天眼查顯示，杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司“改善重?fù)紹硅片表面劃傷的方法”專利公布，申請公布日為2025年3月7日，申請公布號為CN119581322A。

本發(fā)明涉及一種改善重?fù)紹硅片表面劃傷的方法，所屬硅片加工技術(shù)領(lǐng)域，括如下操作步驟：第一步：配比SC1清洗液，清洗劑NH4OH：H2O2配比為1∶2～1∶3。第二步：拋光前對硅片進行清洗，減少硅片表面顆粒粘附。第三步：清洗后將硅片放入水車中，水位浸沒硅片。第四步：在精拋前，對精拋液磨粒與純水的質(zhì)量配比控制為1∶15～1∶20。第五步：進行精拋時，拋光液流量控制在2～10L/min，精拋布使用時間控制在35小時內(nèi)。具有操作便捷、效率高和運行穩(wěn)定性好的優(yōu)點。通過拋光時減少硅片表面顆粒粘附以及改善精拋工藝，解決了重?fù)紹硅片表面劃傷的問題。