在2025年英特爾Vision大會上，英特爾CEO陳立武透露，英特爾18A制程節(jié)點正穩(wěn)步推進，首個外部客戶的流片工作即將完成，隨著Panther Lake客戶端處理器的推出，預(yù)計今年下半年將開啟大規(guī)模量產(chǎn)。這一消息無疑為英特爾先進制程的發(fā)展注入了強心劑。

然而，正如業(yè)內(nèi)普遍觀點所言，單靠先進制程技術(shù)難以與臺積電長期占據(jù)市場領(lǐng)先優(yōu)勢的戰(zhàn)略相抗衡。臺積電不僅在制程工藝上遙遙領(lǐng)先，其在先進封裝技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局也使其在高性能計算、AI加速器等應(yīng)用領(lǐng)域獨占鰲頭。因此，英特爾必須借助先進封裝這一“第二板斧”，以實現(xiàn)整體競爭力的提升。

由AI驅(qū)動的范式轉(zhuǎn)換

在過去的幾十年中，封裝技術(shù)一直是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。上世紀70、80年代，英特爾就以領(lǐng)先的引線鍵合架構(gòu)（Wire-Bond QFN/QFP）、倒裝等當(dāng)時的“先進”封裝技術(shù)引領(lǐng)市場。那時，芯片通常以單一封裝的形式呈現(xiàn)，封裝的復(fù)雜度較低，技術(shù)更新也較為緩慢。但隨著AI、大數(shù)據(jù)以及高性能計算的迅速發(fā)展，對芯片間高速、低功耗互聯(lián)的需求日益增強，傳統(tǒng)封裝技術(shù)已難以滿足市場對性能、散熱和集成度的要求。

進入21世紀后，尤其是近幾年，AI、HPC和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，對芯片的計算能力、能耗管理和系統(tǒng)集成提出了更高要求。先進封裝技術(shù)正是在這樣的背景下應(yīng)運而生，其核心在于實現(xiàn)異構(gòu)芯片的高密度集成和多樣化互聯(lián)。例如，SiP、Chiplet技術(shù)和3D堆疊技術(shù)等，都為芯片設(shè)計帶來了全新的靈活性和性能提升空間。正如英特爾先進系統(tǒng)封裝與測試事業(yè)部副總裁Mark Gardner在日前的媒體分享會上所言，“當(dāng)下我們正處于由AI驅(qū)動的范式轉(zhuǎn)換之中，這種轉(zhuǎn)變不僅體現(xiàn)在單芯片性能的提升，更體現(xiàn)在系統(tǒng)級封裝技術(shù)帶來的全新價值?！?/p>

英特爾的全景布局

英特爾在先進封裝領(lǐng)域的布局非常全面，其主要產(chǎn)品線涵蓋FCBGA、EMIB、Foveros等多種封裝技術(shù)。

FCBGA（Flip-Chip Ball Grid Array）是英特爾封裝技術(shù)的重要組成部分。其分為FCBGA 2D和FCBGA 2D+兩種形式：

• FCBGA 2D：代表傳統(tǒng)有機封裝，適用于低成本、低I/O數(shù)的產(chǎn)品；

• FCBGA 2D+：在傳統(tǒng)技術(shù)的基礎(chǔ)上增加了基板層疊技術(shù)，適用于需要大面積基板但芯片復(fù)雜度較低的場景，如網(wǎng)絡(luò)和交換設(shè)備。

這種細分使得英特爾能夠針對不同市場需求，提供差異化的封裝解決方案，從而在低成本和高性能之間實現(xiàn)平衡。

EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)主要面向2.5D封裝，其核心在于通過在基板中嵌入微小硅橋，實現(xiàn)芯片間高速、低功耗的互連。英特爾的EMIB技術(shù)有兩個版本：

• EMIB 2.5D：適合高密度的芯片間互連，特別在AI和HPC領(lǐng)域有顯著優(yōu)勢；

• EMIB 3.5D：在2.5D技術(shù)的基礎(chǔ)上引入3D堆疊原理，通過垂直堆疊整合更多功能單元，為更復(fù)雜的系統(tǒng)提供支持。

英特爾通過EMIB技術(shù)，既實現(xiàn)了芯片互聯(lián)的低成本優(yōu)勢，又大幅提升了封裝良率和生產(chǎn)周期效率。正是這種高效靈活的互連方式，使得英特爾能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計需求。

另外，F(xiàn)overos則代表著英特爾在3D封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新突破。不同于傳統(tǒng)的基板連接方式，F(xiàn)overos采用芯片對芯片的堆疊方式：

