天眼查顯示，華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司“一種重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制備方法及重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)”專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119581343A。

本發(fā)明涉及重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制備方法及重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底的一側(cè)表面上形成阻擋層、種子層和光刻膠層；對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光處理和顯影處理，以在光刻膠層形成過(guò)孔窗口和布線(xiàn)窗口，過(guò)孔窗口暴露種子層；在過(guò)孔窗口暴露的種子層上形成第一金屬層；去除布線(xiàn)窗口保留的部分光刻膠；在第一金屬層和布線(xiàn)窗口暴露的種子層上形成第二金屬層；去除光刻膠層、去除未被第一金屬層覆蓋的種子層和阻擋層以及去除未被第二金屬層覆蓋的種子層和阻擋層，形成過(guò)孔和布線(xiàn)層；在半導(dǎo)體襯底的一側(cè)表面上形成塑封層，以形成重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以消除布線(xiàn)層和過(guò)孔的對(duì)位偏差，從而提高I/O密度。