AMD的新款人工智能（AI）加速器MI350系列將搭載三星電子12層HBM3E芯片。這對(duì)于三星電子來說是一個(gè)好消息，因?yàn)槿请娮釉谟ミ_(dá)的HBM認(rèn)證方面一直遭遇拖延。此外，人們對(duì)AMD將于明年推出的下一代MI400系列HBM4的供應(yīng)也寄予厚望。

6月12日，在圣何塞會(huì)議中心舉行的AI Advancing 2025大會(huì)上，AMD宣布其新款A(yù)I加速器MI350X和MI355X將搭載三星和美光的12層HBM3E芯片。雖然此前三星電子一直在向AMD供應(yīng)HBM，但這是AMD首次正式確認(rèn)。

MI350X和MI355X本質(zhì)上是相同的芯片，僅在散熱設(shè)計(jì)上有所不同，這會(huì)影響它們的最大運(yùn)行速度。兩款產(chǎn)品都將配備288GB的內(nèi)存容量。上一代MI300X為192GB，而MI325X為256GB。這意味著內(nèi)存容量比上一代提升12.5%。

此外，在捆綁8個(gè)圖形處理單元（GPU）的平臺(tái)級(jí)別，將應(yīng)用總計(jì)2.3TB的HBM3E顯存。AMD還宣布了一項(xiàng)戰(zhàn)略，旨在提高捆綁多達(dá)128個(gè)GPU的服務(wù)器機(jī)架的銷量。預(yù)計(jì)這將需要三星HBM進(jìn)行大規(guī)模供應(yīng)。

HBM4市場(chǎng)也有望于明年全面開放。AMD表示，將于明年推出的MI400系列將為每個(gè)GPU配備432GB的HBM4顯存。Helios服務(wù)器機(jī)架配置72個(gè)MI400系列GPU，每個(gè)機(jī)架將集成31TB的HBM4顯存，其AI計(jì)算能力是當(dāng)前一代MI355X服務(wù)器機(jī)架的10倍。AMD CEO蘇姿豐強(qiáng)調(diào)：“它的計(jì)算能力與英偉達(dá)的Vera Rubin服務(wù)器機(jī)架相當(dāng)，但HBM的容量和帶寬是后者的1.5倍?！?/p>

隨著JEDEC規(guī)范的最終確定，HBM4正進(jìn)入全面生產(chǎn)階段。三星電子和SK海力士計(jì)劃在2025年底前開始量產(chǎn)HBM4。尤其值得一提的是，三星電子在當(dāng)前一代HBM競(jìng)爭(zhēng)中落后，決心憑借HBM4扭轉(zhuǎn)乾坤。SK海力士和美光正在基于第五代10nm級(jí)（1b）工藝開發(fā)HBM4，而三星電子則瞄準(zhǔn)基于更先進(jìn)的第六代10nm級(jí)（1c）工藝的高性能，力圖重奪內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者地位。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司Omdia數(shù)據(jù)，今年第一季度，SK海力士占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)的36.9%，三星電子緊隨其后，市場(chǎng)份額為34.4%，美光則為25%。

業(yè)內(nèi)人士評(píng)論道：“如果三星電子無法憑借基本規(guī)格正在發(fā)生變化的HBM4東山再起，三星電子與SK海力士之間的差距只會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。AMD也在試圖通過其全新設(shè)計(jì)的MI400系列縮小與英偉達(dá)的差距，三星電子必須鞏固與MI350系列建立的合作伙伴關(guān)系?！保ㄐ?duì)/李梅）