天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告日為11月17日，授權(quán)公告號為CN113921595B。

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專利摘要顯示，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：摻雜第一離子的襯底；位于襯底內(nèi)的深溝結(jié)構(gòu)；位于襯底和深溝結(jié)構(gòu)頂部的阻擋摻雜區(qū)；位于阻擋摻雜區(qū)上的第一外延層；位于第一外延層內(nèi)的體區(qū)，至少部分體區(qū)還位于所述深溝結(jié)構(gòu)上方；位于體區(qū)內(nèi)的源區(qū)，且所述體區(qū)暴露出源區(qū)的部分表面；位于第一外延層內(nèi)的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)還位于與深溝結(jié)構(gòu)相鄰的襯底上方，且所述柵極結(jié)構(gòu)與所述體區(qū)、以及所述源區(qū)暴露的部分表面接觸；位于所述襯底底部的集電區(qū)，所述第二面暴露出集電區(qū)表面，且所述集電區(qū)與所述深溝結(jié)構(gòu)的底部之間被所述襯底間隔。通過所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，提升了絕緣柵雙極型晶體管的性能。（校對/劉沁宇）