6月12日，愛達荷州博伊西市——隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。這一里程碑再次擴大了美光在AI內(nèi)存性能和能效方面的領(lǐng)導地位。憑借其成熟的1β（1-beta）DRAM制程、經(jīng)過驗證的12層先進封裝技術(shù)及功能強大的內(nèi)存內(nèi)建自測試（MBIST）功能，美光HBM4為開發(fā)下一代AI平臺的客戶及合作伙伴提供了無縫集成的解決方案。

重要飛躍

隨著生成式AI應用的不斷增長，高效管理推理能力的重要性與日俱增。美光HBM4內(nèi)存具備2048位元接口，每個內(nèi)存堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，性能較前一代產(chǎn)品提升超60%¹。這樣的擴展接口有助于實現(xiàn)高速通信與高吞吐量設(shè)計，進而提高大型語言模型和思維鏈推理系統(tǒng)的推理性能。簡而言之，HBM4將使AI加速器響應更迅速、推理更高效。

此外，延續(xù)美光前一代HBM3E內(nèi)存²曾在業(yè)界樹立的HBM能效新標桿，HBM4的能效再度提升超20%，展現(xiàn)了美光更進一步的技術(shù)突破。這項進展能以最低功耗提供更大吞吐量，從而更大限度地提高數(shù)據(jù)中心的效率²。

隨著生成式AI應用場景的持續(xù)擴展，此顛覆性技術(shù)將為社會創(chuàng)造顯著價值。HBM4是加速洞察與創(chuàng)新突破的關(guān)鍵推動力，能夠促進醫(yī)療保健、金融和交通運輸?shù)炔煌I(lǐng)域的進步與變革。

美光高級副總裁暨云端存儲事業(yè)部總經(jīng)理Raj Narasimhan表示：“美光HBM4具備卓越的性能、更高的帶寬和業(yè)界領(lǐng)先的能效，印證了美光在內(nèi)存技術(shù)和產(chǎn)品方面的領(lǐng)導地位?；诖饲癏BM3E部署所取得的矚目成就，我們將繼續(xù)通過HBM4及強大的AI內(nèi)存和存儲解決方案組合引領(lǐng)創(chuàng)新。我們的HBM4生產(chǎn)進程與客戶下一代AI平臺的準備進度緊密配合，以確保無縫集成與適時擴大產(chǎn)量，滿足市場需求?！?/p>

¹ 基于美光內(nèi)部HBM4測試結(jié)果和已發(fā)布的HBM3E內(nèi)存規(guī)格（2.0 TB/s對比1.2 TB/s的帶寬）

² 根據(jù)美光內(nèi)部模擬預測，以美光12層堆疊36GB HBM3E內(nèi)存和類似競爭產(chǎn)品進行的比較

加速智慧革新：美光在AI革命中的關(guān)鍵作用

近五十年來，美光不斷突破內(nèi)存和存儲創(chuàng)新的邊界。如今，美光持續(xù)通過提供廣泛多元的解決方案，將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為智慧，推動從數(shù)據(jù)中心到端側(cè)設(shè)備的突破，進而加速AI發(fā)展。憑借HBM4，美光再次鞏固了其作為AI創(chuàng)新領(lǐng)域關(guān)鍵推手的地位，并成為客戶應對嚴苛解決方案的可靠合作伙伴。