據(jù)報道，日本科技投資巨頭軟銀集團與美國芯片制造商英特爾近日宣布攜手合作，共同開發(fā)一種創(chuàng)新型人工智能內存技術。這項合作得到了東京大學等研究機構的支持，旨在為日本的人工智能基礎設施建設提供關鍵技術支撐。

雙方計劃開發(fā)的新型內存采用堆疊式DRAM芯片結構，其接線方式將不同于目前市場上廣泛使用的高帶寬存儲器(HBM)。根據(jù)初步估計，這種創(chuàng)新設計有望將AI應用中的內存功耗降低約50%，這對于大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心的能源效率提升具有重大意義。

值得注意的是，軟銀與英特爾此前曾在AI處理器領域有過合作，但因英特爾未能達成預期的生產目標而終止。此次在內存技術上的新合作表明雙方在降低AI系統(tǒng)功耗方面找到了共同利益點。隨著人工智能技術的快速發(fā)展和普及，高性能、低功耗的內存解決方案需求日益迫切，這使得此次合作的戰(zhàn)略意義更為凸顯。

除了與英特爾的合作外，軟銀還在考慮其他發(fā)展策略，包括以知識產權(IP)為導向開發(fā)下一代內存技術，并可能與臺積電等半導體制造商展開合作。軟銀的最終目標是創(chuàng)造更高效的AI應用內存解決方案，顯著降低電力消耗，從而增強日本在全球AI技術競爭中的地位。

這一合作項目的推進不僅反映了軟銀在AI基礎設施領域的戰(zhàn)略布局，也體現(xiàn)了全球科技巨頭對于提升AI系統(tǒng)能效的共同追求。隨著AI應用場景的不斷擴展，內存技術的創(chuàng)新將成為推動整個產業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關鍵因素之一。