集微網(wǎng)消息，消息稱三星電子正在與應(yīng)用材料公司合作，希望減少極紫外（EUV）工藝步驟的數(shù)量，如果成功，將有助于降低半導(dǎo)體生產(chǎn)成本。韓國業(yè)界表示，隨著越來越多的公司采用EUV工藝，預(yù)計許多公司將開始投資減少EUV工藝步驟的技術(shù)。

業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星正在嘗試與應(yīng)用材料公司合作，以減少4nm的工藝步驟數(shù)量。這將主要通過應(yīng)用材料的“Centura Sculpta”圖案化系統(tǒng)來實現(xiàn)，該系統(tǒng)于2023年開發(fā)，旨在減少EUV工藝步驟。

Centura Sculpta是一種圖案成型系統(tǒng)，可幫助客戶減少光刻時間。應(yīng)用材料在2023年2月表示，光刻技術(shù)正變得越來越復(fù)雜和昂貴，新技術(shù)方法可以簡化芯片生產(chǎn)流程，同時減少浪費和環(huán)境影響。應(yīng)用材料聲稱，Centura Sculpta可以將每片晶圓的生產(chǎn)成本降低50美元以上。

業(yè)內(nèi)人士認為，減少工藝步驟可以節(jié)省EUV生產(chǎn)成本并提高良率。據(jù)了解，三星從一開始就與應(yīng)用材料就流程縮減技術(shù)進行合作。與深紫外（DUV）相比，EUV工藝的波長更短，主要用于10nm以下系統(tǒng)半導(dǎo)體中的光刻或10nm級DRAM中的超精細電路。

單次EUV曝光變得越來越困難，導(dǎo)致性能限制和挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體行業(yè)采用多種圖案化技術(shù)來解決這個問題，其中涉及多次EUV曝光。然而，隨著多重圖案化的增加，額外的工藝被增加，導(dǎo)致制造成本上升。

三星、英特爾和臺積電已與應(yīng)用材料公司合作，以利用新技術(shù)的優(yōu)勢。特別是隨著領(lǐng)先的代工廠將越來越多地部署2nm以下的工藝，工藝簡化技術(shù)預(yù)計將在先進半導(dǎo)體制造中獲得更多關(guān)注。

（校對/劉昕煒）