天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種離子注入溝道效應(yīng)抑制方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN117371258B，授權(quán)公告日為2024年4月30日，申請日為2023年12月8日。

本申請公開了一種離子注入溝道效應(yīng)抑制方法，所述方法包括確定屏蔽層厚度，仿真獲得形成所述屏蔽層的氧化仿真參數(shù)；對確定厚度的所述屏蔽層進(jìn)行離子注入仿真，獲得離子注入的注入仿真參數(shù)；以所述氧化仿真參數(shù)和所述注入仿真參數(shù)為依據(jù)，進(jìn)行實(shí)際流片；還包括選取外延片，以所述氧化仿真參數(shù)和所述注入仿真參數(shù)為依據(jù)，在所述外延片上熱氧化形成所述確定厚度的屏蔽層，并在形成有所述屏蔽層的外延片上進(jìn)行離子注入；在已完成離子注入的外延層上形成碳保護(hù)膜，完成激活退火后去除所述外延層上覆蓋的碳保護(hù)膜，本申請通過設(shè)置屏蔽氧化層將注入的離子在進(jìn)入SiC晶片前的運(yùn)動(dòng)方向變?yōu)闊o序化，有效抑制了SiC晶片離子注入過程中的溝道效應(yīng)。