3月16日，國博電子發(fā)布公告稱，公司將募集資金投資項目“射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項目”（以下簡稱“募投項目”）達到預(yù)定可使用狀態(tài)的日期延長至2025年3月。

關(guān)于項目延期原因，國博電子表示，射頻芯片和組件產(chǎn)業(yè)化項目在實施過程中，面對復雜多變的外部經(jīng)濟環(huán)境影響，公司基于謹慎性的原則減緩了募投項目的實施進度，并根據(jù)行業(yè)技術(shù)的最新發(fā)展情況調(diào)整了部分設(shè)備的技術(shù)要求，使得募投項目的實際投資進度較原計劃略有延遲。公司綜合考慮資金使用情況和實際項目進度影響，在保持項目的內(nèi)容、投資用途、投資總額和實施主體不發(fā)生變更的情況下，決定對上述募投項目延期。

隨著有源相控陣產(chǎn)品迭代升級和移動通信技術(shù)發(fā)展，射頻電子的應(yīng)用領(lǐng)域更加廣泛，公司需要持續(xù)加強科技創(chuàng)新實力和產(chǎn)業(yè)化能力，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率，提升核心競爭能力，爭取更多的市場應(yīng)用。有源相控陣技術(shù)應(yīng)用前景廣闊，在雷達探測、衛(wèi)星通信等方面取得廣泛應(yīng)用，并逐步向其他領(lǐng)域擴展，作為其關(guān)鍵元器件的有源相控陣 T/R 組件將獲得更廣闊的市場空間。6G、衛(wèi)星互聯(lián)等移動通信技術(shù)持續(xù)發(fā)展，智能制造、自動駕駛、虛擬現(xiàn)實等領(lǐng)域都將成為新一代移動通信技術(shù)應(yīng)用的重要場景，同樣需要更高集成度、更低功耗的射頻芯片技術(shù)和產(chǎn)品，也將為射頻集成電路產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。

國博電子是國內(nèi)能夠批量提供有源相控陣 T/R 組件和系列化射頻集成電路產(chǎn)品的領(lǐng)先企業(yè)，建立了以化合物半導體為核心的技術(shù)體系和系列化產(chǎn)品布局，產(chǎn)品覆蓋芯片、模塊、組件。公司形成了有源相控陣 T/R 組件和射頻模塊、射頻芯片的核心技術(shù)平臺，掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。

基于核心技術(shù)，公司形成了系列化的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)能力，研制開發(fā)了數(shù)百款有源相控陣 T/R組件，多個有源相控陣 T/R 組件定型批產(chǎn)；開發(fā)的基站射頻集成電路及組件產(chǎn)品已經(jīng)在國內(nèi) 4G、5G 基站實現(xiàn)大批量供貨，針對移動通信終端應(yīng)用的開關(guān)、天線調(diào)諧器、DiFEM 相關(guān)芯片產(chǎn)品被客戶引入并批量交付。

國博電子指出，公司募投項目將進一步升級研發(fā)射頻芯片、模塊和 T/R 組件領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)，重點實現(xiàn)毫米波和太赫茲 T/R 組件設(shè)計技術(shù)能力、工藝制造技術(shù)能力、測試能力、可靠性評估等能力的進一步提升，實現(xiàn)移動通信射頻芯片和微波毫米波芯片設(shè)計研發(fā)、在片測試能力提升。募投項目能夠提高微波毫米波相關(guān)技術(shù)水平，是提升公司核心產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化能力的必經(jīng)之路，有助于公司迎接未來市場需求升級的挑戰(zhàn)，滿足日益增加的市場需求。通過項目的實施，將為公司高質(zhì)量發(fā)展奠定堅實的基礎(chǔ)。