據(jù)最新消息，三星電子已經(jīng)制定了在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝1d nm后導(dǎo)入VCT垂直通道晶體管技術(shù)的路線圖。有望在未來2到3年內(nèi)，相關(guān)產(chǎn)品將面世。在這個過程中，三星電子曾經(jīng)在1d nm后的下一代DRAM工藝中，考慮過1e nm和VCT DRAM兩種選擇，最終選擇了后者。
在選擇新的DRAM工藝方向上，三星電子進(jìn)行了深入的研究和對比。在1e nm和VCT DRAM兩種選擇中，三星電子最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。這是因為，相比1e nm，VCT DRAM技術(shù)在性能和效率上更具優(yōu)勢。為了加快VCT DRAM技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度，三星電子甚至將1e nm的先行研究組織合并到1d nm團(tuán)隊中，以推進(jìn)1d nm的開發(fā)。
據(jù)了解，VCT DRAM技術(shù)是一種新型的DRAM技術(shù)，它采用垂直通道晶體管結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)更高的存儲密度和更低的功耗，是未來DRAM內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展方向。