• Foveros 2.5D：實現(xiàn)芯片在晶圓上的直接堆疊，適合高速I/O與核心邏輯的分離；

• Foveros 3D及Foveros Direct：通過銅-銅直接鍵合技術(shù)，進一步提高了互連帶寬和降低功耗。這種技術(shù)不僅適用于內(nèi)部多芯片集成，還可以與EMIB技術(shù)有機結(jié)合，形成混合封裝方案，從而滿足更加復(fù)雜的產(chǎn)品需求。

Mark Gardner強調(diào)，“Foveros Direct技術(shù)的出現(xiàn)，使得芯片間的銅直接鍵合成為可能，從而實現(xiàn)了極高的帶寬和低功耗互連，為AI加速器等高性能產(chǎn)品提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。”

另一板斧的關(guān)鍵優(yōu)勢

Mark Gardner在媒體會上指出，英特爾先進封裝技術(shù)在成本、良率和周期時間上有著領(lǐng)先優(yōu)勢。

首先在成本方面，英特爾利用EMIB技術(shù)中的硅橋技術(shù)，將其微小的尺寸優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為晶圓面積利用率的提升。傳統(tǒng)晶圓級封裝技術(shù)往往因較大的無源中介層而導(dǎo)致低利用率和高成本，而EMIB技術(shù)則可以在一片晶圓上集成數(shù)千個硅橋，從而實現(xiàn)成本的顯著降低。尤其在大規(guī)模集成HBM（高帶寬存儲）堆疊時，這一優(yōu)勢尤為明顯。

其次在良率和周期時間優(yōu)勢上，先進封裝技術(shù)的另一大亮點在于其更高的良率和更快的生產(chǎn)周期。傳統(tǒng)晶圓級封裝步驟復(fù)雜，容易導(dǎo)致良率損失。而英特爾通過引入“裸片測試（Die Sort）”技術(shù)，在將芯片封裝之前進行全面檢測，從而大幅提升了整體良率。此外，采用EMIB技術(shù)無需經(jīng)過繁瑣的晶圓封裝步驟，縮短了生產(chǎn)周期，為市場變化提供了更快的響應(yīng)速度。
另外在系統(tǒng)級協(xié)同優(yōu)化層面，先進封裝不僅僅是技術(shù)堆疊的問題，更是一個系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化過程。從硅芯片設(shè)計到封裝工藝，再到熱管理和功率傳輸，英特爾將各個環(huán)節(jié)有機結(jié)合，形成了一整套“硅封裝協(xié)同設(shè)計”方案。這種跨層次的協(xié)同優(yōu)化，不僅提升了產(chǎn)品性能，也為客戶提供了定制化的整體解決方案。正如發(fā)言中所描述，“這是一個需要多次迭代的復(fù)雜過程，我們與客戶緊密合作，共同打造最優(yōu)的產(chǎn)品?！?br/>最后在靈活性與開放合作方面，英特爾通過與外部代工廠（如三星、臺積電）以及EDA、IP供應(yīng)商合作，實現(xiàn)了設(shè)計規(guī)則的互通與兼容，賦予客戶更多選擇權(quán)。英特爾能夠為客戶提供從芯片測試、基板制造到系統(tǒng)級封裝的全套服務(wù)，甚至可以單獨提供某一環(huán)節(jié)的技術(shù)支持。這種靈活的合作模式，將有助于客戶在不斷變化的市場中迅速調(diào)整戰(zhàn)略，搶占先機。

擁抱機遇，應(yīng)對競爭

隨著數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用需求的激增，高性能、高密度、多芯片集成的先進封裝技術(shù)正成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵推動力。英特爾已經(jīng)在多款數(shù)據(jù)中心GPU和AI加速器產(chǎn)品中采用了Foveros和EMIB技術(shù)，例如之前推出的英特爾? 數(shù)據(jù)中心GPU Max系列產(chǎn)品，就通過將近50塊不同工藝節(jié)點的芯片集成在同一封裝內(nèi)，實現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。通過先進封裝，英特爾不僅實現(xiàn)了多芯片的高效集成，還在熱管理、功率傳輸和信號傳輸?shù)确矫嫒〉昧孙@著突破，使產(chǎn)品在面對大規(guī)模計算任務(wù)時具備更高的可靠性和能效比。

面對日益激烈的市場競爭，英特爾不僅在單一技術(shù)上發(fā)力，更注重技術(shù)的融合創(chuàng)新。例如，F(xiàn)overos Direct與EMIB技術(shù)的結(jié)合，便是一個典型的混合封裝方案。通過將Foveros Direct技術(shù)應(yīng)用于高速I/O與核心邏輯分離，再借助EMIB實現(xiàn)芯片間的低功耗互連，英特爾在提升帶寬、降低延遲的同時，還能有效控制封裝成本。這種混合封裝方案不僅適用于AI加速器和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品，還將逐步拓展至消費級和移動設(shè)備等更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，從而構(gòu)建起一個多層次、全方位的先進封裝生態(tài)系統(tǒng)。

