)自我管理，每個(gè)主題共包含18門課程。
2024年，三星電子使用Galaxy智能手機(jī)和平板電腦產(chǎn)品，面向5000名幼兒園、小學(xué)、初中和高中學(xué)生試行該項(xiàng)目。今年，他們圍繞滿意度最高的主題調(diào)整了項(xiàng)目?jī)?nèi)容，并顯著增加了參與人數(shù)。
