據(jù)韓媒日前發(fā)文稱，三星計(jì)劃于2025年11月量產(chǎn)首款采用2納米工藝的Exynos 2600芯片。若Galaxy S26機(jī)型能順利搭載Exynos 2600，三星有望借此展示 2 納米技術(shù)實(shí)力，吸引更多客戶。

據(jù)透露，這得益于新任Foundry事業(yè)部負(fù)責(zé)人韓真晚（Han Jinman）上任后取得重大進(jìn)展。他上任僅四個(gè)月，便著手優(yōu)化生產(chǎn)良率并調(diào)整經(jīng)營策略，全面檢視了 2 納米工藝的生產(chǎn)線和運(yùn)營模式，不僅鞏固技術(shù)優(yōu)勢，還拓寬了市場布局。

在2nm制程進(jìn)展順利的同時(shí)，三星已經(jīng)制定更為遠(yuǎn)大的目標(biāo)則是1nm制程，并且已成立團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)1nm制程的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間將是2029年。

據(jù)悉，Exynos 2600芯片采用Gate-All-Around（GAA）技術(shù)，相較傳統(tǒng)FinFET工藝更先進(jìn)。這種技術(shù)通過四面環(huán)繞晶體管結(jié)構(gòu)，提升芯片性能并降低功耗，適合高性能芯片需求。

三星此前已率先實(shí)現(xiàn)3納米GAA量產(chǎn)，但受限于低良率，未能扭轉(zhuǎn)代工業(yè)務(wù)的虧損局面。據(jù)悉，2納米工藝的良率已從年初的20-30%提升至40% 以上，遠(yuǎn)超 3 納米時(shí)期的表現(xiàn)。

業(yè)界認(rèn)為，若Exynos 2600按計(jì)劃搭載于2026年一季度發(fā)布的Galaxy S26，將為三星代工業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑，助力吸引外部客戶。

不過，相比三星的2nm制程，臺(tái)積電的2nm制程進(jìn)度似乎更快，傳聞目前良率已經(jīng)達(dá)到了80%，也將會(huì)在今年下半年量產(chǎn)，并且已經(jīng)開始接受客戶訂單。