此外，英特爾還正在研發(fā)超大尺寸封裝（如120毫米×120毫米）的技術(shù)方案。隨著產(chǎn)品集成度的不斷提高，芯片內(nèi)包含的功能單元數(shù)量也在不斷增加。為了應(yīng)對不斷增長的計算需求，如何在保證良率和成本優(yōu)勢的前提下，實現(xiàn)更大封裝尺寸成為亟待解決的問題。英特爾計劃通過玻璃基板、玻璃核心等新材料和新工藝的引入，優(yōu)化大尺寸基板的制造工藝，從而在更大封裝尺寸上保持高效互連和良好熱管理。這不僅是封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢，更為未來更高集成度的系統(tǒng)設(shè)計提供了可能性。

雖然英特爾在先進封裝技術(shù)上已形成較為完整的產(chǎn)品線，但臺積電、三星等競爭對手也在加緊布局。臺積電的SoIC（系統(tǒng)級封裝）技術(shù)和三星的X-Cube方案，均在不同維度有著突出表現(xiàn)。面對這些挑戰(zhàn)，英特爾需要在技術(shù)研發(fā)、供應(yīng)鏈整合和市場推廣等方面不斷發(fā)力，確保其封裝技術(shù)在性能、成本和產(chǎn)能上具備足夠競爭力。

眾所周知，先進封裝技術(shù)的推廣，不僅依賴于技術(shù)創(chuàng)新，更需要強大的供應(yīng)鏈和成熟的工藝整合能力。英特爾長期以來積累的封裝與測試經(jīng)驗，使其在“裸片測試（Die Sort）”、“熱壓結(jié)合（Thermal Compression Bonding）”等關(guān)鍵工藝上具備獨特優(yōu)勢。但隨著封裝復(fù)雜度的不斷提升，如何在保證高良率和短周期時間的前提下，實現(xiàn)多工藝、多技術(shù)的無縫集成，將是英特爾面臨的重要挑戰(zhàn)。為此，英特爾正通過與全球頂尖基板供應(yīng)商、封裝設(shè)備廠商及EDA工具提供商的緊密合作，不斷優(yōu)化各項工藝流程，提升整體生產(chǎn)效率。

為了更好地應(yīng)對市場變化，英特爾正在構(gòu)建一個開放、靈活的合作生態(tài)系統(tǒng)，不僅為內(nèi)部產(chǎn)品提供先進封裝技術(shù)，還將這一技術(shù)向外部客戶開放。例如，通過與AWS、Cisco等客戶在數(shù)據(jù)中心和AI加速器領(lǐng)域的深度合作，英特爾展示了其在先進封裝技術(shù)應(yīng)用上的成熟經(jīng)驗。與此同時，英特爾還致力于為客戶提供從芯片測試、基板制造到系統(tǒng)級封裝的全流程支持，幫助客戶構(gòu)建自主設(shè)計和優(yōu)化能力，實現(xiàn)技術(shù)與市場的雙重突破。

展望

從18A制程的穩(wěn)步推進，到先進封裝技術(shù)的全面布局，英特爾正在以全新的姿態(tài)迎接半導(dǎo)體行業(yè)的變革。單靠先進制程，英特爾雖然在技術(shù)上取得了一定突破，但面對臺積電和三星等競爭對手在整體生態(tài)和先進封裝方面的布局，僅依賴制程優(yōu)勢顯然遠遠不夠。而先進封裝技術(shù)——無論是通過Foveros的3D堆疊，還是借助EMIB實現(xiàn)的高密度互連——都將成為英特爾在追趕競爭對手過程中的又一“利器”。

通過深入的系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計、嚴苛的工藝控制以及開放靈活的合作模式，英特爾正逐步將先進封裝技術(shù)打造成其在未來市場中的競爭新引擎。展望未來，憑借先進封裝帶來的高效能集成、低功耗傳輸以及靈活的設(shè)計理念，英特爾有望在數(shù)據(jù)中心、AI加速器以及高性能計算等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新的突破，開啟半導(dǎo)體行業(yè)的新篇章。

總之，在全球半導(dǎo)體競爭日趨激烈的今天，英特爾正以先進封裝為抓手，不斷創(chuàng)新、不斷突破，用披荊斬棘的精神迎接每一個技術(shù)挑戰(zhàn)。只有在制程與封裝雙輪驅(qū)動的全局布局下，英特爾才能在未來的技術(shù)浪潮中搶占制高點，實現(xiàn)真正意義上的追趕與超越。