AI產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮，以GPT-4及 DeepSeek AI為代表的大模型，引爆了市場需求。而訓(xùn)練和運行這些超大規(guī)模模型，需要芯片具備強大的并行計算能力，其數(shù)據(jù)處理量龐大，運算復(fù)雜度極高。采用Chiplet（芯粒）先進封裝技術(shù)，可以將高性能計算芯粒、大容量內(nèi)存芯粒以及高速I/O芯粒等集成在一起，構(gòu)建出強大的AI算力芯片，提供更高的計算性能和數(shù)據(jù)處理能力，滿足云計算平臺對大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲和快速計算的需求。

甬矽電子始終堅定不移地踐行技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略，以前瞻性的布局切入先進封裝領(lǐng)域，自主構(gòu)建的FHBSAP?（Forehope - Brick - Style Advanced Package）積木式先進封裝技術(shù)平臺取得一系列的技術(shù)突破。

甬矽電子 FHBSAP?技術(shù)平臺成功攻克諸多技術(shù)難關(guān)，創(chuàng)新性地開發(fā)一系列前沿先進封裝技術(shù)成果，涵蓋RWLP系列（晶圓級重構(gòu)封裝，F(xiàn)an-out 扇出封裝）、HCOS系列（2.5D晶圓級/基板上異構(gòu)封裝）、Vertical系列（晶圓級垂直芯片堆棧封裝）等，精準適配Fan-out（FO）、2.5D/3D先進晶圓級封裝等多元化先進封裝技術(shù)需求，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力。

RWLP系列（晶圓級重構(gòu)封裝、FO）

涵蓋RWLP-D & RWLP-U，可以實現(xiàn)芯片采用Face-down & Face-up貼裝方式進行晶圓重構(gòu)及拓展RDL、Bumping晶圓級封裝，能夠有效提升芯片的集成度和性能。RWLP系列技術(shù)在優(yōu)化封裝工藝、提高封裝效率方面取得了顯著進展，為芯片的小型化、高性能化提供了有力支撐。

HCOS系列（2.5D晶圓級/基板上異構(gòu)封裝）

涵蓋HCOS-OR/OT/SI/AI，致力于實現(xiàn)異構(gòu)整合的不同模塊小芯粒制造工藝或采用不同襯底材料（TSV interposer / RDL interposer / Si bridge等）作為轉(zhuǎn)接板構(gòu)建的高效Chiplet異構(gòu)封裝，能夠?qū)⒕哂胁煌δ芎椭瞥痰男酒稍谝黄?，充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢，實現(xiàn)系統(tǒng)性能的最大化，滿足多樣化應(yīng)用需求的重要趨勢。這一技術(shù)的突破，使得在應(yīng)對如AI、高性能計算（HPC）等對芯片性能要求極高的應(yīng)用場景時，具備了更強的競爭力。

Vertical系列（晶圓級垂直芯片堆棧封裝）

涵蓋VMCS& VSHDC，垂直芯片堆棧封裝技術(shù)通過將芯片進行垂直堆疊（TSV / Micro bump / TCB …等），有效縮短了芯片間的信號傳輸距離，提高了信號傳輸速度，同時降低了功耗。這種封裝方式能夠在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的芯片集成密度，為實現(xiàn)芯片的高性能、低功耗運行提供了可能。

FHBSAP?積木式先進封裝技術(shù)平臺展現(xiàn)出了卓越的技術(shù)實力與廣泛的應(yīng)用潛能。憑借所提供的低密度到高密度集成、更高密度互聯(lián)和高可靠性性能解決方案，為算力密集型、數(shù)據(jù)高速傳輸?shù)鹊膽?yīng)用場景筑牢根基，確保系統(tǒng)在運行過程中各芯片間能夠以超高帶寬、超低延遲進行數(shù)據(jù)交互，極大提升在HPC、AI、高帶寬存儲器（HBM）以及5G通訊等前沿領(lǐng)域的使用體驗，推動公司主營業(yè)務(wù)收入穩(wěn)步提升，增強公司的技術(shù)競爭優(yōu)勢和持續(xù)盈利能力。

公司介紹

甬矽電子成立于2017年，主要生產(chǎn)研發(fā)SIP電路IC封裝測試，現(xiàn)已形成包括產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等國內(nèi)外制造服務(wù)體系。公司作為國家高新技術(shù)企業(yè)，已被列入國家集成電路重大生產(chǎn)力布局“十四五”規(guī)劃，是彌補國內(nèi)高端封測短板的重點項目。

甬矽電子所擁有的主要核心技術(shù)涵蓋多個領(lǐng)域，具體包括：高密度細間距倒裝凸點互聯(lián)芯片封裝技術(shù)，該技術(shù)在芯片互聯(lián)層面實現(xiàn)高精度、高密度的連接，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)；應(yīng)用于4G/5G通訊的射頻芯片/模組封裝技術(shù)，有力支撐了現(xiàn)代通訊領(lǐng)域?qū)Ω哳l、高速信號處理的需求，保障通訊設(shè)備高效運行；混合系統(tǒng)級封裝（Hybrid-SiP）技術(shù)，通過整合多種功能組件，實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、高性能化；多芯片（Multi-Chip）/高焊線數(shù)球柵陣列（WB-BGA）封裝技術(shù)，滿足復(fù)雜芯片集成與高功率應(yīng)用場景；基于引線框的高密度/大尺寸的QFN封裝技術(shù)，憑借引線框結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，在保證電氣性能的同時，優(yōu)化成本與空間利用；光學(xué)傳感器特色封裝技術(shù)，適配車載智駕系統(tǒng)等的光學(xué)傳感器的特殊封裝要求，確保傳感器的高精度、高可靠性；以及多應(yīng)用領(lǐng)域先進IC測試技術(shù)，為集成電路產(chǎn)品質(zhì)量把控提供精準、高效手段。目前，上述核心技術(shù)均已達成穩(wěn)定量產(chǎn)狀態(tài)，在公司產(chǎn)品體系與市場供應(yīng)中持續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵效能。

在持續(xù)強化系統(tǒng)級封裝技術(shù)既有優(yōu)勢的進程中，甬矽電子前瞻性布局先進Fan-out / 2.5D /3D Chiplet晶圓級封裝技術(shù)領(lǐng)域，積極推進相關(guān)技術(shù)研發(fā)工作。截至2024年12月31日，依據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，共持有授權(quán)專利超過400項。其中，可應(yīng)用于“FHBSAP?積木式先進封裝技術(shù)平臺”的授權(quán)發(fā)明專利近100項，這些專利為該技術(shù)平臺的創(chuàng)新性構(gòu)建與持續(xù)升級注入核心動力。綜合來看，公司于先進核心技術(shù)范疇已積累相對完備的技術(shù)資產(chǎn)，為未來產(chǎn)業(yè)拓展、技術(shù)迭代筑牢根基，并積極與上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新，整合資源，著力將自身的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢高效轉(zhuǎn)化為卓越的成本優(yōu)勢。