天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN117276226B，授權(quán)公告日為2024年4月16日，申請(qǐng)日為2023年11月1日。

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，并提供一種功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。功率模塊包括絕緣的基板及位于基板上的半橋結(jié)構(gòu)，半橋結(jié)構(gòu)包括彼此間隔設(shè)置的第一負(fù)載軌道、第二負(fù)載軌道、第一直流負(fù)極區(qū)域、第二直流負(fù)極區(qū)域。第一負(fù)載軌道包括一體形成并順次連接的第一上橋臂區(qū)域、直流正極區(qū)域和第二上橋臂區(qū)域。第二負(fù)載軌道包括一體形成并順次連接的第一下橋臂區(qū)域、交流區(qū)域和第二下橋臂區(qū)域。第一下橋臂區(qū)域位于第一直流負(fù)極區(qū)域和交流區(qū)域之間，第二下橋臂區(qū)域位于第二直流負(fù)極區(qū)域和交流區(qū)域之間。